一片晶圆能切割出多少颗芯片

文章讲述了如何计算一片晶圆能切割出的芯片数量,使用了特定的数学公式并举例说明。它还指出,芯片的形状和尺寸会影响切割数量,长宽比和良率是重要因素,而且Foundry通常有特定的规则以保证高效率和低成本。不遵守这些规则可能会导致成本增加,即使能切割出更多芯片。

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一片晶圆(wafer)能切割出多少颗芯片(die)呢?

图片来源百度
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晶圆是圆的(因为硅锭是圆柱形的),而芯片是方形的,所以两者不能按照面积之比来计算切割数量。通用的计算公式是这样的:

        Q = [(wafer_area / die_area) - Pi * (wafer_diam / die_diag)] * yield

Q: 切割数量

wafer_area: 晶圆面积

die_area: 芯片面积

wafer_diam: 晶圆直径

die_diag: 芯片对角线长度

yield:良率

举个例子,12寸晶圆能切割出多少颗20 mm^2的芯片呢?

12寸指的是晶圆直径,约为300mm,但是需要刨去3mm的wafer edge exclusion,所以有效直径为294mm。根据圆面积计算公式wafer_area = Pi * r^2,得到晶圆面积为67887 mm^2.

假设芯片是正方形的,那么对角线长度为\sqrt{20} * \sqrt{2} = 6.325mm,再假设良率为95%,最后带入公式计算:

Q = [(67887 / 20) - Pi * (294 / 6.325)] * 95% = 3086

我们发现,公式中的减数项跟芯片对角线成反比,同样面积下,越窄长的长方形,其对角线也就越长。比如,上面的例子中我们假设芯片是边长为2mm*10mm的长方形,其对角线为10.2mm,带入公式计算得到Q = 3139,比正方形多切出来53颗芯片!有这样的好事?

答案显然是否定的。且不说窄长的形状不利于布局布线,单就foundry来说,也会给出一定的长宽比约束规则,在满足其规则的前提下才能得到较高的良率(且还能获得价格上的折扣),而如果不满足其规则,就算真的多切几颗出来,成本也不会有优势。

芯片晶圆测试是在芯片制造过程中的一个重要环节,用于验证芯片的功能和性能。以下是一般的芯片晶圆测试项目及具体流程: 测试项目: 1. 电气特性测试:包括输入输电阻、功耗、电压范围、电流范围等。 2. 逻辑功能测试:验证芯片的各个逻辑功能单元是否正常工作,如运算单元、寄存器等。 3. 存储器测试:测试芯片内部的存储器单元,验证读写操作、数据稳定性等。 4. 时钟测试:测试芯片的时钟源和时钟分频器,验证时钟频率、相位稳定性等。 5. 通信接口测试:验证芯片的通信接口是否正常工作,如UART、SPI、I2C等。 6. 模拟电路测试:对芯片的模拟电路进行测试,包括模拟输入输、放大器、滤波器等。 7. 故障处理测试:测试芯片在异常情况下的处理能力,如复位、错误处理等。 具体流程: 1. 准备测试设备和工具:包括晶圆测试机、探针卡、测试程序等。 2. 晶圆切割和粘贴:将晶圆切割成单个芯片,并粘贴到测试载体上。 3. 探针接触:使用探针卡将测试载体与晶圆测试机连接,确保探针与芯片引脚接触良好。 4. 测试参数配置:根据测试需求,配置测试程序的参数,包括测试模式、时钟频率等。 5. 执行测试:运行测试程序,对芯片进行各项测试项目的测试,记录测试结果。 6. 数据分析:对测试结果进行数据分析和统计,判断芯片是否符合规格要求。 7. 故障排除:如果测试发现异常情况,进行故障排查和修复。 8. 测试报告生成:生成测试报告,记录测试过程、结果和问题。 需要注意的是,芯片晶圆测试是在芯片制造过程中的一个环节,由专业的测试人员和设备进行操作。具体的测试项目和流程可能会根据芯片类型、制造工艺和需求进行定制化。
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