《炬丰科技-半导体工艺》MOCVD制备的ZnO薄膜中的杂质效应

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：MOCVD制备的ZnO薄膜中的杂质效应

编号：JFKJ-21-649

作者：炬丰科技

关键词:A1.杂质；A3.掺杂化学气相沉积工艺；B1.氧化物；B2。半导体二–六材料

摘要

为了理解氮掺杂制备p型氧化锌的困难，我们研究了氮掺杂氧化锌薄膜中杂质的作用。利用二乙基锌(DEZ)和一氧化氮(一氧化氮)前驱体，采用低压金属有机化学气相沉积法制备了氧化锌氮薄膜。虽然观察到非常高水平的氮结合(1021cm3)，但受体浓度通常较低(1014–1017 cm3)。研究表明，低载流子浓度可能是由于金属有机前体无意中掺入薄膜中的氢和碳杂质的补偿和钝化作用。x射线光电子能谱(XPS)表明碳是MOCVD生长薄膜中的一种体杂质。二次离子质谱分析证实了碳的存在，并表明氢也是一种大块杂质。发现碳污染物的浓度随着氮掺杂而增加。XPS和傅里叶变换红外光谱(FTIR)数据都表明缺陷复合物(CHx、NHx和NCx)可能存在于MOCVD生长的ZnO薄膜中。第一性原理计算预测NO–H和(NC)O缺陷复合物是中性和1+电荷状态；因此，现有的碳和氢钝化了氮受体物种。因此，我们认为金属有机化学气相沉积法制备的氧化锌氮薄膜中的低空穴浓度部分是由于氢和碳的无意钝化造成的。

介绍

ZnO是一种宽带隙(3.37eV)半导体，广泛应用于声表面波器件和太阳能电池。它通常被用作n型半导体，因为在有或没有非本征掺杂的情况下，将材料制备成n型是简单的。近年来，国际研究界投入了大量精力来制造p-ZnO，因为可制造的p型材料将允许诸如紫外(UV)发光二极管和激光器的应用。然而通常很难重复制备高质量的p型氧化锌材料。p型氧化锌通常具有相对低的空穴浓度、低的空穴迁移率和不稳定性。特别是在紫外光电子照射下，p型ZnO薄膜表现为n型。

方法

用低压金属有机化学气相沉积法制备了掺氮氧化锌薄膜。前体是DEZ (C2H5)2Zn、氧气和稀释的一氧化氮气体(2wt%一氧化、氩)。所有前体的载气是N2气体。沉积温度在200至5501℃之间变化。利用DEZ气体和氧气之间的反应生长未掺杂的氧化锌样品。使用DEZ和一氧化氮生长氮掺杂氧化锌样品。使用两种类型的衬底，硅和康宁1737玻璃。硅衬底适用于后续的傅里叶变换红外光谱分析，而玻璃衬底适用于其他表征技术，如x光衍射、XPS、SIMS以及光学和电子特性分析。

结果和讨论

     氮是第五族元素；因此，通过用它代替氧化锌中的氧，应该可以用作p型掺杂剂。氮的p型掺杂通常需要氧差生长环境。在这项工作中，我们重点关注氢和碳杂质的影响。氢是一种杂质，可以存在于通过许多制造技术制造的氧化锌中。研究表明，碳可以以几种形式作为给体存在于氧化锌中。例如，在半绝缘或p型氧化锌中，碳可以与氧或氮形成双原子物种，并共享一个氧位置。

氢钝化似乎是p型氧化锌掺杂的一个非常重要的问题。从上面的讨论中，我们可以看出，对于未掺杂的氧化锌，碳杂质很可能以CHx缺陷复合物的形式存在。在氮掺杂的情况下，存在较少的CHx络合物和其他形式的碳杂质，例如NC络合物。基于第一性原理计算，我们研究了氧化锌中的几种碳相关缺陷。发现间隙碳是供体，而取代碳是中性或深度受体。一氧化碳和一氧化碳都有很高的生成能；因此，它们不应该以高浓度存在。NO和Ci强烈结合形成一个(NC)O复合体。强结合能表明，在平衡富锌条件下，可能形成(NC)O缺陷复合物。在与碳相关的缺陷中，NC)O络合物的形成能低于Ci和CO。这些预测很好地支持了实验观察，即与未掺杂样品相比，氮掺杂样品中的碳溶解度增加。

 

 

 

 

 

总结

我们已经讨论了氢和碳杂质及其在金属有机化学气相沉积制备的和掺杂一氧化氮的ZnO:N薄膜中的潜在补偿/钝化效应。对未掺杂和氮掺杂的样品进行了成分、光学、电子和元素化学状态的比较表征。通过一氧化氮掺杂的MOCVD生长，我们可以在ZnO薄膜中获得很高的氮掺杂浓度。然而，氢和碳被无意地掺杂到我们用金属有机化学气相沉积法制备的氧化锌:氮薄膜中。在掺氮样品中，碳浓度大大增加，表明无意掺杂的碳杂质更喜欢与氮形成缺陷复合物。由于氢和碳与氮之间的强成键，(NO–H)0和(NC)1+O缺陷复合物具有相当低的形成能，并且可以以大的浓度存在。我们的结果表明，用金属有机化学气相沉积法生长氮掺杂氧化锌，可能需要严格控制碳和氢的浓度，以获得高载流子浓度的p型氧化锌:氮薄膜。