DDR分享之LPDDR5X:4初始化和训练-4.2训练-1

4 LPDDR5X:初始化和训练

4.1 上电、初始化和下电流程

4.1节内容见本账号其他文章。

4.2 训练

4.2.1 ZQ校准

有2种校准模式:后台校准或者命令式校准。在background calibration模式下,输出驱动器和CA/DQ ODT阻抗的校准发生在设备操作的后台中,且该过程跨工艺、温度和电压,并设计成在单个封装内消除多通道(即允许通道独立)的协调需求。系统也可以选择基于命令的校准模式,该操作方式类似于LPDDR4设备,通过将MR28 OP[5]设置成1选择基于命令的校准模式。

当LPDDR5的电压、温度随着系统环境变化而改变时,可能需要重新校准ZQ。只有当VDDQ电压设置成标称的0.5v或以上时(即当DVFSQ未激活时),才可以执行ZQ校准。在后台校准模式下,当VDDQ被设置成标称DC电平低于0.5v或当VDDQ处在多个电平间转换的状态时(即,当DVFSQ激活时),内存控制器应该通过设置ZQ Stop来停止ZQ校准。在Command-Based mode下,当DVFSQ激活时,除非设置了ZQ Stop,否则ZQCal Start命令是非法的。详细内容见4.2.1.2节。

改变CA ODT值(MR11-OP[6:4])、DQ ODT值(MR1-OP[2:0])不会改变现有的校准方案,因此不需要立即重新校准。

4.2.1.1 在上电和初始化期间的校准

如图13所示(图在之前文章里),所有的LP

本文是作者在华为工作期间写的一篇对DDR3全面的总结,当时有好几年经常接触DDR3的设计与测试,期间总结了大量的知识点,于是业余时间汇总起来写成本文,因为DDR3属于业界通用的器件,其中知识也不涉及到公司秘密,所以分享出来供大家参考。 文章摘要: DDR,在PC、手机、通信设备等产品中广泛应用。而随着技术发展以及用户需求提高,内存不断升级,从SDRAM, DDR, DDR2、再到DDR3,现在DDR4也开始大规模应用。其特点就是速率、容量不断提高,而且性能、功耗方面也不断优化。内存技术是很多软件、硬件、逻辑、测试工程师们关注的重点。但由于其复杂程度较高,同时,英文资料复杂,理解困难,而中文资料能较全面详细描述DDR3的文献匾乏、零散。记得刚接触DDR3时真是一头雾水,一直在其表面徘徊很久。身边小伙伴也是同感。 作者所从事的硬件领域常常接触DDR,在这方面有一些难忘的经历,期间也积累了一些知识。出于经验传承的目的,特写下本文。内存已经历多代,但很多知识是相通的,本文拿当前主流的DDR3作为重点去讲解。出于能力水平及篇幅原因,本文未能周全深入描述DDR3所有特性或者某些地方存在错误,还望读者谅解指正。同时,本书在一些地方引用了其他文献中的图文,会在相应地方加以说明。在此,衷心希望本文能给能给想了解DDR3技术的同学提供帮助。 本文分为以下八章内容: 第一章 DDR3基础 第二章 DDR硬件设计 第三章 DDR3几个关键技术 第四章DDR3工作流程、参数详解 第五章 DDR3训练 第六章 DDR3信号完整性测试 第七章 DDR3问题案例 第八章 SDRAM、DDRDDR2DDR3、DDR4对比
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