《炬丰科技-半导体工艺》硅片上过渡金属离子的吸附种类

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：硅片上过渡金属离子的吸附种类
编号：JFKJ-21-712
作者：炬丰科技

摘要
研究了氨过氧化氢溶液（SC-1溶液）、Fe(III)、Ni(Ii)、Zn(II)在硅片上的吸附作用。实验结果与平衡计算结果比较发现，主要吸附物质是溶解的中性氢氧化物配合物。计算出的氢氧化物配合物吸附的自由能变化支持了这一点。

介绍
为了减少环境和设备的污染，开发和使用了多种清洁方案。SC-1溶液（29%NH4OH：31%It202：H20=1：1：5体积比）1是半导体制造中广泛使用的清洁溶液之一。然而，表面金属污染是由溶液中的一些金属杂质引起的。金属杂质，特别是过渡金属，会引起电的恶化，例如栅极氧化物的分解。
在本文中，我们通过平衡分析的方法研究了其吸附行为。采用分析方法确定了吸附种类。同时还进行了吸附的自由能计算，以了解吸附的种类，并支持平衡分析的结果。本文中检测的金属离子为Fe(III)、Ni(II)和Zn(II)作为半导体制造中的典型污染物。

实验
本工作中使用的以下化学物质为EL级，其中含有低于0.5ppb的过渡金属杂质：50%HF、29%氢氧化铵、31%H202、20%四甲基氢氧化铵。用于原子吸收分光光度法(AAS)的金属标准溶液(1000ppm)用于故意污染。本研究中使用的去离子水含有10ppt以下的过渡金属杂质。所有的过程都在一个100级的洁净室中进行，湿化学品在房间的干净通风口中进行处理。

结果和讨论
图2显示了在SC-1溶液中获得的Fe(III)、Ni(II)和Zn(II)在硅晶片上的吸附等温线。在大部分区域，表面金属浓度随溶液中的浓度单调增加。对数对数线性表明，本情况下金属离子吸附受溶液与表面的化学平