GDDR6 （3）

阻抗校准

       （1） GDDR6给输出提供自动校准阻抗和对输入提供ODT。方便用户在给定的一个范围内调节外部ZQ连接一个120欧姆的电阻连接到地。相当于40欧姆下拉电阻和60/48欧姆的上拉电阻。

        （2）输出驱动和ODT可以在REFab期间进行更新。

        （3）GDDR6提供的阻抗偏移值，包括PD PU，DQ/DBI/WCK ODT和 CA ODT

          (4) 阻抗偏移值不是线性的。对于驱动来讲，负向偏移是增大阻抗，正向偏移是降低阻抗。但对于ODT来讲，负向偏移是降低阻抗，正向偏移是增加阻抗。

EDC

GDDR6存在CRC校验，通过EDC信号反馈给控制端判断。

（1）存在两种检测方式，一种是全速率采样，一种是半速率采样。

（2）关于使能DBI时，如下图所示，绿色箭头表示写，可以得知写的EDC，在DBI解码之前进行CRC的。红色箭头表示读，可以得知读的EDC，在DBI编码知乎进行CRC校验的。

REFRESH

讲一下 GDDR6的refresh吧。

（1）跟LPDDR5一样，有16个bank，所以支持pre-2-bank refresh。

（2）跟常见DDR一样，最大能延迟9*tREFI，也就是9*tREFI中要将每个bank refresh 9次。所以对于per-bank要发送9*16 per-bank

（3）比较特别的一点，GDDR6允许在REFab期间发送WRTR,RDTR,LDFF,可以实现读写training操作。

（4）GDDR6在REFab期间，也可以设置MR3 OP[7:6]=10，可以将颗粒内部的温度读出。

REFRESH MANAGEMENT

（1）为了降低row hammer 的危害，所以对多次ACT 的bank进行refresh，保护数据完整

（2）控制器端会对每个bank 的ACT进行计数，当达到RAAIMT时，需要发送RFM命令，刷新该bank。

（3）RFM包括RFMab ，RFMpb和RFMp2b。相关时序和REF一致。

（4）每次RFM会将ACT计数器减少RAAIMT

（5）RFM是支持提前和延后的，只要计数器不要超过RAAMMT

（6）REF也会减少计数器的值，减少多少具体看颗粒厂商要求。

（7）当颗粒进入self-refresh至少tRAASRF后，计数器清空。少于这个时间不变。

切频操作

（1）颗粒所有命令已完成，所有bank处于idle状态

（2）新的频率，如果频率低于PLL/DLL-on mode下的最小频率，那么需要将PLL/DLL关掉；如果频率在低频模式的最大频率以上，通过配置MR将低频模式关掉。如果新的频率需要ODT，那么在切频之前将ODT打开。

（3）进入self-refresh

（4）改变频率

（5）退出self -refresh

（6）如果需要，执行CA training

（7）如果新的时钟频率在PLL/DLL的工作范围内，并且希望启用PLL/DLL状态，如果它尚未启用，那么通过MRS命令启用PLL/DLL。同样，如果新的时钟频率在低频模式的工作范围内，并且希望使用低频模式，如果它尚未启用，那么通过MRS命令启用低频模式。如果新的时钟频率不需要终端，现在可以安全地禁用终端。

（8）执行WCK2CK训练，如果PLL/DLL打开，那么需要重启PLL/DLL。（正常的WCK2CKtraining）

（9）如果需要，执行读写训练

（10）结束

注意：对于RLmrs, WLmrs, LP2, LP3 or RDQS mode, etc这些需要change的参数，在（2）或者（7）时配置。

DCC占空比修正

主要针对PLL/DLL关闭的情况

需要在WCK2CK training完成前完成。