数字IC秋招面试专题(四)低功耗设计方法及HVT、UPF介绍

数字IC秋招面试专题(四)低功耗设计方法及HVT、UPF介绍



前言

随着芯片工艺越来越先进,功耗也被越来越关注,低功耗设计转变为芯片设计的常态。故这篇blog简单介绍一下主流的低功耗设计方法,本人也只是了解,并不深入。

一、低功耗设计方法

总体而言,低功耗设计被分为三个阶段:

  1. RTL阶段:主要是通过门控时钟方法,不是最关键的;
  2. 综合阶段:通常用DC对面积、功耗自动优化,可能影响也较小;
  3. P&R:这个阶段应该是对功耗影响最大的部分,多阈值电压多电源多电压电源关断技术动态电压与频率调节技术

  • 门控时钟:直接关闭寄存器的时钟,可以在部分模块使能信号为低时,所有信号停止变化,以此降低翻转功耗
  • 多阈值电压:在时序路径上使用不同阈值电压的器件来降低泄露功耗,高阈值器件泄露功耗低但速度慢,低阈值器件正好相反。所以可以在关键路径上放低阈值器件,非关键路径上放高阈值器件
  • 多电源多电压:对不同的模块可以使用不同的电压域,可以有效降低动态功耗,但是在不同的电压域之间需要电平转换单元(level shifter);
  • 电源关断技术:直接切断模块的供电,这是最有效的降低泄露功耗的办法,但是需要在关断区和非关断区之间加如隔离单元(isolation cell),防止相互影响;
  • 动态电压与频率调节技术:通过对系统的信号负载采样,用算法预测电路性能当预测到电路频率降低时,先降低频率再降低电压;反之,先升高电压再升高频率

二、LVT HVT

一谈到低功耗设计,难免会提到LVT和HVT,那么这到底是是什么呢?

HVT(High V threshold)高电压阈值
LVT (Low V threshold)低电压阈值
SVT (Standard V threshold)标准电压阈值

阈值越低,饱和电流越小,延时越小,但是漏电流会变大;
所以按延迟从小到大排序:LVT < SVT < HVT
按功耗从小到大排序:HVT < SVT < LVT


三、UPF

UPF(unified Power Format),是广泛用于低功耗设计和验证的标准功耗格式,由类似TCL的命令组成,用于描述低功耗意图
这样整个flow的低功耗意图都来自一个文件,降低设计风险。便于多个flow的低功耗验证。

-UPF描述了芯片电源管理的供电网络、isolation cell、level shifter的插入,电源开关的各个方面,它指定如何设计电源网络的一些行为。(具体行为在此就不描述了)




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