MOS管的导通电阻RDS(on)与阈值电压VGS（th）温度特性详解

    经常看到有文章说MOS管的导通电阻是正温度特性，阈值电压是负温度特性，但是一直不清楚具体的原理。本文就详细讲讲MOS管导通电阻正温度特性。

   首先分别找一份PMOS和一份NMOS的datasheet，看下导通电阻的正温度特性，阈值电压的负温度特性是什么样的。

   下面两张图分别PMOS的导通电阻与阈值电压随温度变化的曲线。

    下面两张图分别NMOS的导通电阻与阈值电压随温度变化的曲线。

    可以看出，不管是NMOS还是PMOS，导通电阻RDS（on）都随着温度的升高而增大，阈值电压绝对值都随温度的升高而降低。

    MOS管的导通电阻与其中的载流子迁移率有关，载流子迁移率越慢，导通电阻越大。

    MOS管反型层中的电子和空穴迁移率随着温度升高而下降。这是由于温度升高，载流子在沟道中受到的散射几率增加的缘故。​​​​​​​

    具体物理原理详见如下链接

http://kiamos.cn/article/detail/2226.html