Silvaco中SiC的晶向和离子注入角度

离子注入几何结构

图3-23展示了离子束相对于衬底晶体取向的方向。在晶体材料的离子注入过程中，涉及三个主要平面：

1. 注入平面α：初始离子束所在平面，明确决定了入射方向（倾斜角和旋转角）。
2. 表面平面Σ：当前二元碰撞近似（BCA）模块（如CRYSTAL参数）中，表面取向固定为{100} 。
3. 模拟平面β：用于定义注入过程的参考平面。

当表面平面Σ的取向为[100]时，旋转角（ϕ）的偏移方向为该平面上的<101>晶向。此时：

• 倾斜角ϑ（IMPLANT语句中的TILT参数）为注入平面α的极角；
• 旋转角ϕ（ROTATION参数）为注入平面α与表面平面Σ交线的方位角，与<101>方向的方位角之差 。

注意：目前晶体蒙特卡罗模块中，表面取向（INITIALIZE语句的ORIENT参数）不影响模拟结果，表面始终默认为{100} 。

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关键点解析：

1. 晶体取向与离子束方向：

   • 离子束的入射方向（倾斜与旋转）需结合晶体晶向定义。例如，文献指出离子束方向沿<101>的调整会影响溅射产率，这与通道效应相关 。
   • 表面平面Σ的{100}取向限制可能源于BCA模型对称性假设，简化计算复杂度 。

2. 参数定义的物理意义：

   • 倾斜角ϑ决定了离子束与表面法线的夹角，直接影响离子在晶体中的穿透深度和通道效应 。
   • 旋转角ϕ通过调整注入平面α与<101>的相对方位，影响离子在晶体中的横向分布 。

3. 实际应用与限制：

   • 当前模块仅支持{100}表面取向，可能限制了对其他晶面（如{111}）注入行为的模拟，而实验表明晶面取向显著影响刻蚀和损伤分布 。
   • 未来扩展需结合三维取向显微技术（如FIB-SEM）以支持多晶面分析 。

图3-23 注入几何结构

模拟（投影）平面
模拟（投影）平面是所有模拟数据投影的载体，最终被导入Athena的结构中。该平面的取向由INITIALIZE语句中的ROT.SUB参数定义 。

• 实验室坐标系（BCA模拟使用）为右手坐标系：
  • -Y轴为深度方向，X轴为水平坐标，Z轴指向观察者 。
  • 方位角（Azimuth）在X-Z平面内测量 。
  • ROT.SUB参数以晶圆主平面（major flat）为基准定义模拟平面的旋转方向，默认为45° 。

模拟平面特性

• 模拟平面（X’-Y平面）始终垂直于晶圆表面，TONYPLOT在此平面上显示结果，Athena亦在此进行计算 。
• 体注入计算为三维，但BCA的光线追踪（离子碰撞、壁面散射及再注入）为2.5维，即结构沿Z轴无限延伸 。所有掺杂与损伤结果均投影到模拟平面并按比例缩放 。

参数关联性

• ROTATION参数以晶圆主平面为基准，且因与模拟平面耦合，默认方向相同 。
• 对于硅等晶体材料，TILT/ROTATION参数定义离子束相对于模拟平面的方向（影响遮蔽效应），而ROT.SUB决定模拟平面如何切割晶体结构 。
• 不同ROT.SUB值会影响沟道效应（channeling），但需注意：
  离子传播为三维过程，某些沟道模式可能因TILT/ROTATION/ROT.SUB的组合而增强或减弱 。

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关键术语解析：

1. 投影平面（Projection Plane）：
   根据文献，投影平面是连接观察点与物体各点的假想平面，模拟结果在此平面上呈现 。在Athena中，此平面垂直于晶圆表面，与BCA模拟的坐标系绑定 。

2. ROT.SUB参数：
   定义模拟平面相对于晶圆主平面的旋转角度，默认45°。此参数通过调整模拟平面的切割方向，影响晶体中离子的沟道行为 。

3. 2.5D光线追踪：
   结构沿Z轴无限延伸的假设简化了计算，但需通过投影将三维数据映射到二维平面 。此方法与多线激光投影测量技术中的三维模拟系统类似 。

4. 坐标系与方位角：
   右手坐标系中，方位角在X-Z平面内测量，与投影矩阵的定义一致 。旋转参数的调整需结合极角（TILT）和方位角（ROTATION）以优化注入方向 。

SiC中的离子注入几何结构

Athena的蒙特卡罗模块能够精确模拟4H-SiC和6H-SiC中的离子注入。由于SiC晶格中存在多个宽开放通道（例如4H-SiC的<0001>、<11 $\overline{2}$ 0>和<11 $\overline{2}$ 3>方向），其沟道效应（channeling effects）非常显著。因此，注入分布高度依赖于晶圆取向和离子束方向。

晶圆偏切的影响
商业化的标准<0001>晶向SiC晶圆通常具有3.5°–8.5°的偏切（miscut），通常朝向<11 $\overline{2}$ 0>方向。这种偏切主要用于促进外延生长，但同时也会影响离子注入行为——沿晶圆表面法线方向注入等效于在（11 $\overline{2}$ 0）平面内倾斜离子束。

Athena中的模拟设置

1. 模拟平面定义：
   Monte Carlo模块通过三维离子轨迹模拟，将最终的停止点及掺杂浓度投影到模拟平面（X’-Y平面）。该平面始终垂直于晶圆表面，其方向由INITIALIZE语句中的ROT.SUB参数定义，以晶圆主平面（major flat）为基准（如图3-24）。

   • 大多数商用4H-SiC和6H-SiC晶圆的主平面平行于（1 $\overline{1}$ 00）晶面。

2. 假设条件：
   模块假设材料界面在模拟平面法线方向上无变化，即结构沿第三维度（Z轴）无限延伸（2.5D近似）。

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关键术语解析：

1. 沟道效应（Channeling Effects）：
   SiC的各向异性晶格结构导致离子沿特定晶向（如<0001>）注入时，穿透深度显著增加。文献表明，沟道效应是优化SiC器件掺杂分布的核心挑战。

2. 晶圆偏切（Miscut）：
   偏切会改变晶格方向与离子束的相对角度，进而影响注入分布和损伤特性。例如，偏切8°的4H-SiC晶圆在垂直注入时可能表现出与倾斜8°注入相似的沟道行为。

3. ROT.SUB参数：
   该参数定义模拟平面相对于晶圆主平面的旋转角度，直接影响模拟结果的投影方向。例如，ROT.SUB=45°时，模拟平面切割晶格的方向与主平面成45°夹角。
   
   图3-24 展示了Athena BCA模块中SiC晶圆取向与模拟平面的关系，以及晶圆表面主要晶面的投影

模拟平面与晶向的对应关系
若需使Athena的模拟平面与晶圆主平面（<1 $\overline{1}$ 00>）平行，需设置 ROT.SUB=0；若需模拟平面与<11 $\overline{2}$ 0>晶向平行，则需设置 ROT.SUB=90 。

离子束方向的参数定义
离子束方向由IMPLANT语句中的 TILT 和 ROTATION 参数共同定义：

1. TILT（倾斜角）：离子束矢量与晶圆表面法线之间的夹角（单位：度）。
2. ROTATION（旋转角）：离子束矢量所在平面（垂直于晶圆表面）与模拟平面之间的夹角 。

示例说明：

• 若离子束矢量平面平行于图3-24中的<$\overline{2}$ 110>晶向，需设置 ROTATION=30（参考图3-25）。
• 若离子束矢量平面垂直于模拟平面，则需设置 ROTATION=90 。
  
  图3-25 三维SiC晶圆与模拟平面方向。当模拟平面与（1 $\overline{1}$ 00）晶面平行时，需设置 ROT.SUB=0

晶圆偏切参数定义
晶圆的偏切方向由 MISCUT.TH 和 MISCUT.PH 参数定义：

1. MISCUT.TH：晶圆实际表面与XZ平面的夹角（如图1）。
2. MISCUT.PH：偏切方向的角度（从主平面方向逆时针测量）。例如：
   • 若晶圆沿<1100>方向（图3-24中的X方向）偏切，需设置 MISCUT.PH=0。
   • 多数商用晶圆（如文献[16][17]）的偏切方向为<11 $\overline{2}$ 0>，因此需设置 MISCUT.PH=90，而 MISCUT.TH 根据商用规格设为4°或8°（如“偏离轴向4°±0.5°”）。

典型模拟初始化示例

init sic_4h rot.sub=0  
implant aluminum energy=50 dose=1e13 bca n.ion=10000 tilt=4 rotation=90 miscut.th=4 miscut.ph=90  

• 参数含义：
  • rot.sub=0：模拟平面与主平面（<1 $\overline{1}$ 00>）平行。
  • tilt=4：离子束沿垂直于模拟平面的方向倾斜4°，对应商用晶圆的“4°偏切”规格。
  • miscut.ph=90：偏切方向为<11 $\overline{2}$ 0>，符合多数商用晶圆的工艺标准。

这将对应在具有标准小切角的晶圆上进行离子注入，其规格通常在商用晶圆参数中描述为“偏离<110>晶向轴4°±0.5°”。模拟平面将与晶圆主大平面（major flat）保持平行，而离子束将在与模拟平面垂直的平面内倾斜4°。

以下示例详细展示了基于小切角参数（MISCUT.TH/PH）或倾斜/旋转参数（TILT/ROTATION）设置的等效离子注入方向。

SiC离子注入仿真实例

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示例1

说明：展示与晶圆主参考面<1 $\overline{1}$ 00>方向等效的注入方向设置。
标准晶圆（无斜切）：

init sic_4h rot.sub=0  
implant aluminum n.ion=40000 dose=0.63e13 tilt=0 rot=0 energy=60  
bca  

等效的斜切晶圆（4°斜切指向<11 $\overline{2}$ 0>）：

init sic_4h rot.sub=0  
implant aluminum n.ion=40000 dose=0.63e13 tilt=4 rot=90 miscut.th=4 miscut.ph=90 energy=60  
bca  

效果对比：两种注入分布统计等效，但后者因倾斜4°导致投影产生轻微位移（位移量约为cos(4°)比例）。

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示例2

说明：展示与晶圆主参考面<11 $\overline{2}$ 0>方向等效的注入方向设置（注：MISCUT.TH/PH基于晶体学坐标系，而非ROT.SUB定义的实验室坐标系）。
标准晶圆（无斜切）：

init sic_4h rot.sub=90  
implant aluminum n.ion=40000 dose=0.63e13 tilt=0 rot=0 energy=60  
bca  

等效的斜切晶圆（4°斜切指向<11 $\overline{2}$ 0>）：

init sic_4h rot.sub=90  
implant aluminum n.ion=40000 dose=0.63e13 tilt=4 rot=0 miscut.th=4 miscut.ph=90 energy=60  
bca  

效果对比：两种分布统计等效，后者因倾斜4°导致投影位移（位移量由cos(4°)决定）。

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示例3

说明：展示理想晶圆与斜切晶圆（4°斜切指向<11 $\overline{2}$ 0>）在倾斜注入条件下的等效参数设置。
理想晶圆（沿[0001]法线方向倾斜3°注入）：

init sic_4h rot.sub=0  
implant aluminum n.ion=40000 dose=0.63e13 tilt=3 rot=0 energy=60  
bca  

等效的斜切晶圆（4°斜切指向<11‒0>）：

init sic_4h rot.sub=90  
implant aluminum n.ion=40000 dose=0.63e13 tilt=1 rot=0 miscut.th=4 miscut.ph=90 energy=60  
bca  

效果对比：两种分布统计等效，但由于两者在垂直Y坐标上的投影效应，会存在轻微位移。

通过调整tilt、rot与miscut参数组合，可在仿真中精确复现实际斜切晶圆的离子注入分布特性。