半导体材料 MOOC学习记录 第三章 晶体生长技术

第三章 晶体生长技术

本次得分为：8.00/8.00, 本次测试的提交时间为：2023-03-14, 如果你认为本次测试成绩不理想，你可以选择 再做一次 。

1

单选(1分)

‍以下熔体生长法生长晶体描述正确的是

‌得分/总分

• A.

  材料在熔化前能够分解

• B.

  材料必须在熔化过程中成分不变

  1.00/1.00

• C.

  二氧化硅可以用于熔体生长法

• D.

  材料在是温和熔点之间能够发生相变

正确答案：B你选对了

2

单选(1分)

‎目前生长半导体体单晶最常见的方法是

‍得分/总分

• A.

  液相外延法

• B.

  布里兹曼法

• C.

  直拉法

  1.00/1.00

• D.

  CVD法

正确答案：C你选对了

3

单选(1分)

‏生长非常高熔点的氧化物（如：钇铝石榴石）一般用什么方法

‌得分/总分

• A.

  CVD法

• B.

  温差水热法

  1.00/1.00

• C.

  区熔法

• D.

  直拉法

正确答案：B你选对了

4

判断(1分)

‏SiC可以用熔体生长法。

‏得分/总分

• A.

  1.00/1.00

• B.

正确答案：A你选对了

5

判断(1分)

​生长硅晶体最常用的方法是直拉法（Czochralski)。

‎得分/总分

• A.

  1.00/1.00

• B.

正确答案：A你选对了

6

判断(1分)

‌液封提拉法可以在一定程度上防止晶体生长过程中杂质的引入。

‎得分/总分

• A.

• B.

  1.00/1.00

正确答案：B你选对了

7

判断(1分)

‎区熔法可以生长熔点极高的晶体。

‎得分/总分

• A.

  1.00/1.00

• B.

正确答案：A你选对了

8

判断(1分)

‍CVD方法生长的薄膜材料一般纯度和致密性都很好，但是反应的源气、余气有毒。

‎得分/总分

• A.

  1.00/1.00

• B.

正确答案：A你选对了