BJT的I-V特性曲线

1. 共射极连接

(1) 输入特性

$$i_B=f(v_{BE}){|}_{v_{CE}=常数}$$

$v_{BE}$逐渐增大，发射结正偏，导通，产生较大电流。
$v_{CE}$逐渐增大，使集电结从正偏到反偏，收集电子能力增强，夺走了本来$i_B$的电流，$i_B$减小。
当$v_{CE}$增大到一定程度，收集电子的能力增加很小，对$i_B$影响也渐小。所以认为$v_{CE}$>1V时的曲线重合。

(2) 输出特性

• 放大区
  发射结正偏，集电结反偏。发射结产生的载流子越多，$i_C$越大。

• 饱和区
  发射结正偏，集电极正偏。收集载流子能力小，即使$i_B$增加，$i_C$也增加不多。

• 截止区
  发射结反偏。反射出来的电子很少，无论集电结如何变化，都不会产生电流。

2. 共基极连接

(1) 输入特性

(2) 输出特性

3. 共集电极

(1) 输入特性

(2) 输出特性

4. 温度对特性曲线的影响

(1) 对输入特性

(2) 对输出特性