当用作续流二极管时，SiC MOSFET中的寄生PN二极管是要被抑制的

当SiC MOSFET用作续流二极管时，存在于MOSFET的源极和漏极之间的寄生PN二极管可能会引起问题。这是因为寄生二极管比专用续流二极管具有更高的正向电压降，这可能导致更高的功率损耗和更高的工作温度。
此外，寄生二极管的恢复时间比专用续流二极管慢，这可能导致更高的开关损耗和EMI（电磁干扰）问题。这会限制电路的最大开关频率，这在高频应用中可能是一个问题。
为了解决这些问题，通常使用与SiC MOSFET并联的外部续流二极管。该二极管可以选择为具有比寄生二极管更低的正向电压降和更快的恢复时间，这可以提高电路的整体性能。此外，使用外部续流二极管可以帮助减少MOSFET上的热应力，这可以延长其寿命并提高可靠性。