DDR/HBM寻址与地址交织

在理解HBM的时候，我们把HBM的一层die就看作单颗DDR chip(单die)，HBM的stack(整个HBM多die封装)的每一层die就看成是一个DDR颗粒，多个DDR颗粒可以组成bank group，rank，DIMM，channel。对于HBM来说没有rank DIMM的概念，但是有channel的区分，HBM内部的多层die和bank可以组成不同的channel【HBM里面的channel可能不是由完整的层组成，比如HBM3有12层，但是有64个channel，每个channel有16bit】。所以下文中用到的ddr单die就可以理解为DDR颗粒或者是HBM的单层。

对于单个DDR颗粒来说容量和带宽都有限，如果只需要增加容量，我们可以像增加SRAM的深度一样将多个DDR颗粒串联起来进行片选的方式。而增加带宽或者说增加位宽就需要多个DDR颗粒的并行读写。并行读写在DDR中有rank DIMM channel等不同级别的并行。

这里串联起来可以看作是用地址最高位做片选，并行读写可以认为是多片乒乓读写【也即使用地址低位片选，换个概念就是地址交织粒度】或者多片同时读写【不用片选，共用所有地址】

目前来看channel是和ddr/hbm的控制器是一一对应的。

有多bank流水读写和bank交织的概念。因为bank每次开关页时间较长，为了提高效率就用到了多bank流水读写，可以让输出数据是连续的。那么这样就需要有bank的交织。

为了提高DDR/HBM的读写效率 会有不同级别的地址交织的概念。bank，rank，dimm和channel。channel间的交织一般都是在系统总线层面来做，这个是可以配置改变的。对于bank，rank，dimm级别的交织ÿ