半导体材料 MOOC学习记录 第十四章 新型半导体材料SiC

第十四章 新型半导体材料SiC

1

单选(1分)

‍以下对于SiC性质描述错误的是C

​

• A.

  硬度高，耐磨性好

• B.

  具有很高的电导率

• C.

  容易得到均匀、低缺陷密度的高纯晶体

• D.

  具有非常高的击穿电场，相比较硅具有更高的耐压能力和电流密度

2

单选(1分)

‏以下对于SiC性质描述错误的是A

​

• A.

  无论哪种生长方式，6H-SiC都最容易生长

• B.

  C面的氧化速率比Si面高很多

• C.

  可以用物理气相传输法制备SiC单晶

• D.

  一般用SiC体单晶或者蓝宝石作为衬底制备SiC薄膜

3

多选(1分)

‌以下可以对SiC进行P型掺杂的元素是BC

‏

• A.

  N

• B.

  B

• C.

  Al

• D.

  P

4

判断(1分)

‎SiC有很多种晶型，其中4H型应用较为广泛T

‌

• A.

• B.

5

判断(1分)

‍外延扩散、扩散扩散和离子注入可以用来SiC单晶的掺杂，其中离子注入是主要的掺杂方式。T

‌

• A.

• B.

6

判断(1分)

‏不同的类型的SiC晶体的辐射跃迁不同，可以制备不同颜色光的发光器件。T

​

• A.

• B.