半导体材料 MOOC学习记录 第十章 III-V族化合物半导体

第十章 III-V族化合物半导体

1

单选(1分)

‎以下对于GaAs材料描述错误的是

‍得分/总分

• A.

  是直接带隙，光电转换效率高

• B.

  电子迁移率高，适合做高频器件

• C.

  晶体结构为纤锌矿结构

• D.

  带隙大可以做高温器件

正确答案：C

2

单选(1分)

‎以下对于GaAs 描述错误的是

‎得分/总分

• A.

  难以生长出无位错单晶

• B.

  难以稳态本征氧化

• C.

  在室温下，在氧和水蒸气气氛中性质稳定

• D.

  可与浓硝酸反应，但不溶于王水

正确答案：D

3

单选(1分)

‎以下对于液态密封法生长GaAs描述错误的是

‍得分/总分

• A.

  液态密封法不能掺Si，因为会导致B的沾污

• B.

  一般采用B2O3液封

• C.

  化学计量可以得到很好的控制

• D.

  可以生长大直径的晶体

正确答案：C

4

判断(1分)

‏GaAs材料作为新型半导体，有比硅更优秀的性能，可以取代硅

‏得分/总分

• A.

• B.

  1.00/1.00

正确答案：B

5

判断(1分)

​GaAs是直接带隙结构，有两个子能谷

‌得分/总分

• A.

• B.

正确答案：A

6

判断(1分)

‍水平布里奇曼方法存在“粘舟”，真空度要求高，温度控制严格，直径受限等缺点，逐渐被垂直梯度凝固法取代。

‌得分/总分

• A.

• B.

正确答案：A