ASIC 芯片 PVT

一 背景介绍

一颗成功的IC芯片，应该具有能屈能伸的品质，能够适应外界变化的温度、电压、承受制造工艺的偏差，这就需要在设计实现过程中考虑这些变化的温度，电压和工艺偏差。使得设计下的IC芯片，依旧能够正常工作。

 在STA静态分析领域，一般常用Library PVT RC corner跟OCV来模拟这些不可控的随机因素，在每个工艺结点，通过大量的建模跟实测，foundary厂都会提供一张推荐的timing signoff表格，建议需要signoff的corner以及各个corner需要设置的OCV跟margin。这些corner能保证大部分芯片可以承受温度电压跟工艺偏差，一个corner = library PVT + RC corner + OCV 。

本文将关注于library PVT。 

二 本章主角：PVT 

例子：

其中【ss0p81vm40c】是这个operating condition的名字，通常这个名字是有意义的，它会标出该lib对应的电压跟温度，如0p81对应于voltage：0.81，m40c对应于temperature：-40°。

2.1 P

P-process ：IC制造工艺本身的不完美，使得制造偏差不可避免，在library中会用一个百分比来表示工艺偏差，如process：1表示没偏差，在沉积或参杂过程中，杂质浓度密度，氧化层厚度，扩散深度都可能发生偏差，从而导致管子的电阻跟阈值电压发生偏差；光刻过程中由于分辨率的偏差会导致管子的宽长比偏差，而这些偏差，都会导致管子性能的差异。

不同的晶片和不同的批次之间，因为掺杂、刻蚀、温度等外界因素导致MOSFET参数的变化范围比较大。为减轻设计困难度，需要将器件性能限制在某个范围内，并报废超出这个范围的芯片，来严格控制预期的参数变化。工艺角即为这个性能范围。

TT：nmos -Typical corner & pmos -Typical corner
FF：nmos -Fast corner & pmos -Fast corner
SS：nmos -slow corner & pmos -slowl corner
FS：nmos -Fast corner & pmos -slow corner
SF：nmos -slowl corner & pmos -fast corner

注：Typical是指晶体管驱动电流（Ids）是一个平均值；Fast是指晶体管驱动电流是最大值；Slow是指晶体管驱动电流是最小值。

2. 2 V

V-voltage：管子的延时取决于饱和电流，而饱和电流取决于供电电压，且不论多电压域芯片，就单电压芯片而言，电池的供电电压本身就在一个范围内变化，再加上片外或者片上voltage regulator的误差，再加上IR，一个芯片上的每个管子都可能工作在不同电压下，从而性能也有所差别。

电源电压与延迟的关系如下图所示：

2.3 T

T-temperature：在日常操作中，IC芯片必须适应温度不恒定的环境，当芯片运行时，由于开关功耗，短路功耗和漏电功耗会使芯片内部的温度发生变化，温度波动对性能的影响通常被认为时线性的，但是在深亚微米温度对性能的影响是非线性的，对于一个管子，当温度升高，空穴/电子的移动速度会变慢，使延时增加，而同时温度的升高也会使管子的阈值电压降低，较低的阈值电压意味着更高的电流，因此管子的延时减小，而通常温度升高对空穴/电子移动速度的影响会大于对阈值电压的影响，所以温度升高对管子的延时呈现增加趋势，但是并不是温度越低管子的延时就越小，晶体管有温度反转效应，当温度低到某一个值以后，随着温度的减低，管子的延时会增加，至于温度反转点跟具体的工艺相关。

晶体管密度在整个芯片上是不均匀的。芯片的一些区域有更高的密度和更高的翻转，因此这部分会导致更高的功耗，而芯片的有些区域有较低的密度和较低的翻转，该区域具有较低的功耗。因此芯片某些区域的结温可能更高或更低，这取决于晶体管在该区域的密度。由于整个芯片的温度变化，它会在所有的晶体管中引入不同的延迟。这里讨论的温度变化是关于结的，而不是环境温度。芯片内部接点的温度变化范围可能很大，所以需要考虑温度变化。cell的延迟随着温度的升高而增加。但并非所有技术节点都是如此。对于深亚微米技术，这种行为是相反的。这种现象叫做逆温。

温度反转:延迟取决于输出电容和ID电流(与Cout成正比，与ID成反比)。当温度升高时，延迟也会增加(由于载流子浓度和迁移率的变化)。但当温度降低时，亚微米技术的延迟变化表现出不同的特征。对于小于65nm的技术节点，延迟随着温度的降低而增加，在-40℃时达到最大。这种现象被称为“逆温”。

2.4   PVT组合

依据仿真需求，使用不同的PVT组合，具体如下。

2.4.1 STA分析

WCS(Worst Case Slow):slow process,high temperature,lowest voltage
TYP(Typical):typical process,nominal temperature,nominal voltage
BCF(Best Case Fastl):fastl process,lowest temperature,high voltage
WCL(Worst Case @coldl):slowl process,lowest temperature,lowestl voltage

2.4.2 功耗分析

ML(Maximal Leakage):fast process,high temperature,high voltage
TL(Typical Leakage):typical process,high temperature,nominal voltage

2.4.3 组合条件：Scenarios

Scenarios=Interconnect + operation mode + PVT

1.内连线情况：Interconnect corner
即制造对互连线的影响；R_typical C_typical；R_maxl C_max；R_minl C_min；R_maxl C_min；

2.工作模式：function mode ，scan mode, sleep mode, standby mode, active mode
对多种Scenarios的综合分析，称之为MMMC(Multi-Mode Multi-Corner)分析。