《炬丰科技-半导体工艺》用于MEMS谐振器的氮化铝蚀刻工艺

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：用于MEMS谐振器的氮化铝蚀刻工艺
编号：JFHL-21-1025
作者：炬丰科技

引言

氮化铝(AlN)是一种ⅲ-ⅴ族化合物半导体材料。优异的机电性能使其适用于微机电系统谐振器。薄膜体声波谐振器(FBAR)被广泛研究和使用。压电氮化铝微机电系统谐振器具有“三明治”结构:底部电极层，氮化铝层和顶部电极层。这些类型谐振器的衬底通常是硅。在制造过程中，氮化铝的蚀刻是一个关键的过程。蚀刻结果将强烈影响性能参数，例如谐振频率和品质因数。最近，电感耦合等离子体(ICP)蚀刻工艺被广泛用于氮化铝蚀刻工艺。但在此过程中仍存在侧壁角度差、微切效应和底部粗糙等问题。
本文主要研究氮化铝的刻蚀工艺。采用了等离子体刻蚀技术。本方法展示一些主要的刻蚀工艺参数。蚀刻结果通过蚀刻速率、选择性、侧壁角度、底部表面粗糙度和微压痕来表征。

实验

本方法的刻蚀样品为多晶氮化铝薄膜，厚度为450纳米，晶体取向为(002)。用x光衍射测得的半峰全宽(FWHM)为1.7，用原子力显微镜测得的粗糙度均方根为3.2纳米。通过扫描电子显微镜(SEM)测量的晶粒尺寸值约为50纳米。使用厚度为1微米的二氧化硅硬掩模。在本文中，选择性是氮化铝与二氧化硅的蚀刻速率比。氯基气体通常用于氮化铝的蚀刻过程。蚀刻产物是一系列铝氯挥发性化合物，如三氯化铝、二氯化铝和其他铝氯化合物。本方法采用单变量法。这意味着每个配方中只有一个参数被改变，而其他参数是固定的。结果用扫描电镜和原子力显微镜测量。

结果和讨论

图1显示了作为Cl2流速函数的蚀刻速率和选择性。蚀刻速率随着Cl2流速的增加而增加。当Cl2流速为20 sccm时，蚀刻速率值为47 nm/min，而当Cl2流速为40 sccm时，它增加到110 nm/min。在其他工艺参数不变的情况下，Cl原子和离子的浓度会随着Cl2流量的增加而增加。结果&#x