氮化镓垂直单极器件的击穿电压与特定导通电阻解析模型

来源：Analytical Models of Breakdown Voltage and Specific On-Resistance for Vertical GaN Unipolar Devices（IEEE Access 19年）

摘要

本文提出了垂直氮化镓单极器件的击穿电压设计参数与最小比导通电阻的解析模型。考虑到以往文献中基于蒙特卡洛仿真和实验所得的碰撞电离系数（IIC）之间存在的差异，本文展示了氮化镓器件在穿通和非穿通条件下的雪崩击穿的解析模型，即击穿电压、漂移区掺杂浓度、漂移厚度与临界电场之间的关系，该模型与数值仿真结果显示出高度的准确性。与已报道的实验结果比较表明，来自Baliga的IIC数据具有相对更高的准确性。考虑到GaN中掺杂杂质的不完全电离情况，本文还给出了比导通电阻与击穿电压之间的权衡，证明了优化的穿通设计具有最小的比导通电阻，当击穿电压从1kV提高到15kV时，比导通电阻可减少高达12%。同时，相应的漂移区厚度可减少18%至20%，这将大幅降低外延生长的制造成本。提出的优化关系与MEDICI仿真结果相符。

索引词：氮化镓器件，击穿电压，最小比导通电阻，解析模型。

文章的研究内容

该研究论文主要探讨了垂直氮化镓（GaN）单极器件中击穿电压设计参数与最小比导通电阻的解析模型。研究团队考虑到了之前文献中报道的碰撞电离系数（IIC）在蒙特卡洛模拟与实验间存在差异的问题，因此提出了氮化镓器件在穿通（punch-through）和非穿通条件下雪崩击穿的解析模型，揭示了击穿电压、漂移区掺杂浓度、漂移厚度与临界电场之间的关系。这些模型与数值模拟结果高度吻合，与实验数据的比较进一步证实了Baliga数据集在IIC方面的较高准确性。

研究还考虑了氮化镓中掺杂原子不完全电离的实际情况，探讨了比导通电阻与击穿电压间的折衷关系。结果显示，优化的穿通设计可实现最小的比导通电阻，对于1kV至15kV的击穿电压范围内，比导通电阻可降低最多达12%，同时，漂移层厚度可减少18%至20%，显著降低了外延生长成本。所提出的优化关系与MEDICI模拟结果相符。

研究中，他们提出了一种模型，它在考虑了穿通与非穿通条件下的氮化镓器件雪崩击穿，模型准确关联了击穿电压、漂移区掺杂浓度、漂移厚度和临界电场。通过数值模拟验证了模型的准确度，并与实验数据对比，发现Baliga的IIC数据与实验结果更为吻合。模型考虑了不完全电离化杂质的影响，揭示了比导通电阻与击穿电压的折衷设计，指出优化的穿通设计能降低最高12%的比导通电阻，当击穿电压从1kV到15kV时，同时漂移层厚度可减少18%至20%，有利于降低成本。提议的优化关系与MEDICI模拟结果相符。未来，将进一步研究温度对击穿电压和比导通电阻的影响。

文章的研究方法

文章采用的研究方法主要分为以下几个关键步骤：

1. 文献回顾与数据比较：研究者首先比较了不同文献中报道的氮化镓（GaN）材料的碰撞电离化系数（IIC），包括蒙特卡洛模拟结果与实验数据。特别地，他们指出Baliga的IIC数据与模拟及实验结果的击穿电压有极好的匹配度。

2. 数值计算与模拟验证：通过MATLABVIEW模拟软件对四种不同IIC进行数值计算，模拟了击穿电压，并与TCAD模拟结果及实验数据进行对比，以验证不同IIC的准确性。在此过程中，研究者还修正了文献中的一些数据错误，并指出某些数据不推荐使用。

3. 设计参数优化：考虑了穿通（PT）和非穿通（NPT）条件下的设计参数，研究者通过数值计算和拟合得到优化的漂移区掺杂浓度（N）和厚度（W）与击穿电压（BV）的关系。对于PT条件，提出了最小比导通电阻（Ron,pt(opt)的理论极限，并给出了优化设计参数表达式。

4. 不完全电离化效应考量：在设计中，还考虑了GaN中掺杂原子不完全电离化的影响，这对比导通电阻和击穿电压的权衡有重要影响。

5. 结果分析：对比实验与模拟数据，分析了不同IIC的准确度，验证了Baliga数据的准确性。同时，对于优化PT设计，得出了比导通电阻可降低高达12%，击穿电压从1kV到15kV时，漂移厚度可减少18%到20%。

6. 未来展望：研究者计划进一步探索温度对击穿电压和比导通电阻的影响，为GaN器件的发展提供更全面的指导。

整体上，该研究结合了理论计算、数值模拟和实验验证，以及对现有文献数据的综合分析，旨在为GaN单极器件的优化设计提供一套准确、高效的设计方法，尤其是针对击穿电压和比导通电阻的平衡优化。

文章的创新点

文章的创新点主要体现在以下几个方面：

1. 击穿电压设计参数的即时验证：该工作直接验证了不同碰撞电离系数(IIC)在击穿电压(BV)中的适用性，通过与Baliga的数据对比实验结果，展示了较高的准确性。这有助于快速验证新材料或模拟数据的IIC是否可靠。

2. 设计参数优化：考虑到GaN中掺杂不完全电离的效应，文章提出了一种优化设计参数的方法，用于在给定击穿电压下获得最小比导通电阻(Ron,sp)。优化后的PT设计比常规设计可使比导通电阻减少最多12%，同时在1kV到15kV的击穿电压范围内，漂移层厚度减少18%到20%，降低了外延成本。

3. 综合分析与模型提出：文章不仅提供了基于不同IIC的击穿电压数值计算、TCAD模拟和实验对比，还综合了不同来源的IIC数据，包括Oguzman、Chen & Wang、Baliga以及Cao等人的实验和模拟结果。这种综合分析有助于更全面理解GaN器件的雪崩击穿机制。

4. 解析模型的实用性：提出的解析模型，尤其是针对优化PT条件下的最小比导通电阻设计参数，与MEDICI模拟结果一致，为设计者提供了实用的指导。模型通过解析表达式(4a)和(4b)明确定了N-W关系，便于理论与实践应用。

5. 未来导向：文章末尾声言，未来将考虑温度对击穿电压和比导通电阻的影响，进一步完善模型，这预示了研究的持续创新方向，对GaN器件的发展有长远意义。

综上所述，文章在GaN单极器件的击穿电压设计和最小比导通电阻优化方面提供了新颖的分析方法，提高了设计的精度和效率，降低了成本，同时为新材料和设计优化指明了方向。

文章的结论

文章《氮化镓单极器件的击穿电压与特定导通电阻的解析模型》通过详尽分析与实验验证，得出了多项关键结论。首先，文章对比了不同文献中提及的氮化镓材料的碰撞电离系数，发现Baliga的数据与仿真及实验中击穿电压的匹配度最高，从而确认了其IIC数据的准确性。其次，文章针对非穿通(NPT)和穿通(PT)两种条件，对设计参数进行了深入探讨，特别强调了在考虑不完全电离化杂质效应后，优化PT设计能实现的最小比导通电阻，且在1kV到15kV击穿电压范围内，比导通电阻可减少高达12%，漂移层厚度减少18%至20%，这对降低外延生长成本至关重要。此外，文中提出的设计参数通过精确计算和优化，不仅与Chynoweth模型的仿真结果高度一致，还与实际数据相符，验证了方法的有效性。最后，文章总结出的最小比导通电阻设计参数不仅优于其他材料如硅(SiC和硅)，而且为GaN、SiC和硅在1至15kV击穿电压范围内的比导通电阻提供了更准确的“材料限制”表达式。综上，本研究不仅推进了氮化镓单极器件设计的理论基础，而且为实际器件性能优化提供了切实可行的路径。