【JESD79-5之】6 AC & DC工作条件（AC & DC Operating Conditions）

最新推荐文章于 2024-07-22 12:58:06 发布

逍遥自在行

最新推荐文章于 2024-07-22 12:58:06 发布

阅读量202

点赞数

分类专栏： JESD79-5 文章标签：硬件工程 fpga开发 arm开发前端

本文链接：https://blog.csdn.net/m0_61126667/article/details/132411775

版权

JESD79-5 专栏收录该内容

65 篇文章 82 订阅

订阅专栏

6 AC & DC工作条件

6.1 绝对最大值定额
6.2 推荐DC工作额定值
- 史上最牛总结！电源完整性设计请看这一篇_电子开发圈的博客-CSDN博客_电源完整性设计
6.3 DRAM组件工作温度范围

在这里插入图片描述

6.1 绝对最大值定额

在这里插入图片描述

注意1：超过“绝对最大额定值”的应力可能会对设备造成永久性损坏。这仅是一个应力额定值，不暗示设备在这些条件或超过本规范操作部分所示条件下的正常运行。长时间暴露在绝对最大额定条件下可能会影响可靠性。
注意2：存储温度是DRAM正面中心顶部的机壳表面温度。有关测量条件，请参考JESD51-2标准。
注意3：VDD和VDDQ必须始终在彼此之间的300 mV范围内。当VDD和VDDQ小于500 mV时
注意4：VPP必须始终等于或大于VDD/VDDQ。
注意5：超过1.5 V上的超调区域在章节8.3.4、8.3.5和8.3.6中进行了规定。

阐述了一些使用条件限制，包括电压，温度，如果超过这些使用条件，可能对设备造成永久性损伤。

Absolute maximum Ratings（绝对最大值定额）表示超过该设备可能发生损坏的极限，而不是最大工作极限。此外，有些datasheet还会标注“Operating Rating”，即工作额定值，这个值才表示设备正常运转的条件范围，但并不保证具体的产品性能极限。

6.2 推荐DC工作额定值

在这里插入图片描述

假定产品在某个工作额定值内，电气特性会说明在特定测试条件下的直流和交流电气规格，保证产品具体的性能极限。如果datasheet没有给出具体工作额定值，规格数值不做保证。
在阅读datasheet时要注意所标注的条件，通常数据表会显示与温度、电源电压、速度有关的参数。
datasheet还会出现一个“Typ”，全称为“typical value（典型值）”，即该数值内，产品性能处于良好状态。
之所以产品要有最小到最大的限制，而不仅仅只是给出一个typical value（典型值），是因为极限情况能让工程师更大程度上了解这款产品，一个好的、可靠的设计并不会只依赖典型值。

Z(f)：阻抗与频率关系
阻抗：电阻和电抗，既包含电阻，还包含电抗（电容产生，无实际电流）

在这里插入图片描述

图171  DRAM封装锡焊球系统的Z(f)（不包含DRAM组件）
上图表示阻抗和频率的关系
inductance：电感
scaled：按比例缩放

在这里插入图片描述

一个简单的一般频率响应电子系统Z（F）负载模型如图172所示。DRAM频脚的电阻和电感可以按照协议规定进行按比例的缩放。

在这里插入图片描述

关于上图理解，上半部分是等效电源模型，负载电流变化频率在直流到   2-10MHz   大于20MHz

史上最牛总结！电源完整性设计请看这一篇_电子开发圈的博客-CSDN博客_电源完整性设计

https://blog.csdn.net/weixin_42625444/article/details/107703214?ops_request_misc=&request_id=&biz_id=102&utm_term=%20Recommended%20DC%20Operating%20Cond&utm_medium=distribute.pc_search_result.none-task-blog-2~all~sobaiduweb~default-1-107703214.142%5Ev68%5Econtrol,201%5Ev4%5Eadd_ask,213%5Ev2%5Et3_esquery_v1&spm=1018.2226.3001.4187

在这里插入图片描述

6.3 DRAM组件工作温度范围

在这里插入图片描述

注意1：操作温度是DRAM正面中心顶部的机壳表面温度。有关测量条件，请参考JESD51-2标准。
注意2：正常温度范围指定了所有DRAM规格将被支持的温度范围。在所有操作条件下，DRAM的机壳温度必须保持在0到85°C之间。
注意3：3DS的操作温度需要根据DRAM芯片的数量进行降级计算，公式为：[TOPER - (2.5°C × log2N)]，其中N是堆叠芯片的数量。
注意4：有些应用要求DRAM在85°C和95°C机壳温度之间的扩展温度范围内工作。在这个范围内支持全部规格，但以下附加条件适用：
a. 刷新命令的频率必须加倍，因此刷新间隔tREFI缩短为3.9微秒。也可以在扩展温度范围内使用1X刷新（tREFI为7.8微秒）的元件。请参考供应商的数据手册和/或DIMM SPD以了解选项是否可用。
b. 如果在扩展温度范围内需要使用自刷新操作，则必须使用具有扩展温度范围能力的手动自刷新模式（MR2 A6=0b和MR2 A7=1b）或启用可选的自动自刷新模式（MR2 A6=1b和MR2 A7=0b）。请参考供应商的数据手册和/或DIMM SPD以了解自动自刷新选项是否可用。在扩展温度范围中的扩展温度范围支持和tREFI要求。

推荐的DRAM组件正常工作温度范围，在此范围内，可以发挥良好性能。