virtuoso IC5141 实验二 共源极放大器设计（res-load & pmos diode connected load）

一、实验目的

        1.熟悉Candence IC514软件，学会绘制原理图，使用ADE工具辅助设计的方法。

        2.学会使用ADE仿真环境对电路进行DC，AC，Trans仿真，查看放大电路的各项参数。

        3.学会使用ADE仿真环境对设计参数进行扫描，依据具体指标做出设计。

二、实验环境

        集成电路设计实验室；Red Hat Enterprise linux5、Cadence IC Design Tools 5.10.41

三、实验原理

1.共源极放大器种类：

图1 共源级放大器种类图

2.单极点系统的幅频特性和相频特性：

图2 单极点系统的幅频特性和相频特性

3.res做负载的共源极，电路详解：

图3 res负载的共源级电路详解

4.pmos二极管连接做负载的共源极，电路详解：

图4 pmos二极管连接做负载的共源极

四、实验步骤

1.新建“cell view”,放置元器件，绘制schematic

图5 新建cell view	图6 在图形界面中添加器件
图7 依次添加器件并连接完成	图8 依次添加器件并连接

2.【实验一】设计负载为电阻的共源极放大器

      （0）schematic

图9 负载为电阻的共源极放大器

      （1）dc仿真得输入输出曲线

图10 原理图变量设置	图11 导入csmc05仿真模型库(opt.为tt)
图12 添加变量并设置初值	图13 配置DC仿真参数（范围0-5）
图14 添加输出观察点	图15 仿真得到Vin-Vout曲线

      （2）扫描负载电阻选最大增益负载值和直流工作点

图16 将负载设置为变量	图17 导入变量并设置初值
图18 对负载参数进行扫描（一）	图19对负载参数进行扫描（二）

【备注】：选择负载为100K，偏置点DC=1.05V。

      （3）ac仿真得幅频特性曲线

图20 修改cellview(记得check and save)

图21 配置AC仿真环境

图22 查看放大倍数

图23 输出幅频和相频特性曲线

      （4）trans查看输出波形

图24 修改cellview	图25 添加观测点
图26 配置trans瞬态仿真	图27 查看瞬态仿真结果

3.【实验二】设计负载为二极管连接的共源极放大器

      （0）schematic

图28 负载为PMOS二极管连接的共源极

      （1）dc仿真得输入输出曲线

图29 修改原理图	图30 导入参数并设置参数初值
图31 插入观测点	图32 配置dc仿真环境

图33 开启仿真

图34仿真得到Vin-Vout曲线

      （2）扫描负载MOS栅宽W选最大增益负载值和直流工作点

图35 设置栅宽w为变量	图36 导入变量并赋初值
图37 打开参数分析工具对变量w进行扫描	图38 查看输出结果

【备注】：选取W=500n,DC偏置点为0.75V。

      （3）ac仿真得幅频特性曲线

图39 修改电路参数	图40 配置AC仿真环境
图41 查看放大倍数	图42 查看幅频特性曲线与相频特性曲线

【备注】：放大倍数约为12倍，-3dB带宽处在110M处。

      （4）trans查看输出波形

图43 修改电路参数

图44 配置tans瞬态仿真环境

图45 添加观测点

图46 查看仿真结果

五、仿真结果及分析

1.【实验一】设计负载为电阻的共源极放大器

      （1）dc仿真得输入输出曲线

图47 res负载的共源级放大器的Vout-Vin曲线

        如图所示，随着Vin的升高，该MOS管的工作状态依次是“截止—饱和—线性”。该曲线的斜率为Vout/Vin，也就是电路的增益。可见在饱和区增益最大；截止区无电流流过，所以增益为0；线性区增益与Vds（Vout）呈正比，所以增益很低。

        要选择直流工作点，需保证此MOS管处于饱和区，由于饱和区输入输出为二次关系，左侧斜率大。所以工作点选在饱和区中心偏左。由于制造工艺等诸多因素会使得MOS存在个体差异，所以不能选在饱和区边缘。

      （2）扫描负载电阻选最大增益负载值和直流工作点

图48 不同负载下，res负载的共源级放大器的Vout-Vin曲线

        如图为负载电阻变化时，OTA的输入输出曲线。MOS的饱和-线性区边界与Vout有关。Vout=VCC-IdRd,所以当负载电阻变化时，饱和区长度变化。该曲线斜率为增益，A=gm1Rd，所以随着Rd的增大，增益增大斜率变大。

        本次设计想追求高增益，所以选择了100K的负载，接下来选择MOS饱和区中心偏左的位置作为偏置点，所以DC point选为1.05V。

      （3）ac仿真得放大倍数和幅频特性曲线

图49 线性坐标系下，res负载的共源级放大器的ac幅频特性曲线

        如图所示，当DC源的ac 幅度为1m时，-3dB点左侧可认为放大倍数为10.75倍。当输出等于10.75*0.707时，其所在频率点就是-3dB点。GBW是0dB（放大倍数为1）处的频率点。

图50 res负载的共源级放大器的幅频特性和相频特性曲线

       幅频特性曲线是用来查看放大倍数与频率之间的关系。相频特性曲线是用来查看相位随着频率的衰减，用于研究系统的稳定性。位于拉普拉斯域左侧的极点会使增益开始以-20dB衰减，相位减少90，左侧的零点则会使增益以-20dB增加，相位超前90。

        由图可知，这是一个单极点系统，零点在无穷大处，主极点为1.6M。放大倍数为10.75倍。由于电阻受“pvt”工艺参数波动很大，加上大电阻难以做集成，此电路优势不是很大。

      （4）trans查看输出波形

图51 res负载的共源级放大器的瞬态仿真曲线

        此图是Vsin源在100K，幅度10mV输入情况下的输出和输入波形。输入的偏置点在选定的1.05V上。输出偏置点大约为3.5V。由于电源轨是5V，所以放大信号的潜力还是很大。通过对峰峰值计算，得到放大倍数约为10.5，波形无失真。

2.【实验二】设计负载为二极管连接的共源极放大器

      （1）dc仿真得输入输出曲线

图52 PMOS二极管连接负载的共源级放大器的Vout-Vin曲线

        如图所示，随着Vin的升高，NMOS管的工作状态依次是“截止—饱和—线性”。该曲线的斜率为Vout/Vin，也就是电路的增益。PMOS先饱和再截止，当nmos和pmos都处于饱和区时，增益最大。DC偏置点还是选在饱和区中心偏左。原因同res负载的共源极。

      （2）扫描负载MOS栅宽W选最大增益负载值和直流工作点

图52 负载管不同栅宽下，PMOS二极管连接负载的共源级放大器的Vout-Vin曲线

        如图为MOS栅宽变化时，OTA的输入输出曲线。当nmos和pmos都处于饱和区时，增益最大。增益A=gmn/gmp,所以pmos管尺寸越小，增益越大。尺寸小，寄生电容也小，此结构自身输出阻抗小，所以比较高频。但是输出阻抗小会大大影响增益，此电路适用于高频放大倍数不大的场合。

        本次设计想追求高增益，所以选择了w=500n的负载，接下来选择MOS饱和区中心偏左的位置作为偏置点，所以DC point选为0.75V。

      （3）ac仿真得幅频特性曲线

图54 PMOS二极管连接负载的共源级放大器的幅频特性曲线

        如图所示，当DC源的ac 幅度为1m时，-3dB点左侧可认为放大倍数为12.1倍。当输出等于12.1*0.707时，其所在频率点就是-3dB点。GBW是0dB（放大倍数为1）处的频率点。

图55 PMOS二极管连接负载的共源级放大器的幅频特性曲线和相频特性曲线

        幅频特性曲线是用来查看放大倍数与频率之间的关系。相频特性曲线是用来查看相位随着频率的衰减，用于研究系统的稳定性。位于拉普拉斯域左侧的极点会使增益开始以-20dB衰减，相位减少90，左侧的零点则会使增益以-20dB增加，相位超前90。

        由图可知，这是一个单极点系统，零点在无穷大处，主极点为110M。放大倍数为12.1倍。如图为MOS栅宽变化时，OTA的输入输出曲线。当nmos和pmos都处于饱和区时，增益最大。增益A=gmn/gmp,所以pmos管尺寸越小，增益越大。尺寸小，寄生电容也小，此结构自身输出阻抗小，所以比较高频。但是输出阻抗小会大大影响增益,需要增大nmos的跨导来弥补。

      （4）trans查看输出波形

图56 PMOS二极管连接负载的共源级放大器的瞬态仿真曲线

        此图是Vsin源在100K，幅度10mV输入情况下的输出和输入波形。输入的偏置点在选定的0.75V上。输出偏置点大约为2.1V。由于电源轨是5V，所以放大信号的潜力还是很大。通过对峰峰值计算，得到放大倍数约为12，波形无失真.

        

        全文完结，祝自己能在模拟的世界上越走越远！！！