半导体材料 MOOC学习记录 第十三章 新型半导体材料ZnO

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于 2023-04-16 21:23:37 首次发布
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第十三章 新型半导体材料ZnO

1

单选(1分)

‍以下对于ZnO描述错误的是C

​

  • A.

    发光效率高

  • B.

    外延生长温度低

  • C.

    原料比较稀少

  • D.

    器件工作温度高

2

单选(1分)

‎以下对于ZnO描述错误的是A

‌

  • A.

    是非常稳定的纤锌矿结构，耐高温高压

  • B.

    本征为高阻半导体

  • C.

    可用气相法或者水热法制备

  • D.

    P型难得

3

判断(1分)

‌ZnO和GaN有相似的晶体结构和禁带宽度。T

‎

  • A.

  • B.

4

判断(1分)

​ZnO的能带可以调节。T

‏

  • A.

  • B.

SunnyG9818
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半导体材料 MOOC学习记录 第一章 半导体材料概论
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半导体材料 MOOC学习记录 第十二章 II-VI族化合物半导体
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‎II-VI族半导体中的点缺陷可以影响导电类型。‎以下不是II-VI族半导体的制备方法的是。碲化镉具有较高的吸光系数，可以制备太阳电池。‌以下对于II-VI族半导体描述错误的是。其导电类型可以通过改变气相的分压来改变。‎对于II-VI族半导体描述错误的是。禁带宽度随着原子序数的增加而增加。‍碲化镉可以用近空间升华法生长。熔点随着原子序数的增加而增加。离子注入可以抑制自补偿效应。​硫化铅是一种两性半导体。有闪锌矿和纤锌矿两种结构。
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半导体材料 MOOC学习记录 第九章 硅薄膜材料
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