【JESD79-5之】4 DDR5 SDRAM命令描述和操作-27(VrefCS training specfication)

4.27 VrefCS训练规范

DRAM内部VrefCS的规格参数包括电压工作范围、步进大小、VrefCS设置容差、VrefCS步进时间和Vref有效电平。
电压工作范围指定了DDR5 DRAM设备所需的最小VrefCS设置范围。最小范围由VrefCSmax和VrefCSmin定义，如图100所示。

VrefCS的步进大小定义为相邻步骤之间的步进大小。对于给定的设计，DRAM的VrefCS步进大小必须在指定范围内。
VrefCS设置容差是VrefCS电压与理想设置之间的变化。这考虑到了多个步骤中累积的误差。VrefCS设置容差的不确定性有两个范围，这个范围是步数n的函数。

VrefCS设置容差是相对于理想线来测量的，该理想线基于两个端点，其中端点是指定范围内VrefCS值的最小值和最大值。图101提供了步进大小和VrefCS设置容差的示例描述。

VrefCS增加/减少步进时间由VrefCS_time定义。VrefCS_time被定义为从t0到t1的时间，如图95所示，其中t1参考的是VrefCS电压在VrefCS有效容差范围内达到最终的直流电平的时刻。

VrefCS有效电平由VrefCS_val容差定义，用于确定步进时间t1是否符合要求，如图102所示。该参数用于确保在任何VrefCS增加/减少调整后，电压水平变化具有足够的RC时间常数行为。此参数仅适用于DRAM组件级别的验证/表征。
t0 - 参考VrefCS命令时钟
t1 - 参考VrefCS_val容差

VrefCS命令用于将VREF值存储到VREF CS MR12中。该模式寄存器仅通过命令进行编程，但可以通过普通的MRR进行读取。

表337包含将在组件级别进行特性化以符合要求的CS内部vref规格。组件级别的特性化方法尚未确定。

注意事项1：VrefCS直流电压参考VDDQ_DC。
注意事项2：VrefCS步进大小的增加/减少范围。VrefCS处于直流电平。
注意事项3：VrefCS_new = VrefCS_old + n*VrefCS_step；n为步数；如果是增加，使用"+"；如果是减少，使用"-"。
注意事项4：VrefCA设置容差的最小值 = VrefCS_new - 1.625%*VDDQ。VrefCS设置容差的最大值 = VrefCS_new + 1.625%*VDDQ。对于n>4。
注意事项5：VrefCS设置容差的最小值 = VrefCS_new - 0.15%*VDDQ。VrefCS设置容差的最大值 = VrefCS_new + 0.15%*VDDQ。对于n<4。
注意事项6：通过记录VrefCS输出在范围内的最小值和最大值，绘制连接这些点的直线，并将所有其他VrefCS输出设置与该直线进行比较来进行测量。
注意事项7：通过记录4个连续步骤（n=4）中VrefCS输出的最小值和最大值，绘制连接这些点的直线，并将所有其他VrefCS输出设置与该直线进行比较来进行测量。
注意事项8：从MPC（应用VREFCA、VREFCS、RTT_CK/CS/CA）命令到增加或减少的时间。
注意事项9：仅适用于DRAM组件级别的测试/特性化目的。不适用于正常操作模式。VrefCS有效用于确定将在组件级别进行特性化的步进时间。