半导体材料 MOOC学习记录 第四章 元素半导体硅的基本性质

第四章 元素半导体硅的基本性质

1

单选(1分)

​以下与硅单晶的晶体结构相同的晶体有

​得分/总分

• A.

  硫化锌

• B.

  硒化汞

• C.

  锗单晶

  1.00/1.00

• D.

  氯化钠

正确答案：C你选对了

2

单选(1分)

​以下对于硅材料的性质的描述正确的是

​得分/总分

• A.

  本征硅的热导率随着温度的增加而增加。

• B.

  硅是脆性材料，可加工性差

  1.00/1.00

• C.

  高纯硅可以吸收红外光

• D.

  硅材料是直接带隙，可以做发光管和激光器

正确答案：B你选对了

3

单选(1分)

​以下对于硅的化学性质描述正确的是

‌得分/总分

• A.

  硅溶于王水

• B.

  硅对于大多数的酸是稳定的

  1.00/1.00

• C.

  硅不和碱反应

• D.

  硅在高温下也很稳定，不与大部分物质发生反应

正确答案：B你选对了

4

多选(1分)

‎以下对于硅材料特性的描述正确的是

‌得分/总分

• A.

  器件工作温度高（达250℃）

  0.50/1.00

• B.

  电子迁移率高，高频性能好

• C.

  容易形成结构高度稳定的绝缘层

  0.50/1.00

• D.

  发光效率高

正确答案：A、C你选对了

5

多选(1分)

‍形成P型硅的掺杂剂是

‍得分/总分

• A.

  铝

  0.50/1.00

• B.

  硼

  0.50/1.00

• C.

  砷

• D.

  锑

正确答案：A、B你选对了

6

判断(1分)

‏硅晶体的最密排面是{111}面，第一解离面是{110}面。

‏得分/总分

• A.

• B.

  1.00/1.00

正确答案：B你选对了

解析：第一解离面是{111}面

7

判断(1分)

‌硅材料本身是没有电活性的，可以通过掺杂杂质原子降低电阻率。

‍得分/总分

• A.

• B.

  1.00/1.00

正确答案：B你选对了

8

判断(1分)

‎硅晶体掺杂的杂质在室温下可认为全部电离，电阻率与掺杂浓度呈反比关系。

‍得分/总分

• A.

• B.

  1.00/1.00

正确答案：B你选对了

解析：重掺（>10^16 cm^-3) 杂质室温下无法全部电离.