3300V碳化硅MOS国产化助力特种电源

3300V碳化硅MOS器件承受更高的击穿电压，有更低的电阻率，工作温度更高。
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更能胜任在特别需要更高耐压以及雪崩等级的工业领域的设计要求,对要求高频的应用更是不二选择。
SiC MOSFET作为第三代功率半导体器件，以其阻断电压高、工作频率高，耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点成为当前最具市场前景的半导体产品之一，正广泛应用于新能源汽车，光伏逆变器，储能电源，轨道交通、牵引变频器，大功率特种电源等领域。

碳化硅MOS特性及驱动设计https://pan.baidu.com/s/1OYbIcJ9obJycIaC2noEb4A 提取码5gip