《炬丰科技-半导体工艺》 碳化硅大功率高频电子器件上的薄氮化镓

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章： 碳化硅大功率高频电子器件上的薄氮化镓
编号：JFKJ-21-1162
作者：华林科纳

在碳化硅(SiC)上开发了更薄的III族氮化物结构，以期实现高功率和高性能高频薄高电子迁移率晶体管和其他器件。新结构使用高质量的60纳米无晶界氮化铝成核层来避免大面积的扩展缺陷，而不是1-2米厚的氮化镓缓冲层(图1)。成核层允许在0.2 m内生长高质量的氮化镓。

图1 使用(a)常规和(b)低TBR氮化铝成核在氮化镓/氮化铝/碳化硅界面沿[112–0]方向的横截面透射电子显微图像。氮化镓/低TBR氮化铝纳米线/碳化硅的高倍放大图像。氮化镓/低TBR氮化铝纳米线界面的高分辨率图像。(e)低TBR氮化铝纳米线/碳化硅界面的高分辨率图像。比例尺在(a)和(b)中为100纳米。
通常较厚的缓冲层用于过渡和减少由氮化镓和碳化硅之间3.5%的晶格失配引起的缺陷——对于蓝宝石和硅等其他衬底，失配要高得多。这些厚层给高功率和高频器件带来了问题。这些层通常掺杂碳或铁以增加电阻，目的是限制电流流向沟道区，避免寄生传导的泄漏效应。掺杂会产生电荷俘获状态，从而对电流等性能产生负面影响在射频操作中崩溃。
更薄的器件还应该具有更低的热阻，从而改善热管理。在GaN/AlN/SiC界面产生的空隙和位错等结构缺陷引入了热边界电阻(TBR)，导致HEMTs中的沟道温度额外上升30–40%。
所需昂贵材料的减少是这项工作的另一个吸引力。包括前体和气体在内的原材料将减少90%，同时由于所需的生长时间减少，加工成本也将降低。
新的氮化铝成核过程避免了通常的晶粒状形态，这种形态往往会导致柱状生长，缺陷会被