半导体材料 MOOC学习记录 第二章 晶体生长原理

第二章 晶体生长原理

1

​以下对于晶体生长描述正确的是

• A.

  晶体的原子最密排面表面能最低。

• B.

  晶面的法向生长速度越快，就越容易留下来；反之则容易消失。

• C.

  晶体生长是平衡过程。

• D.

  晶体的形态取决于各个晶面的法向生长速度。

正确答案：D

2

‍以下对于粗糙界面和光滑界面描述正确的是

• A.

  对于粗糙面，晶体生长采取二维成核或者自然台阶层状生长。

• B.

  界面的相对吉布斯自由能与x无关。

• C.

  x=50%是粗糙界面，x=0%或者100% 为光滑界面

• D.

  晶体的生长单元比例x=NA/N,如果x＞50%就是粗糙界面，x＜50%就是光滑界面

正确答案：C

3

‏以下对于非均匀形核的描述错误的是

• A.

  杂质表面的形状对于表面形核有影响，凹面促进形核

• B.

  一般所有的杂质都可以充当形核的基底

• C.

  当同质外延或直接从单质熔液生长单晶时，润湿角为零

• D.

  降低湿润角，一般需要选择与晶核相同晶体结构，相近的点阵常数作为异质形核点

正确答案：B

4

‍以下对于晶体生长的方法描述错误的是

• A.

  Si晶体一般采用溶液生长法

• B.

  任何两相之间都有亚稳区存在，当热力学条件处于亚稳相区才有新相的产生。

• C.

  金刚石一般采取固相生长法

• D.

  GaN可以采取气相生长法

正确答案：A

5

‌晶体生长过程中，只有达到一定的过冷度时，才能自发进行熔-固相转变。

正确答案：T

6

‎晶体生长时，体系的自由能随着晶核半径的增加而增加。

正确答案：F

7

‌在体系中存在外来质点（比如尘埃、固体颗粒、籽晶等），在外来质点上成核叫做均匀成核。

正确答案：F

8

判断(1分)

‍硅晶体和锗晶体的晶体结构相同，均为金刚石结构。

正确答案：T