半导体材料 MOOC学习记录 第八章 硅单晶的掺杂和缺陷

第八章 硅单晶的掺杂和缺陷

1

单选(1分)

​以下对于重掺磷技术的难点描述错误的是

‌得分/总分

• A.

  高浓度磷掺入的微缺陷难以准确显示

• B.

  易挥发，高浓度磷原子不能掺入硅熔体

• C.

  高浓度磷容易造成组分过冷，导致多晶

• D.

  磷的分凝系数过高，导致轴向掺杂不均匀

  1.00/1.00

正确答案：D你选对了

2

单选(1分)

‍以下对于直拉硅晶体中的氧杂质描述错误的是

‎得分/总分

• A.

  主要来源于坩埚的污染

• B.

  对于硅晶体而言完全是有害杂质，需要去除

  1.00/1.00

• C.

  是直拉硅中浓度最高的杂质

• D.

  过饱和会形成氧沉淀，影响硅晶体的电学性质

正确答案：B你选对了

3

单选(1分)

‌以下对于直拉硅晶体中的碳杂质描述错误的是

‌得分/总分

• A.

  在机械性质上对硅晶体有益

  1.00/1.00

• B.

  会促进氧沉淀的形成

• C.

  在现在的制造技术中浓度一般小于10的16次方每立方厘米

• D.

  一般处于替位态

正确答案：A你选对了

4

判断(1分)

‎直拉硅晶体过程中会引入各种杂质，有些杂质对材料有害，有些杂质对材料有益。

‍得分/总分

• A.

  1.00/1.00

• B.

正确答案：A你选对了

5

判断(1分)

‎直拉晶体的掺杂技术有共熔法和投杂法。

​得分/总分

• A.

• B.

  1.00/1.00

正确答案：B你选对了

6

判断(1分)

‏直拉硅晶体中的氢杂质一般是故意引入，一般没有电学性质

‌得分/总分

• A.

  1.00/1.00

• B.

正确答案：A你选对了

7

判断(1分)

​氢可以钝化硅晶体中的氧沉淀、位错和金属杂质

‌得分/总分

• A.

  1.00/1.00

• B.

正确答案：A你选对了

8

判断(1分)

​直拉硅中的金属杂质必须避免，它们扩散很快，可以形成复合体或者沉淀，对于硅晶体的电学性质有严重的危害。

‍得分/总分

• A.

• B.

  1.00/1.00

正确答案：B你选对了