QRB5165 硬件设计指南(2)

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本文详细介绍了QRB5165芯片的硬件设计,包括4SoC子系统中的Kryo585应用处理器特性、不同频率的时钟和电压控制、内存支持(如内部存储、外部存储、LPDDR和UFS),以及PoP技术的应用。
摘要由CSDN通过智能技术生成


4 SoC子系统

4.1 处理器

Kryo 585 应用处理器
Kryo 585应用处理器的特性如下:

  • 定制的 64 位 Arm® v8.2 兼容八核 Kryo 应用处理器
  • 八个 Kryo 核心组织成两个集群:
    • 四个高性能 Kryo 核心 – Gold cluster
      • 三个目标频率为 2.5 GHz 的 Gold 核心
      • 一个 Gold prime 核心,主频为 2.8 GHz
    • 四个低功耗 Kryo 核心,四核目标频率为 1.7 GHz – 银色簇
  • 每个 Kryo Gold 核心和每个 Kryo Silver 核心都有专用的 L2 缓存
  • L3 共享缓存 4 MB
    请添加图片描述
图片 : 1.Kryo 585 应用处理器

Kryo 585 总线电源

SMPS 输出 S7A、S8A 和 S9A 在 PMIC 处连接在一起,并作为单个走线路由至 Kryo Gold 集群。SMPS 输出 S10A 作为单独的走线路由至 Kryo Silver 集群。

QRB5165 器件内的每个 Kryo 内核都有一个全局分布式头开关 (GDHS) 为内核供电。

将 3 端子 (3T) 输出大容量电容器尽可能靠近 QRB5165 器件放置,以减少串联电阻并确保瞬态性能。

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图片 : 2.Kryo 585 电源

Kryo 时钟和电压控制器

高性能(金牌)集群和低功耗(银牌)集群以及各自的二级缓存可以在不同频率的不同时钟源上运行。

  • 在银色集群中,所有四个 CPU 和 L2 都是同步的。
  • 在黄金集群中,带有 L2 的 CPU7(主核心)有自己的时钟源,带有 L2 的 CPU4-6 是同步的。
    共享 4 MB L3 缓存(与 APC0 共享电源,但 L3 频率可以与 APC0 不同)。

在 QRB5165 器件启动期间,为了执行应用程序主启动加载程序 (PBL),仅打开 CPU0。

请添加图片描述

图片 : 3. Kryo 时钟和电压控制

4.2记忆

QRB5165 支持内部、外部、PoP、LPDDR 内存以及 UFS 存储。

4.2.1 内部存储器

QRB5165 内部存储器支持以下功能:

  • 引入系统缓存(3 MB)以提高内存系统的性能
    • 附加缓存容量
      • 为单线程工作负载提供 7 MB 总缓存(3 MB 系统缓存 + 4 MB Kryo L3 缓存)
    • 允许与其他块更好地共享数据
      改善服务质量
  • IMEM (256 KB) 用于系统内存
    • 这是片上存储器,以减少对LPDDR5的依赖
    • 这是处理器间内存
    • 这也是 TrustZone 内核的安全内存
  • GMEM (1.25 MB) 专用于图形用例
  • PIMEM(伪 IMEM)加密的、完整性保护的内存区域
  • 引导ROM
  • 此外,还有多个本地存储器 (SRAM) 支持每个子系统

4.2.2 外部存储器

下表列出了 QRB5165 支持的外部存储器配置和设备。

在这里插入图片描述
以下是 QTI QRB5165 + 4G/5G 平台上使用的一些内存:

  • K3LK2K20BM-BGCN (6 GB LPDDR5)
  • THGJFCT0T44BAIL (128 GB UFS3.0)
  • KLUDG4UHDB-B2D1(128 GB UFS3.0)

笔记
16 GB 的最大 DRAM 密度仅来自硬件功能,并且取决于内存供应/验证。

笔记
正式宣布芯片组通过 CS 后,所有经过验证的 DDR 部件号将在 Qualcomm 网站上列出(要查看这些部件号,请单击“硬件组件”选项卡并选择“内存”)。

4.2.3 弹出存储器

PoP 技术使用额外的顶部基板来容纳区域阵列内存封装。

QRB5165 器件 PoP 支持 64 位 (4 × 16) 4 通道堆叠存储器 LPDDR5,从而提高操作带宽并简化布线 — 无需预堆叠。该技术包括低封装翘曲。

有关详细信息,请参阅SM8250/SXR2130/QRB5165/QCS8250/QCS8245 的 PoP 内存建议(80-VP300-16)。

请添加图片描述

图片 : 1. PoP 内存

4.2.4 LPDDR内存

下表显示了 QRB5165-MPSP1099 的底部 BGA 引脚名称。

在这里插入图片描述
通过正确的 BOM 配置,可以实现支持 LPDDR5 的单个 PCB 设计,如下所述。

在这里插入图片描述

图:1.QRB5165原理图 – LPDDR5

LPDDR5 的控制 – VDD2H

  • 连接专用于 PM3003A 的 QRB5165 的任何未使用的 QUP I 2 C(非 SSC QUP)。这是推荐配置。
  • 如果使用所有 QUP I 2 C(非 SSC QUP),则 PM3003A 的 I 2 C 可以在任何 QRB5165 QUP I 2 C(其主控为 TZ)上与其他外围设备共享。
  • PM3003A I 2 C(非 SSC QUP)可在HLOS 控制的任何 QRB5165 QUP I 2 C 上与其他外围设备共享。这是最不推荐的配置。
  • 对于上述三种配置,请使用在开发期间安装在 PM3003A I 2 C 上的 0 Ω 串联电阻。这些 0 Ω 电阻需要在生产中进行 DNI 以避免恶意访问。

4.2.5 通用闪存 (UFS)

UFS 主机控制器符合以下规范:

  • 通用闪存存储 (UFS) (JESD220C) 的 JEDEC 规范 – v3.0
  • UFS 主机控制器接口 (JESD223C) 的 JEDEC 规范 – v3.0
  • MIPI 联盟统一协议规范 (UniPro) – v1.8(2 通道 UFS0)/v1.6(1 通道 UFS1)
  • MIPI 联盟 M-PHY 规范 – v4.1

笔记
QRB5165 提供 1 个 2 通道 UFS 3.1 端口。

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图片 : 1.通用闪存
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