统一电荷控制模型与异质结场效应晶体管中的亚阈值电流

来源：Unified Charge Control Model and Subthreshold Current in Heterostructure Field-Effect Transistors（EDL 90年）

摘要

一种新的统一分析电荷控制模型被开发出来，用以涵盖异质结场效应晶体管（HFET）中从低于到高于阈值的全部栅极电压范围。该模型基于对二维（2-D）电子气量子化能级的新阐释建立。在低表面电场的极限条件下，该模型可简化为传统的电荷层模型。该模型被用来解释HFET亚阈值区的实验数据，结果显示在非故意掺杂的GaAs缓冲层经过器件制造工艺后，有效受主浓度发生了广泛的变化。

文章的研究内容

文章提出了一种新的统一分析电荷控制模型，该模型能够覆盖从低于阈值到高于阈值的整个栅极电压范围，适用于异质结场效应晶体管（HFET）。这个模型基于对二维电子气体在异质结界面上能量级的全新理解，当表面电场较弱时，它可以退化为经典的电荷薄片模型。模型被应用于解读HFET的亚阈值区特性数据，结果显示，在器件制造过程中，无意掺杂的GaAs缓冲层中的有效受主浓度有较大范围的变化。

文章还讨论了亚阈值区域的重要性，特别是在超大规模集成电路（VLSI）应用中，该区域对于诸如体掺杂密度、阈值电压、短沟道效应、噪声容限以及因界面陷阱导致的器件性能退化等参数的评估至关重要。通过该模型，研究者能够从实验数据中估算出无意掺杂GaAs层中的受主浓度，并认为该模型同样适用于硅（Si）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。

文章最后提到，研究团队对B. Daniels博士提供的样本表示感谢，暗示了实验数据的来源及合作情况。参考文献部分则列举了多篇相关研究工作，这些文献涵盖了从电子迁移率、异质结构场效应晶体管的电流-电压特性、MOSFET的设计与模拟、电子能级、二维电子气体理论、应力对半导体特性的影响、以及异质结量子阱的分析模型等方面，显示了该研究领域的广度和深度。

文章的研究方法

文章采用了一种新的统一电荷控制模型，该模型能够全面覆盖异质结场效应晶体管（HFET）的栅极电压范围，包括阈值以下和阈值以上。模型的基础是对二维电子气在AlGaAs/GaAs异质结界面处能量级别的新解释，这与量子力学自洽计算结果及实验数据高度吻合。在低表面电场极限下，该模型可简化为传统的电荷片模型。

研究中，这一模型被用来分析HFET的亚阈值区域特性，这是超大规模集成电路（VLSI）应用中的关键区域，因为它与许多重要参数如体掺杂密度、阈值电压、短沟道效应、噪声裕度以及由界面陷阱引起的器件性能退化紧密相关。通过模型的应用，研究者能够从实验数据中推断出在无意掺杂的GaAs缓冲层中，器件制造处理后有效受主浓度的大幅波动。

为了验证模型的有效性，研究者进行了实验测量，展示了在室温（300 K）下，厚度为600 Å的AlGaAs层的HFET的亚阈值I-V特性，其中阈值电压大约为-0.3 V。实验观察到在较宽的栅极电压范围内，亚阈值斜率保持恒定在84 mV/十倍。此外，通过模型和实验数据，研究者推算了衬底掺杂浓度（N_a），并注意到所得数值比一般预期的未掺杂缓冲层掺杂浓度（约10¹⁵ cm^-3）要高很多。研究者推测，这可能是由于加工过程中基板中杂质浓度的意外增加。

此外，研究中通过分析门电压在AlGaAs电荷控制层与耗尽区之间的分配，得到了理想因子γ的表达式（方程7），并利用此来准确确定了基板厚度d（对于非凹槽门器件，d值可通过MBE生长过程准确获知；而对于凹槽栅器件，则需通过C-V测量或拟合I-V特性来确定）。研究结果表明，即使在低掺杂水平下（<10¹⁶ cm^-3），模型仍能提供对N_a的有效值上限的可靠评估。

综上，该研究结合了理论分析、数值计算和实验验证，开发了一个强大的工具，用于理解和预测HFET的亚阈值行为，并且可能推广到Si MOSFET中使用。模型的提出有助于优化器件设计，提升VLSI系统的性能和可靠性。

文章的创新点

文章的创新点在于开发了一种全新的统一分析模型，该模型能够全面描述从阈值以下至阈值以上所有栅极电压范围内的电荷控制行为，特别适用于异质结场效应晶体管（HFET）。这一模型的创新之处在于对二维电子气（2-D）在AlGaAs/GaAs异质结界面上能量级别的新颖解释，该解释与量子力学自洽计算及实验数据高度一致。在低表面电场极限下，该模型能够简化为经典的电荷薄片模型，便于理解和应用。

该模型的重要应用之一在于深入解析HFET的亚阈值区特性，这是一个对超大规模集成电路（VLSI）应用至关重要的区域，因为它影响着器件的一系列关键参数，如整体掺杂密度、阈值电压、短沟道效应、噪声余量以及由界面陷阱导致的性能劣化等。研究团队利用该模型对实验数据进行了分析，发现无意掺杂的GaAs缓冲层在器件制备过程中有效受主浓度出现大幅度变化，这一发现揭示了工艺对材料性质的潜在影响。

此外，该模型还展现出一定的通用性，预计也能适用于硅（Si）金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）的分析，这拓宽了其适用范围和影响力。文章中提及的模型建立和应用，不仅加深了对异质结构器件物理的理解，也为优化器件设计、提高集成度和性能提供了理论支撑，具有显著的理论和实践价值。

文章的结论

文章的创新点在于开发了一种全新的统一分析模型，该模型能够全面描述从阈值以下至阈值以上所有栅极电压范围内的电荷控制行为，特别适用于异质结场效应晶体管（HFET）。这一模型的创新之处在于对二维电子气（2-D）在AlGaAs/GaAs异质结界面上能量级别的新颖解释，该解释与量子力学自洽计算及实验数据高度一致。在低表面电场极限下，该模型能够简化为经典的电荷薄片模型，便于理解和应用。

该模型的重要应用之一在于深入解析HFET的亚阈值区特性，这是一个对超大规模集成电路（VLSI）应用至关重要的区域，因为它影响着器件的一系列关键参数，如整体掺杂密度、阈值电压、短沟道效应、噪声余量以及由界面陷阱导致的性能劣化等。研究团队利用该模型对实验数据进行了分析，发现无意掺杂的GaAs缓冲层在器件制备过程中有效受主浓度出现大幅度变化，这一发现揭示了工艺对材料性质的潜在影响。

此外，该模型还展现出一定的通用性，预计也能适用于硅（Si）金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）的分析，这拓宽了其适用范围和影响力。文章中提及的模型建立和应用，不仅加深了对异质结构器件物理的理解，也为优化器件设计、提高集成度和性能提供了理论支撑，具有显著的理论和实践价值。