基于物理的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的紧凑直流和交流模型

来源：A Physics-Based Compact Direct-Current and Alternating-Current Model for AlGaN/GaN High Electron obility Transistors（中国物理快报 07年）

摘要

一套针对 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的直流和小信号特性的分析模型被提出。改进了转移电子迁移率模型并开发了一种现象学低场迁移率模型。我们计算了通道电荷，考虑了施主的耗尽和 AlGaN 层中自由电子的贡献。栅源极和栅漏极电容是通过分析获得的，并预测了截止频率。这些模型首次被实现到 HSPICE 模拟器中，用于直流、交流和小信号仿真，并通过实验数据进行了验证。设计并通过 HSPICE 模拟了一个高效的 E 类 GaN HEMT 功率放大器，以验证我们模型的适用性。

文章的研究内容

这项研究工作主要围绕GaN高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)器件展开,研究了其DC和小信号特性的分析模型。具体包括:

1. 提出了改进的转移电子迁移率模型和基于物理现象的低场迁移率模型,用于描述GaN HEMT的电学特性。
2. 计算了考虑施主中性化和AlGaN层自由电子的沟道电荷分布。
3. 解析地计算了栅极-源极和栅极-漏极电容,并预测了器件的截止频率。
4. 将所建立的模型实现到HSPICE模拟器中,并通过实验数据进行验