影响cell delay的因素主要有:工艺,电压和温度三种(PVT)
由此产生各种corner:
wc:worst case slow,低电压,高温度,慢工艺 -> 一般情况下delay最大,setup 差。
wcl:worst case low-temperature,低电压,低温度,慢工艺 -> 温度反转效应时delay最大,setup差。
lt:即low-temperature,也叫bc(best case fast),高电压,低温度,快工艺 -> 一般情况下delay最小,hold差。
ml:max-leakage,高电压,高温度,快工艺 。温度反转效应下delay最小,hold差。
tc:typical,也叫tt,普通电压,普通温度,标准工艺 -> 各种typical。
这里的快、慢和标准工艺指manufacture时的N/PFET的驱动电流值,min对应慢工艺,max对应快工艺。
温度反转就是指在深亚微米的工艺下,有可能出现在低温时cell delay反向变化的情况。
详情参见:(9条消息) 【芯片设计】温度对阈值电压的影响?温度翻转效应发生的原因?_芯片后端工程师-ratel的博客-CSDN博客
具体到corner里,就是wcl的跑出来setup结果比wc的还差,相应ml的hold结果比lt的更差。所以一般signoff标准就要包括wcl和ml,也就是考虑了温度反转的情况