QRB5165 硬件设计指南(2)
4 SoC子系统
4.1 处理器
Kryo 585 应用处理器
Kryo 585应用处理器的特性如下:
- 定制的 64 位 Arm® v8.2 兼容八核 Kryo 应用处理器
- 八个 Kryo 核心组织成两个集群:
- 四个高性能 Kryo 核心 – Gold cluster
- 三个目标频率为 2.5 GHz 的 Gold 核心
- 一个 Gold prime 核心,主频为 2.8 GHz
- 四个低功耗 Kryo 核心,四核目标频率为 1.7 GHz – 银色簇
- 四个高性能 Kryo 核心 – Gold cluster
- 每个 Kryo Gold 核心和每个 Kryo Silver 核心都有专用的 L2 缓存
- L3 共享缓存 4 MB
Kryo 585 总线电源
SMPS 输出 S7A、S8A 和 S9A 在 PMIC 处连接在一起,并作为单个走线路由至 Kryo Gold 集群。SMPS 输出 S10A 作为单独的走线路由至 Kryo Silver 集群。
QRB5165 器件内的每个 Kryo 内核都有一个全局分布式头开关 (GDHS) 为内核供电。
将 3 端子 (3T) 输出大容量电容器尽可能靠近 QRB5165 器件放置,以减少串联电阻并确保瞬态性能。
Kryo 时钟和电压控制器
高性能(金牌)集群和低功耗(银牌)集群以及各自的二级缓存可以在不同频率的不同时钟源上运行。
- 在银色集群中,所有四个 CPU 和 L2 都是同步的。
- 在黄金集群中,带有 L2 的 CPU7(主核心)有自己的时钟源,带有 L2 的 CPU4-6 是同步的。
共享 4 MB L3 缓存(与 APC0 共享电源,但 L3 频率可以与 APC0 不同)。
在 QRB5165 器件启动期间,为了执行应用程序主启动加载程序 (PBL),仅打开 CPU0。
4.2记忆
QRB5165 支持内部、外部、PoP、LPDDR 内存以及 UFS 存储。
4.2.1 内部存储器
QRB5165 内部存储器支持以下功能:
- 引入系统缓存(3 MB)以提高内存系统的性能
- 附加缓存容量
- 为单线程工作负载提供 7 MB 总缓存(3 MB 系统缓存 + 4 MB Kryo L3 缓存)
- 允许与其他块更好地共享数据
改善服务质量
- 附加缓存容量
- IMEM (256 KB) 用于系统内存
- 这是片上存储器,以减少对LPDDR5的依赖
- 这是处理器间内存
- 这也是 TrustZone 内核的安全内存
- GMEM (1.25 MB) 专用于图形用例
- PIMEM(伪 IMEM)加密的、完整性保护的内存区域
- 引导ROM
- 此外,还有多个本地存储器 (SRAM) 支持每个子系统
4.2.2 外部存储器
下表列出了 QRB5165 支持的外部存储器配置和设备。
以下是 QTI QRB5165 + 4G/5G 平台上使用的一些内存:
- K3LK2K20BM-BGCN (6 GB LPDDR5)
- THGJFCT0T44BAIL (128 GB UFS3.0)
- KLUDG4UHDB-B2D1(128 GB UFS3.0)
笔记
16 GB 的最大 DRAM 密度仅来自硬件功能,并且取决于内存供应/验证。
笔记
正式宣布芯片组通过 CS 后,所有经过验证的 DDR 部件号将在 Qualcomm 网站上列出(要查看这些部件号,请单击“硬件组件”选项卡并选择“内存”)。
4.2.3 弹出存储器
PoP 技术使用额外的顶部基板来容纳区域阵列内存封装。
QRB5165 器件 PoP 支持 64 位 (4 × 16) 4 通道堆叠存储器 LPDDR5,从而提高操作带宽并简化布线 — 无需预堆叠。该技术包括低封装翘曲。
有关详细信息,请参阅SM8250/SXR2130/QRB5165/QCS8250/QCS8245 的 PoP 内存建议(80-VP300-16)。
4.2.4 LPDDR内存
下表显示了 QRB5165-MPSP1099 的底部 BGA 引脚名称。
通过正确的 BOM 配置,可以实现支持 LPDDR5 的单个 PCB 设计,如下所述。
LPDDR5 的控制 – VDD2H
- 连接专用于 PM3003A 的 QRB5165 的任何未使用的 QUP I 2 C(非 SSC QUP)。这是推荐配置。
- 如果使用所有 QUP I 2 C(非 SSC QUP),则 PM3003A 的 I 2 C 可以在任何 QRB5165 QUP I 2 C(其主控为 TZ)上与其他外围设备共享。
- PM3003A I 2 C(非 SSC QUP)可在HLOS 控制的任何 QRB5165 QUP I 2 C 上与其他外围设备共享。这是最不推荐的配置。
- 对于上述三种配置,请使用在开发期间安装在 PM3003A I 2 C 上的 0 Ω 串联电阻。这些 0 Ω 电阻需要在生产中进行 DNI 以避免恶意访问。
4.2.5 通用闪存 (UFS)
UFS 主机控制器符合以下规范:
- 通用闪存存储 (UFS) (JESD220C) 的 JEDEC 规范 – v3.0
- UFS 主机控制器接口 (JESD223C) 的 JEDEC 规范 – v3.0
- MIPI 联盟统一协议规范 (UniPro) – v1.8(2 通道 UFS0)/v1.6(1 通道 UFS1)
- MIPI 联盟 M-PHY 规范 – v4.1
笔记
QRB5165 提供 1 个 2 通道 UFS 3.1 端口。