三星即将量产V9 NAND，2025年达到430层

最新推荐文章于 2024-08-02 22:04:46 发布

古猫先生

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分类专栏： NAND 文章标签：性能优化服务器人工智能科技

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三星即将开始批量生产290层V-NAND，采用串叠工艺显著提高产量。SK海力士、铠侠等竞争者紧随其后，计划推出更高层数的产品。文章概述了各大厂商的技术路线图，预示着未来几年3DNAND存储技术的激烈竞争和突破性发展。

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据韩经媒体报导，三星电子将于本月晚些时候开始批量生产其第9代V-NAND闪存。这款三星新一代3D NAND存储器将拥有290个活动层，相较于前代236层仅小幅增加，但其制造方式却发生了重大变化。

据报导，三星第9代V-NAND闪存（290层）的关键特性在于采用串叠生产工艺。采用串叠工艺的制造过程包括首先构建包含逻辑的CMOS层，然后在其上方叠加一层145层的3D NAND内存阵列，最后再在其上方叠加另一层145层3D NAND闪存。虽然这种制造工艺较为复杂，但有望提高数百层3D NAND内存产品的产量，因为构建两个145层3D NAND阵列比构建一个290层3D NAND阵列更容易。

根据报告，继推出290层V9之后，三星打算在2025年下半年发布第10代430层V-NAND。与此同时，其他行业参与者也不甘落后。SK海力士正准备在明年初生产321层NAND，而YMTC计划在2024年下半年制造300层产品。

主流NAND原厂技术路线图全景展示

根据TechInsights解析三星、铠侠/西部数据、美光、SK海力士/Solidigm、长江存储以及旺宏等主要厂商在3D NAND技术上的规划与发展，供大家参考！

三星：

V7世代：三星已将单层结构改为双层结构，并将2D外围阵列设计转变为Cell-on-Periphery（COP）集成。目前，三星已向市场推出第二代COP结构的V8 236层1Tb TLC产品。
预测：去年曾推测三星可能在300层以下再推出一个节点，如280或290层产品。如今，三星已拥有280层V9 COP V-NAND。
V6P版本：三星为990 EVO新增了133层V6 Prime（V6P）版本，作为128层V6的补充。133层为单层结构，无COP设计，总门数为133，有效字线数由128增至133，512Gb裸片上两个面各有两个子平面，速度提升至1600MT/s。未来V10将采用类似铠侠218L CBA和YMTC Xtacking产品的混合键合技术。

铠侠/西部数据：

BiCS结构：铠侠和西部数据继续沿用BiCS结构，市场上大部分产品仍为第5代112层。去年成功采购到第6代162层BiCS，但该产品可能存在风险，生命周期可能较短。
发展规划：铠侠已宣布跳过第7代BiCS，第8代将直接采用218层，后续开发中的产品将达到284层。这两代产品均采用双晶圆混合键合技术，若3xx层（如300层）开发进展顺利，可能再次跳过284层。

美光：

结构转换：美光在128层时将FG CuA结构改为CTF CuA集成，随后领先竞争对手推出了176层和232层产品。
未来规划：美光正在开发类似三星280层的Gen7（2yy层，小于300层）。美光有可能直接跨入400层产品，而不经过300层，美光的计划可能发生变化。

SK海力士/Solidigm：

Solidigm 144L QLC NAND由三层结构（每层48层）组成，已发布并分析了192L QLC设备，下一步将是230层QLC产品。
SK海力士继续采用4D PUC结构，V7 176层产品将在2024年持续供应，而238层V8 4D PUC产品将很快广泛应用于市场。去年已宣布321层V9 4D PUC样品，下一个节点可能为3yy层（如370层或380层），位于400层以下。

长江存储：

Xtacking结构：长江存储采用双晶圆混合键合的Xtacking结构，跳过了176层，直接进入232层。在开发232层之前，长江存储内部曾有过192层和198层样品，但最终选择了直接过渡到232层。
下一代G5产品将拥有超过300层，并采用Xtacking 4技术。由于受到美国芯片禁令影响，长江存储可能将更多精力转向已发布的128L和232L QLC设备，并为未来3D NAND开发多Xtacking技术。同时，长江存储正对包括美光在内的NAND竞争对手提起专利诉讼。

旺宏：