全球NAND原厂｜2024年最新研发动态一览

最新推荐文章于 2025-04-28 18:22:34 发布

古猫先生

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分类专栏：产业动态文章标签：人工智能大数据服务器科技

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本文详细解读了三星、铠侠/西部数据、美光、SK海力士/Solidigm、长江存储和旺宏等公司在3DNAND技术上的最新进展，包括单层到双层结构升级、COP集成、不同层数的开发计划以及混合键合技术的应用，预示着未来几年500层以上甚至更高密度的3DNAND产品将逐步上市。

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根据TechInsights消息：随着技术发展和市场竞争的推进，有必要对3D NAND行业路线图进行更新与梳理。本文将逐一解析三星、铠侠/西部数据、美光、SK海力士/Solidigm、长江存储以及旺宏等主要厂商在3D NAND技术上的规划与发展。

三星：

V7世代：三星已将单层结构改为双层结构，并将2D外围阵列设计转变为Cell-on-Periphery（COP）集成。目前，三星已向市场推出第二代COP结构的V8 236层1Tb TLC产品。
预测：去年曾推测三星可能在300层以下再推出一个节点，如280或290层产品。如今，三星已拥有280层V9 COP V-NAND。
V6P版本：三星为990 EVO新增了133层V6 Prime（V6P）版本，作为128层V6的补充。133层为单层结构，无COP设计，总门数为133，有效字线数由128增至133，512Gb裸片上两个面各有两个子平面，速度提升至1600MT/s。未来V10将采用类似铠侠218L CBA和YMTC Xtacking产品的混合键合技术。

铠侠/西部数据：

BiCS结构：铠侠和西部数据继续沿用BiCS结构，市场上大部分产品仍为第5代112层。去年成功采购到第6代162层BiCS，但该产品可能存在风险，生命周期可能较短。
发展规划：铠侠已宣布跳过第7代BiCS，第8代将直接采用218层，后续开发中的产品将达到284层。这两代产品均采用双晶圆混合键合技术，若3xx层（如300层）开发进展顺利，可能再次跳过284层。

美光：

SK海力士/Solidigm：

Solidigm 144L QLC NAND由三层结构（每层48层）组成，已发布并分析了192L QLC设备，下一步将是230层QLC产品。
SK海力士继续采用4D PUC结构，V7 176层产品将在2024年持续供应，而238层V8 4D PUC产品将很快广泛应用于市场。去年已宣布321层V9 4D PUC样品，下一个节点可能为3yy层（如370层或380层），位于400层以下。

长江存储：

Xtacking结构：长江存储采用双晶圆混合键合的Xtacking结构，跳过了176层，直接进入232层。在开发232层之前，长江存储内部曾有过192层和198层样品，但最终选择了直接过渡到232层。
下一代G5产品将拥有超过300层，并采用Xtacking 4技术。由于受到美国芯片禁令影响，长江存储可能将更多精力转向已发布的128L和232L QLC设备，并为未来3D NAND开发多Xtacking技术。同时，长江存储正对包括美光在内的NAND竞争对手提起专利诉讼。

旺宏：