ICC-基础概念2

本文探讨了半导体设计中沟道长度(l)与宽度(w)对标准单元(cell)速度、泄漏电流及功耗的影响。具体分析了7T与9T标准单元在相同沟道长度下因宽度不同带来的性能差异,以及C14与C16标准单元在相同宽度下因沟道长度不同导致的不同表现。

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1、IDSAT 正比于 w/l, l 是沟道长度,即poly(gate 的线宽) 是一个工艺节点的特征尺寸. w 是宽度(AA 的宽度).[1]
(1)cell的track不一样,比如7T和9T:
7T 9T:l 是一样的,只是w的差别,大的速度快,leakage 也大。功耗(动态和静态都大)也大。面积也大。7T 9T是以track进行区分。7T表示std cell的高度范围内可以走7条线。

(2)cell还分 C14和C16:
C14 C16:w 一样,l 的差别。小的速度快,leakage大。静态功耗大。动态功耗小。面积相当,一般一样。

2、crpr:clock reconvergence pessimism

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

[1][请教] site track 以及 沟道长度对cell的影响 - 后端讨论区 - ET创芯网论坛(EETOP) - Powered by Discuz!
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