A discussion of integrated circuits

芯片分类

功能分类

通常情况下，对芯片的分类有两种方式，一般会根据芯片功能进行分类，不过有时也会根据使用的集成电路划分不同的类型。

按照功能划分，可以分为四种类型，主要是内存芯片、微处理器、标准芯片和复杂的片上系统(SoCs)。

内存芯片

从功能上看，半导体存储芯片将数据和程序存储在计算机和数据存储设备上。随机存取存储器(RAM)芯片提供临时的工作空间，而闪存芯片则可以永久保存信息，除非主动删除这些信息。只读存储器(ROM)和可编程只读存储器(PROM)芯片不能修改。而可擦可编程只读存储器(EPROM)和电可擦只读存储器(EEPROM)芯片可以是可以修改的。

初学MCU的人，经常会看到ROM, RAM, FLASH，而且会被这些词汇搞得晕头转向。本文对这些概念进行了厘清，并介绍了这些Memory的区别，以及它们在MCU中的作用。

RAM-随机存取存储器(Random Access Memory)-高性能

【需要被改写的量，全局变量，局部变量，堆栈段都在RAM中】

【断电丢失】

【只不过因为RAM是其中最重要的存储器。 通常所说的内存即指电脑系统中的RAM。 RAM要求每时每刻都不断地供电，否则数据会丢失。 如果在关闭电源以后RAM中的数据也不丢失就好了，这样就可以在每一次开机时都保证电脑处于上一次关机的状态，而不必每次都重新启动电脑，重新打开应用程序了。】

随机存取存储器（英语：Random Access Memory，缩写：RAM），也叫主存，是与 CPU 直接交换数据的内部存储器。

RAM (Random Access Memory)随机访问存储器. RAM又称随机存取存储器，存储单元的内容可按照需要随机取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关。. 这种存储器在断电时，将丢失其存储内容，所以主要用于存储短时间使用的程序。. 它主要用来存储程序中用到的变量。. 凡是整个程序中，所用到的需要被改写的量（包括全局变量、局部变量、堆栈段等），都存储在RAM中。


【自锁。】【电容。】

1) 静态RAM（Static RAM / SRAM）

【昂贵，快速，用于二级缓冲，cache】

1. 静态RAM（Static RAM / SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，【譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲】。
   【不需要刷新，性能好。】【不用电容，用互锁。】
   【面积大，成本高。】
   【SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，功耗较DRAM大 [1] ，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM显得更贵。 [2]】

静态随机存取存储器（Static Random-Access Memory，SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。

SRAM (Static RAM），即静态RAM.它也由晶体管组成。 接通代表1，断开表示0，并且状态会保持到接收了一个改变信号为止。

最小的SRAM单元我们称为一个bit，他只能存储一个信号0或者1，这样的一个bit由6个晶体管构成，分为2个PMOS（PU），4个NMOS（PD，PG），这里PU和PD形成一个反相器，两个反相器形成互锁结构，通过这样的特性来实现数据的保存。
PU（pull up）也称为load transistor，他的功能是实现节点的高电位也就是1的状态，
PD（pull down）也称为drive transistor，他的功能是实现节点的低电位也就是0的状态，这样一个bit中的两个节点（SNL和SNR）高低电位互换，就能实现0和1两种状态的存储，
PG（pass gate）也称为access transistor，他的功能是实现bitline 的接入，以实现读写功能。
参考：SRAM小科普【基本单元-读写存储操作。】

优点: 较高的性能

基本的SRAM的架构如图1所示，SRAM一般可分为五大部分：
1、存储单元阵列（core cells array），
2、行/列地址译码器(decode），
3、灵敏放大器(Sense Amplifier），

高性能灵敏放大器应对位线电压变化感应灵敏, 当其变化超过10% 时就应输出译码电路选中的存储单元内的值, 同时要求抗干扰能力强, 功耗小。常规的CMOS交叉耦合灵敏放大器对信号的上拉作用强, 下拉作用弱, 无论在电路响应速度、增益还是在输出摆幅上都难以达到要求；而差分结构的灵敏放大电路的直流功耗是相当大的，这些都限制了SRAM 。

为了在设计中既能提高存储单元的读取速度，又能增大信号的摆幅，在设计中，我们采用了差分与交叉耦合级联结构。【速度，摆幅】

高性能灵敏放大器应对位线电压变化感应灵敏, 当其变化超过10% 时就应输出译码电路选中的存储单元内的值, 同时要求抗干扰能力强, 功耗小。常规的CMOS交叉耦合灵敏放大器对信号的上拉作用强, 下拉作用弱, 无论在电路响应速度、增益还是在输出摆幅上都难以达到要求；而差分结构的灵敏放大电路的直流功耗是相当大的，这些都限制了SRAM 总体性能的提高。

参考：SRAM灵敏放大器的类型及设计思想
4、控制电路（control circuit），
5、缓冲/驱动电路（FFIO）。

注：FIFO( First Input First Output)简单说就是指先进先出。由于微电子技术的飞速发展，新一代FIFO芯片容量越来越大，体积越来越小，价格越来越便宜。作为一种新型大规模集成电路，FIFO芯片以其灵活、方便、高效的特性，逐渐在高速数据采集、高速数据处理、高速数据传输以及多机处理系统中得到越来越广泛的应用。

FIFO是英文First In First Out 的缩写，是一种先进先出的数据缓存器，他与普通存储器的区别是没有外部读写地址线，这样使用起来非常简单，但缺点就是只能顺序写入数据，顺序的读出数据，其数据地址由内部读写指针自动加1完成，不能像普通存储器那样可以由地址线决定读取或写入某个指定的地址。【堆栈。】

SRAM是静态存储方式，以双稳态电路作为存储单元，SRAM不像DRAM一样需要不断刷新，而且工作速度较快，但由于存储单元器件较多，集成度不太高，功耗也较大。

SRAM主要用于二级高速缓存（Level2 Cache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。

静态随机存取存储器（Static Random-Access Memory，SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatile memory），这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。【不需要更新，但是掉电数据小时，通常用于一二级缓存，成本较高。功耗大。】

缓存（cache），原始意义是指访问速度比一般随机存取存储器（RAM）快的一种高速存储器，通常它不像系统主存那样使用DRAM技术，而使用昂贵但较快速的SRAM技术。缓存的设置是所有现代计算机系统发挥高性能的重要因素之一。

SRAM的速度快但昂贵，一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM 之间的缓存（cache）.SRAM也有许多种，如AsyncSRAM (Asynchronous SRAM，异步SRAM）、Sync SRAM (Synchronous SRAM，同步SRAM）、PBSRAM (Pipelined Burst SRAM，流水式突发SRAM），还有INTEL没有公布细节的CSRAM等。
基本的SRAM的架构如图1所示，SRAM一般可分为五大部分：存储单元阵列（core cells array），行/列地址译码器(decode），灵敏放大器(Sense Amplifier），控制电路（control circuit），缓冲/驱动电路（FFIO）。SRAM是静态存储方式，以双稳态电路作为存储单元，SRAM不像DRAM一样需要不断刷新，而且工作速度较快，但由于存储单元器件较多，集成度不太高，功耗也较大。
1、AsyncSRAM (Asynchronous SRAM，异步SRAM）、
2、Sync SRAM (Synchronous SRAM，同步SRAM）、
3、PBSRAM (Pipelined Burst SRAM，流水式突发SRAM），
4、还有INTEL没有公布细节的CSRAM等。

搞FPGA，SRAM是必过的一关，毕竟芯片最核心的就是运算与存储，详细介绍了标准工艺下的SRAM工作原理，一般工艺库或者实例化的SRAM使用的就是这种标准SRAM，有地址译码器，地址线，数据线，位宽，读写使能，总体结构还是非常清晰的。当然了，还有一些定制的SRAM，这种往往设计就比较灵活了，结构也略微不一样，用在专用电路里面，比如存内计算，忆阻器RRAM啥的，本篇不作为重点。。

2) 动态RAM（Dynamic RAM / DRAM）

参考：内部存储器——②动态存储器
　2) 动态RAM（Dynamic RAM / DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。

参考：DRAM原理
（这篇比较好，接近原文，较为详细的对DRAM的物理结构进行了剖析。）

参考：DRAM芯片的组成结构

现代DRAM内存系统主要由内存控制器和内存芯片组成，DRAM芯片是一个由块（Bank），行（Row），列（Column） 组成的三维结构。
1、Bank： 一个二维的存储矩阵，包含Row和Column，单个Bank有若干行若干列，一行一般存储着连续的几KB的数据。【二维矩阵Bank，二维矩阵中的单个单元为Cell】
Cell： 行和列对应的存储单元
3、Rank： 一个Rank由一组Bank组成（一般来说1个Rank包含8个Bank），同一个Rank里面的Bank能同时访问，称为Bank级并行性（Bank Level Parallelism BLP）。【三维结构，RANK】
Channel： DRAM一般由若干个独立的内存通道（Channel）组成，每个通道包含若干个Rank。【多个三维的RANK组成，一个信道】

访问DRAM Bank的地址包括行地址和列地址，由DRAM控制器上的行地址选通脉冲RAS（Row Address Strobe）和列地址选通脉冲CAS（Column Address Strobe）来选择行地址和列地址，处理器的访存请求会被映射到DRAM Bank上，然后在Bank内分别以行访问和列访问选中二维存储矩阵中的一个单元（Cell），然后就可以进行读写数据了。
　DRAM由于构造简单，高密度，作为电脑的主存非常适合。但由于主存通常放在CPU之外，从工厂出来的颗粒需要封装和组合之后才可以和CPU相连，因此从CPU到DRAM颗粒之间依次按层级由大到小分为channel > DIMM > rank > chip > bank > row/column。（和lz之前想的差不多，就跟先到哪条街道，哪个小区单元，哪个栋楼，几层几单元的地址格局一样）。下面，让我们来一一说明这些部分：
　
　 channel （对应多个DDR控制器）> DIMM（内存插槽） > rank（一次访问位宽决定，也成物理bank） > chip（1个chip大多是4bit/8bit/16bit等，组成一个rank，配合完成一次访问的位宽要求。 这就是颗粒） > bank（颗粒里的logic-bank，DDR3一般对应8个bank存储体） > row/column

注：DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。

SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输;而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。

与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步;DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。

从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。

DRAM储存单元的读写

参考：DRAM储存单元的读写
DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即动态随机存储器，最常见的应用场景是电脑和手机的内存，是目前的电路系统中不可或缺的重要组成部分，本文会细致且较为形象的说明DRAM存储数据以及读取数据的全过程。

1. 单管构成的DRAM最小单元
   单管DRAM是目前大容量存储器唯一的选择方案。电路构成上包括一个读写开关管和一个存储电容器，如下图所示。利用存储电容器存储数据，如果存储电容器上存有电荷，则表示存储单元存储1，否则存储0。
   

哦，对了，差了忘记了，如果没有外界水道中的水来补充水库，那么水库中的水位由于蒸发、渗透，水量会慢慢减少，最后干涸。因此，原理图中电容也是一样，需要隔一段时间检测刷新，充电，这就是动态的根本原因。
①存储
MOSFET栅极电势为0V时，电容的电荷不会流出，因此数据就可以保存我们可以用2.5V为参考分界线，电容电势低于2.5V时，表示数据0，电势高于2.5V时，表示数据1。例如上一楼水库模型的左图，电容中储存的电子数高于一半的高度，电势低于2.5V，因此可以表示数据0。但以上只是理论情况，实际上电容会自然漏电，电子数量会逐渐减少，电势就会逐渐升高，当电势升高到2.5V以上时，数据就会出错，因此每隔一段时间必须打开MOSFET往电容中充电，以保持电势，这就是刷新。因此，数据的储存主要就是对电容中电势的保持操作。

②读取
读取的时候，对漏极的电压操作跟写入有些不同。因为水道中的水比水池中的多，或者说水道的容量比水池要大得多。如果水道（漏极）的水为满或者空，在阀门打开的时候很容易出现水道的水倒灌进水池的现象，或是水池的水全部流去水道，这样就有可能导致电容中的电势状态改变，电容对应储存的0或者1也会改变。所以读取数据的时候，IO线路的电压应为1/2的满电势，即2.5V。

读取也同样分读取0和1两种情况。在读取之前，电容中的电势应该是大于或者小于2.5V的，分别代表存储了1和0。由于刷新机制的存在，应该不会允许出现等于2.5V的情况。

分类

DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM / FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等。

1、FPRAM / FastPage、
　
　2、EDORAM、(extended data output RAM)

• EDORAM是通过取消两个存储周期之间的时间间隔，来提高存取速率的。
• EDO RAM (extended data output RAM)是一种在通常RAM中加入一块静态RAM(SRAM)而生成的动态存储器(DRAM)。
  -因为静态RAM的访问速度要快于DRAM，所以这会加快访问内存的速度。EDRAM有时作为二级缓存和ESDRAM(带缓存的RAM)一起使用。装入EDRAM中SRAM部分中的数据可以被处理器以15ns的速度访问。如果数据未在SRAM，需要35ns时间从EDRAM中获得。EDO RAM是一种随机访问存储器(RAM)芯片，它供快速处理器，如Pentium进行快速的内存访问。EDO RAM原先是为66 MHz Pentium处理器优化设计的，对于新一代速度更快的计算机，使用不同类型的同步动态RAM(SDRAM)是更为合适的。

3、SDRAM、

• 同步动态随机存取内存（synchronous dynamic random-access memory，简称SDRAM）是有一个同步接口的动态随机存取内存（DRAM）。通常DRAM是有一个异步接口的，这样它可以随时响应控制输入的变化。

4、DDR RAM、（）

• DDR内存全称是DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM，双倍速率SDRAM)。 DDR SDRAM最早是由 三星公司 于1996年提出，由日本电气、 三菱 、 富士通 、东芝、日立、 德州仪器 、三星及现代等八家公司协议订立的内存规格，并得到了AMD、VIA与SiS等主要 芯片组 厂商的支持。

5、RDRAM、（Rambus DRAM）

• RDRAM：RDRAM（Rambus DRAM）是美国的RAMBUS公司开发的一种内存。与DDR和SDRAM不同，它采用了串行的数据传输模式。在推出时，因为其彻底改变了内存的传输模式，无法保证与原有的制造工艺相兼容，而且内存厂商要生产RDRAM还必须要交纳一定专利费用，再加上其本身制造成本，就导致了RDRAM从一问世就高昂的价格让普通用户无法接受。而同时期的DDR则能以较低的价格，不错的性能，逐渐成为主流，虽然RDRAM曾受到英特尔公司的大力支持，但始终没有成为主流。
• RDRAM的数据存储位宽是16位，远低于DDR和SDRAM的64位。但在频率方面则远远高于二者，可以达到400MHz乃至更高。同样也是在一个时钟周期内传输两次次数据，能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，内存带宽能达到1.6Gbyte/s。

6、SGRAM-（synchronous graphics random-access memory）-同步图像随机存储

• SGRAM 简介. 编辑. SGRAM （synchronous graphics random-access memory）是有一个同步接口的动态随机存取内存，即 DRAM 的一种。. 它专门为 显卡 设计，通常是作为一种图形读写能力较强的显存使用。. 其本质是由 SDRAM 改良而成。. 和一般的SDRAM不同的是，其读取是以“块”（Block）为单位，从而明显减少了读写次数，提高图形控制器效率。
• SGRAM也分为SGRAM和DDR SGRAM两种。. 和普通SDRAM的双边引脚TSOP封装区别是，SGRAM通常采用四边引脚的封装方式。
• SGRAM读写数据时不是一一读取，而是以“块”（Block）为单位，从而减少了内存整体读写的次数，提高了图形控制器的效率。.

7、WRAM等。
SDRAM-同步动态随机存取内存-（synchronous dynamic random-access memory)
同步动态随机存取内存（synchronous dynamic random-access memory，简称SDRAM）是有一个同步接口的动态随机存取内存（DRAM）。通常DRAM是有一个异步接口的，这样它可以随时响应控制输入的变化。

SDRAM有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线同步。时钟被用来驱动一个有限状态机，对进入的指令进行管线(Pipeline)操作。这使得SDRAM与没有同步接口的异步DRAM(asynchronous DRAM)相比，可以有一个更复杂的操作模式。

管线意味着芯片可以在处理完之前的指令前，接受一个新的指令。在一个写入的管线中，写入命令在另一个指令执行完之后可以立刻执行，而不需要等待数据写入存储队列的时间。在一个读取的流水线中，需要的数据在读取指令发出之后固定数量的时钟频率后到达，而这个等待的过程可以发出其它附加指令。这种延迟被称为等待时间(Latency)，在为计算机购买内存时是一个很重要的参数。

SDRAM在计算机中被广泛使用，从起初的SDRAM到之后一代的DDR（或称DDR1），然后是DDR2和DDR3进入大众市场，2015年开始DDR4进入消费市场。

①SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）：为同步动态随机存取内存。1996年底，SDRAM开始在系统中出现，不同于早期的技术，SDRAM是为了与中央处理器的计时同步化所设计，这使得内存控制器能够掌握准备所要求的数据所需的准确时钟周期,因此中央处理器从此不需要延后下一次的数据存取。举例而言，PC66 SDRAM以66MHz的速度运作；PC100 SDRAM以100MHz的速度运作；PC133 SDRAM以133MHz的速度运作，以此类推。所以SDRAM也可以称之为Single Data Rate(单倍数据传输率)RAM。
　
②4DR SDRAM（Double Data Rate SDRAM）：为双信道同步动态随机存取内存，是新一代的SDRAM技术。DDR内存芯片的数据预取宽度（Prefetch）为2 bit（SDRAM的两倍）。【举例而言，使用DDR SDRAM时，一个100MHZ或 133MHz内存总线clock rate能够达到200MHz或266MHz的实际数据传输速率。】
随着处理器处理能力的快速提高,以及通信系统和图像处理等领域对数据高容量存储、大吞吐量传输的要求,DDR,DDR2以及DDR3DRAM存储器得到了越来越广泛的应用。这些存储器的工作频率都在100 MHz以上,高的可达1 GHz,这使得系统设计中的总线时序问题变得十分突出。如果在系统设计中芯片的时序要求得不到满足,轻则会导致系统出现误码,处理能力降低,运行不稳定,严重的甚至会导致系统不能启动。本文阐述高速数字总线的模型及时序分析方法,并给出SMP8634DDR多媒体处理器与DDR DRAM连接的计算实例。
【系统总线时序 问题。】
在炭入式系统中尤其是图像处理和通信系统中,总线的速度越来越快,对时序的要求越来越严格,尤其是DDR,DDR2,DDR3存储器的广泛使用,需要我们在设计中对总线时序进行严格估算,在满足时序要求和方便PCB布线之间,找到折中点,在某些情况下还需要使用专业的仿真软件对高速总线的时序质量进行仿真以保证系统运行的稳定性[6.7.8]。本文中,介绍的DDR估算原理,同样也可用于DDR2、DDR3等存储器的时序计算。

DDR2 SDRAM（Double Data Rate Two SDRAM）：为双信道两次同步动态随机存取内存。DDR2内存Prefetch又再度提升至4 bit（DDR的两倍），即每次会存取4 bits为一组的数据，以两倍的频率输出至Data Bus以核心速度200MHz为例，数据传输速度DDR可达400MT/s，DDR2则可达800MT/s，数据存取效率倍增。

DDR3 SDRAM（Double Data Rate Three SDRAM）：为双信道三次同步动态随机存取内存。DDR3内存Prefetch提升至8 bit，即每次会存取8 bits为一组的数据。运算频率介于 800MHz -1600MHz之间。此外，DDR3 的规格要求将电压控制在1.5V，较 DDR2的1.8V更为省电。DDR3并新增 thermal sensor 的功能，为了要确保所存贮的数据不遗失，因此必须要定期 self-refresh ，不过为了节省电力，DDR3采用 ASR(Automatic self-refresh) 的设计，以确保在数据不遗失情况下，尽量减少更新频率来降低温度。

【DDR SDRAM】【】
【DDR5】

内存和外存的本质区别是，一个是内部运行提供缓存和处理的功能，也可以理解为协同处理的通道；而外存主要是针对储存文件、图片、视频、文字等信息的载体，也可以理解为储存空间。. 内存是计算机中重要的部件之一，它是与CPU进行沟通的桥梁。. 计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，因此内存的性能对计算机的影响非常大。. 内存 (Memory)也被称为内存储器，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。. 只要计算机在运行中，CPU就会把需要运算的数据调到内存中进行运算，当运算完成后CPU再将结果传送出来，内存的运行也决定了计算机的稳定运行。. 内存是由内存芯片、电路板、金手指等部分组成的。

发展

那么对于DRAM来说，现在的产品有哪些呢？DRAM其实和我们的生活经常有联系，我们在买电脑的时候需要配一个叫内存条的东西，它就是DRAM，肯定会有人说那个不是英文叫DDR4,DDR3之类的吗？这里就需要了解一下DRAM的分支了，现阶段的DRAM在应用时，根据结构和技术指标主要分为3种

1、DDR（多配合CPU等逻辑芯片使用，也就是我们电脑里插的内存条）

2、GDDR（在GPU上应用较多）

3、HBM（多用于高端GPU和AI芯片）

它们的传输速度（bandwidth）排序大致为HBM>GDDR>DDR，需要了解的是，在DRAM产品中bandwidth是一个很重要的参数，它意味着每秒的数据传输量，直接关系到了系统的计算速度，特别是在如今这个AI的风口上，对于DRAM产品的bandwidth要求越来越高【速率要求高】，这直接导致了HBM的应用与发展（之后会特别列一篇短文来介绍HBM）。

图五中，半虚线的颜色表示已经倒闭，箭头表示厂家被合并，那么其实可以看到目前DRAM厂商主要分成四块，三星（SAMSUNG）一家独大占据了半壁江山45%，同是韩国的厂商海力士（SK hynix）紧随其后29%，美国厂家美光（MICRON）21%，台湾厂家南亚科等5%。可以说中国目前在这方面处于起步阶段，那么是不是说没有机会呢？其实相反，如果从我个人的角度来说，我认为从现在进入这个市场反而是一个不错的时机。

在今年2018的IEDM上，SK-hynix提到了关于电容微缩的瓶颈问题，解释这个问题之前我们先明白一个概念，在DRAM中我们需要把电容值维持在一个相对固定的量。我们在之前有提到电容的结构大致是一个圆柱形，包括现在的DDR4内的电容圆柱其实都是多层的，为了继续微缩DRAM会把圆柱的半径越做越小，如果把半径继续减少就要把多层变成单层，这时为了保持电容值不变就要把圆柱电容做的越来越高，这其实是一个很大的挑战，同时要做两件事
1、更改电容结构（目前的结构大约用了5到7年了）
2、拉高圆柱电容（可以想象以前只要盖一座普通电视塔，现在要盖东方明珠了）。

因为这个瓶颈的出现，很可能DRAM的新技术推进会延迟2到3年，那么只要在DDR5推出之前，中国把现有的DDR4量产化，市场的份额就能拉回来。另一个不定因素就是HBM的推进，这是AI布局的热点，而且沿用的技术更多的是涉及封装和DDR4，如果能在做出DDR4的基础上，进行HBM的研究与量产，很可能就能弯道超车。

HBM==High Bandwidth Memory 是一款新型的CPU/GPU 内存芯片（即 “RAM”），其实就是将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列。先看个平面图：【高带宽存储芯片，堆叠。】

近日,SK海力士宣布推出全球首款DDR5 DRAM。DDR5是新一代DRAM标准,此次SK海力士推出的DDR5 DRAM作为超高速、高容量产品,尤其适用于大数据、人工智能及机器学习等领域。SK海力士于2018年11月成功开发全球首款16Gb DDR5 DRAM之后,向英特尔等核心客户提供样品,并完成了一系列测试与性能、兼容性验证等程序。此番成果意味着SK海力士在即将到来的DDR5市场随时能够销售相关产品。 【2020】

存储空间-存储芯片

单片机运行时的数据都存在RAM（随机存储器）中，在掉电后RAM中的数据是无法保留的，那么怎样使数据在掉电后不丢失呢？这就需要使用EEPROM或FLASHROM等存储器来实现。

ROM最初不能编程，出场什么内容就永远什么内容，不灵活。后来出现了PROM，可以自己写入一次，要是写错了，只能换一片，随着不断改进，终于出现了可以多次擦除写入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下，想一下，你往单片机上下了一个程序后发现有个地方需要加一句话，为此你要把单片机放紫外线下照半小时，然后才能再下一次，这么折腾一天也改不了几次。历史的车轮不断前进，伟大的EEPROM出现了，拯救了一大批程序员，终于可以随意地修改ROM中地内容了。

不可修改芯片

1、只读存储器(ROM)（Read-Only Memory，ROM）

只读存储器（Read-Only Memory，ROM）以非破坏性读出方式工作，只能读出无法写入信息。信息一旦写入后就固定下来，即使切断电源，信息也不会丢失，所以又称为固定存储器。ROM所存数据通常是装入整机前写入的，整机工作过程中只能读出，不像随机存储器能快速方便地改写存储内容。ROM所存数据稳定 ，断电后所存数据也不会改变，并且结构较简单，使用方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。

除少数种类的只读存储器（如字符发生器）可通用之外，不同种类的只读存储器功能不同。
为便于用户使用和大批量生产，进一步发展出可编程只读存储器（PROM）、可擦可编程序只读存储器（EPROM）和带电可擦可编程只读存储器（EEPROM）等不同的种类。ROM应用广泛，诸如Apple II或IBM PC XT/AT等早期个人电脑的开机程序（操作系统）或是其他各种微电脑系统中的轫体（Firmware），所使用的硬件都是ROM。

2、可编程只读存储器(PROM)芯片(Programmable read-only memory)

为了便于使用和大批量生产，进一步发展出了可编程只读存储器（PROM）、可擦除可编程只读存储器（EPROM）。EPROM需要用紫外线长时间照射才能擦除，使用很不方便。

可修改芯片

1、可擦可编程只读存储器(EPROM)（Erasable Programmable ROM)

为了便于使用和大批量生产，进一步发展出了可编程只读存储器（PROM）、可擦除可编程只读存储器（EPROM）。EPROM需要用紫外线长时间照射才能擦除，使用很不方便。

EPROM由以色列工程师Dov Frohman发明，是一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片——即非易失性的（非挥发性）。它是一组浮栅晶体管，被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分别编程。一旦编程完成后，EPROM只能用强紫外线照射来擦除。通过封装顶部能看见硅片的透明窗口，很容易识别EPROM，这个窗口同时用来进行紫外线擦除。可以将EPROM的玻璃窗对准阳光直射一段时间就可以擦除。

2、电可擦只读存储器(EEPROM)芯片(Electrically Erasable Programmableread only memor)

EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可编程ROM）
1980s又出现了电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），它克服了EPROM的不足，但是集成度不高、价格较贵。
参考：EEPROM（IIC总线）实验操作演示
说道EEPROM,用的比较多的可能是24C02这类。但其实很多单片机的片上都集成了一部分EEPROM,可以替代24C02.这些片上EEPROM的功能和24C02是一样的,数据掉电不丢失。所以,掌握单片机的片上EEPROM后,可以节约一部分成本。

闪存芯片Flash

参考：深入了解存储系统之闪存 （Flash Memory）-NOR FLASH,NAND FLASH
闪存（Flash Memory）是由日本的 舛岡富士雄 （Fujio Muoka）发明的。他分别于1966年和1971年从日本东北大学（Tohoku University）获得学士和博士学位，博士毕业之后他加入了东芝（Toshiba）公司。在东芝工作期间，他分别于1980年和1988年发明了NOR Flash 和 NAND Flash。

【快速读写，掉电不丢失，】
于是又发展出了一种新型的存储单元结构同EPROM类似的快闪存储器（FLASH MEMORY）。FLASH集成度高、功耗低、体积小，又能在线快速擦除，因而获得了快速发展。
FLASH属于广义上的ROM，和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作，相对于EEPROM的改进就是擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位，一次简化了电路，数据密度更高，降低了成本。 上M的ROM一般都是FLASH。
U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码，或者直接当硬盘使用（U盘）。

Flash里面可以直接做内存的只有NOR，NAND Flash不可以直接寻址，或者说没办法直接挂在CPU总线上线性访问。

flash是存储芯片的一种，通过特定的程序可以修改里面的数据。FLASH在电子以及半导体领域内往往表示Flash Memory的意思，即平时所说的“闪存”，全名叫Flash EEPROM Memory。

flash存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还可以快速读取数据（NVRAM的优势），使数据不会因为断电而丢失。

Flash的内部存储是金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET)，里面有个悬浮门(Floating Gate)，是真正存储数据的单元。 数据在Flash内存单元中是以电荷(electrical charge) 形式存储的。

参考：浮栅晶体管存储技术。

Flash的基本组成单元是浮栅晶体管，其状态可以用来指示二进制的0或1。写操作就是往晶体管中注入电子，使之充电；擦除操作则是把晶体管中的电子排出，使之放电。由于这是个模拟系统，晶体管并不存在绝对的空和满状态，其中的电子数目可以处于空和满之间的任一个状态。

【NORFlash】【NANDFlash】
【小容量】【大容量】
【---------】【需要NANDFlash】
【总线可访问】【总线不可线性访问】
【并行接口】【SSD硬盘，U盘，SD卡】
【读写速度快】【速度较慢】
【单位容量成本高】【----】
【存储代码】【存储大容量数据，手机视频。】

Flash里面可以直接做内存的只有NOR，NAND Flash不可以直接寻址，或者说没办法直接挂在CPU总线上线性访问。
　截至2012年，有许多的尝试想把闪存作为电脑的主存，动态随机存取存储器（DRAM）。在这个应用角色上，闪存的速度是比现有的DRAM慢，但是耗电量却远小于DRAM。【比ROM快，比RAM慢。】

目前Flash主要有两种NORFlash和NANDFlash。NORFlash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NORFLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。

NANDFlash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NANDFlash上的代码，因此好多使用NANDFlash的开发板除了使用NANDFlash以外，还加上了一块小的NORFlash来运行启动代码。

一般小容量的用NORFlash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NANDFLASH，最常见的NANDFLASH应用是嵌入式系统采用的DOC（Disk On Chip）和我们通常用的“闪盘”，可以在线擦除。目前市面上的FLASH主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Mxic，而生产NANDFlash的主要厂家有Samsung，Toshiba，Micron和Hynix。

层次

Flash中存在下面几个基本概念：package、die、plane、block、page(page对应于普通硬盘HDD中的sector，即常说的扇区)。 下面是一个示意图，我们由大到小拆解下：

1、package是存储芯片，即拆解固态硬盘或者SD卡后看到的NAND Flash颗粒。
2、每个package包含一个或多个die。die是可以独立执行命令并上报状态的最小单元。
3、每个die包含一个或多个plane(通常是1个或2个)。不同的plane间可以并发操作，不过有一些限制。
4、每个plane包含多block*，block是最小擦除单元。
擦除的对象是block，通常包含32或64个page（16KB或64KB）。每个block在写入前需要先擦除。block擦除前，需要保证本block上所有page中都不包含有效数据（如果有些page包含有效数据，需要先搬移到其他地方）。
（1）先把本page所属block的数据全部读出来，比如先读到内存DRAM
（2）然后修改对应page的内容
（3）接下来擦除整个block
（4）最后把修改后的block数据回写到Flash
Flash芯片上block的擦写次数是有限的，最大擦写次数称为PE Cycles(Program erase cycles, 往Flash写入的过程又称为编程过程，即program)。如果采用上面的方法进行原址更新，Flash很容易就会被用坏的。一个折中的方法是：将新数据写到一个新的page中，并将原来的page标记为无效，如下图所示：
5、每个block包含多个page， page是最小的读写单元。【】
Flash中存在下面几个基本概念：package、die、plane、block、page(page对应于普通硬盘HDD中的sector，即常说的扇区)。
读写的操作对象是page，通常是512字节或者2KB。

微处理器芯片

微处理器包括一个或多个中央处理器(CPU)。计算机服务器、个人电脑(PC)、平板电脑和智能手机可能都有多个CPU。PC和服务器中的32位和64位微处理器基于x86、POWER和SPARC芯片架构。而移动设备通常使用ARM芯片架构。功能较弱的8位、16位和24位微处理器则主要用在玩具和汽车等产品中。

标准芯片

标准芯片，也称为商用集成电路，是用于执行重复处理程序的简单芯片。这些芯片会被批量生产，通常用于条形码扫描仪等用途简单的设备。商用IC市场的特点是利润率较低，主要由亚洲大型半导体制造商主导。

Soc芯片

SoC是最受厂商欢迎的一种新型芯片。在SoC中，整个系统所需的所有电子元件都被构建到一个单芯片中。SoC的功能比微控制器芯片更广泛，后者通常将CPU与RAM、ROM和输入/输出(I/O)设备相结合。在智能手机中，SoC还可以集成图形、相机、音频和视频处理功能。通过添加一个管理芯片和一个无线电芯片还可以实现一个三芯片的解决方案。

SoC的定义多种多样，由于其内涵丰富、应用范围广，很难给出准确定义。一般说来， SoC称为系统级芯片，也有称片上系统，意指它是一个产品，是一个有专用目标的集成电路，其中包含完整系统并有嵌入软件的全部内容。同时它又是一种技术，用以实现从确定系统功能开始，到软/硬件划分，并完成设计的整个过程。

从狭义角度讲，它是信息系统核心的芯片集成，是将系统关键部件集成在一块芯片上;从广义角度讲， SoC是一个微小型系统，如果说中央处理器(CPU)是大脑，那么SoC就是包括大脑、心脏、眼睛和手的系统。国内外学术界一般倾向将SoC定义为将微处理器、模拟IP（Intellectual Property）核、数字IP核和存储器(或片外存储控制接口)集成在单一芯片上，它通常是客户定制的，或是面向特定用途的标准产品。

SoC是System on Chip的缩写，直译是“芯片级系统”，通常简称“片上系统”。因为涉及到“Chip”，SoC身上也会体现出“集成电路”与“芯片”之间的联系和区别，其相关内容包括集成电路的设计、系统集成、芯片设计、生产、封装、测试等等。跟“芯片”的定义类似，SoC更强调的是一个整体，在集成电路领域，给它的定义为：由多个具有特定功能的集成电路组合在一个芯片上形成的系统或产品，其中包含完整的硬件系统及其承载的嵌入式软件。

例

SM P8634是Sigma Design新一代功能强大的多媒体So C芯片,包含了一个MIPS 300 MHz的主CPU和一个MIPS 200 MHz的安全CPU。
它把强大的多媒体处理能力、可靠的内容安全系统以及一整套补充性外围设备结合到一起。其先进的解码引Y支持H.264 (MPEG-4 part 10)、Window s M edia Video 9, VC-1, M PEG-2和M PEG-4 (part 2) 视频解码,最大解码能力可支持两路高清视频流。

SMP8634还集成了一个10/100 M bps以太网控制器、HDM I发送器、两个USB 2.0 HOST控制器、IDE控制器及PCI2.1M ASTER/SLAVE,为了提供网络数据、音视频数据的缓冲处理,SMP8634集成了两个32 bit DDR DRAM控制器,最大速率200 M Hz,共计3.2Gbit/s的数据吞吐能力[31,SMP8634处理器和DDRDRAM (NANYA的NT5DS32M16ES-5)的连接图如图3如示。

1、10/100 M bps以太网控制器
以太网控制器也称以太网适配器，就是我们通常称的“网卡”，其安装方法即是插在机器主板的PCI扩展槽里，一般为白色，然后安装所购买网卡中内附的驱动光盘即可。以太网控制器使用一个特定的物理层和数据链路层标准，例如以太网或令牌环来实现通讯所需要的电路系统。这为一个完整的网络协议栈提供了基础，使得在同一局域网中的小型计算机组以及通过路由协议连接的广域网，例如IP，都能够进行通讯。一块以太网控制器通常配有一个双绞线、光纤、BNC、AUI、HomePNA接口，其中后三者在现今已较少见，光纤则多用于服务器。

（1）IEEE 802.3兼容的以太网控制器；
（2）集成MAC和10 BASE-T PHY；
（3）支持一个带自动极性检测和校正的10BASE-T端口；
（4）支持全双工和半双工模式；
（5）可编程在发生冲突时自动重发；
（6）可编程填充和CRC生成；
（7）可编程自动拒绝错误数据包；
（8）最高速度可达10Mbps的SPI接口；
（9）具有两个用来表示连接、发送、接收、冲突和全/半双工状态的可编程LED输出引脚；
（10）使用两个中断引脚的7个中断源；
（11）带可编程预分频器的时钟输出引脚；
（12）工作电压范围是3.14~3.45V；
（13）兼容TTL电平输入；
（14）温度范围：-40_{+85℃（工业级），0}+70℃（商业级）（仅SSOP封装）；
（15）28引脚SPDIP、SSOP、SOIC和QFN封装。

按照类型分类

按照集成电路的类型来划分，则可以分为三类，分别是数字芯片、模拟芯片和混合芯片。

数字芯片

芯片的另一种分类方式，是按照使用的集成电路进行划分，目前大多数计算机处理器都使用数字电路。这些电路通常结合晶体管和逻辑门。有时，会添加微控制器。数字电路通常使用基于二进制方案的数字离散信号。使用两种不同的电压，每个电压代表一个不同的逻辑值。

模拟芯片

但是这并不代表模拟芯片已经完全被数字芯片取代。电源芯片使用的通常就是模拟芯片。宽带信号也仍然需要模拟芯片，它们仍然被用作传感器。在模拟芯片中，电压和电流在电路中指定的点上不断变化。模拟芯片通常包括晶体管和无源元件，如电感、电容和电阻。模拟芯片更容易产生噪声或电压的微小变化，这可能会产生一些误差。

数模混合芯片

混合电路半导体是一种典型的数字芯片，同时具有处理模拟电路和数字电路的技术。微控制器可能包括用于连接模拟芯片的模数转换器(ADC)，例如温度传感器。而数字-模拟转换器(DAC)可以使微控制器产生模拟电压，从而通过模拟设备发出声音。

射频芯片

参考：关于射频芯片，看这一篇就够了！（干货收藏）
。RF。
射频芯片指的就是将无线电信号通信转换成一定的无线电信号波形， 并通过天线谐振发送出去的一个电子元器件，它包括功率放大器、低噪声放大器和天线开关。
1、功率放大器
2、低噪声放大器
3、天线开关
一部可支持打电话、发短信、网络服务、APP应用的手机，通常包含五个部分： 射频、基带、电源管理、外设、软件。

1、射频： 一般是信息发送和接收的部分;
2、基带： 一般是信息处理的部分;
3、电源管理： 一般是节电的部分，由于手机是能源有限的设备，所以电源管理十分重要;
4、外设： 一般包括LCD，键盘，机壳等;
5、软件： 一般包括系统、驱动、中间件、应用。

在手机终端中，最重要的核心就是射频芯片和基带芯片。 射频芯片负责射频收发、频率合成、功率放大;基带芯片负责信号处理和协议处理。 那么射频芯片和基带芯片是什么关系?

射频(Radio Frenquency)和基带(Base Band)皆来自英文直译。 其中射频最早的应用就是Radio——无线广播(FM/AM)，迄今为止这仍是射频技术乃至无线电领域最经典的应用。

基带则是band中心点在0Hz的信号，所以基带就是最基础的信号。 有人也把基带叫做“未调制信号”，曾经这个概念是对的，例如AM为调制信号(无需调制，接收后即可通过发声元器件读取内容)。

但对于现代通信领域而言，基带信号通常都是指经过数字调制的，频谱中心点在0Hz的信号。 而且没有明确的概念表明基带必须是模拟或者数字的，这完全看具体的实现机制。

言归正传，基带芯片可以认为是包括调制解调器，但不止于调制解调器，还包括信道编解码、信源编解码，以及一些信令处理。 而射频芯片，则可看做是最简单的基带调制信号的上变频和下变频。

所谓调制，就是把需要传输的信号，通过一定的规则调制到载波上面让后通过无线收发器(RF Transceiver)发送出去的工程，解调就是相反的过程。

发射电路

接收电路

封装

射频芯片封装方面，5G射频芯片一方面频率升高导致电路中连接线的对电路性能影响更大，封装时需要减小信号连接线的长度;另一方面需要把功率放大器、低噪声放大器、开关和滤波器封装成为一个模块,一方面减小体积另一方面方便下游终端厂商使用。
为了减小射频参数的寄生需要采用Flip-Chip、Fan-In和Fan-Out封装技术。
1、Flip-Chip
2、Fan-In
3、Fan-Out
Flip-Chip和Fan-In、Fan-Out工艺封装时，不需要通过金丝键合线进行信号连接，减少了由于金丝键合线带来的寄生电效应，提高芯片射频性能;到5G时代，高性能的Flip-Chip/Fan-In/Fan-Out结合Sip封装技术会是未来封装的趋势。
参考：WLP封装，Fan-in? Fan-out?
晶圆级芯片封装WLCSP(wafer level chip-scale packaging) 是裸芯片封装，不仅在所有IC封装形式中面积最小，而且还具有出色的电气和热性能，归功于直接互连的低电阻和低热阻，并且在芯片与应用PCB之间的电感低。WLCSP是倒装互连的一个变种,与FC相同的是，CSP封装中die也是倒置。不同的是，CSP不再需要基板。可节省封装成本，且封装厚度也更加轻薄，有助于提升产品竞争力。

WLCSP可以被分成两种结构类型：直接BOP（bump On pad）和重新布线(RDL)。为了给大家两种结构的直观印象，直接上图:

汽车芯片

全球汽车芯片企业主要分布在美国、欧洲、日本及中国，其中美国、欧洲和日本的汽车芯片企业已经形成了非常强的技术实力、比较完整的产业链条及可观的市场占有率。按功能分，汽车芯片可分为控制类（MCU和AI芯片）、功率类、传感器和其他（如存储器），市场基本被国际巨头所垄断。人们常说的汽车芯片是指汽车里的计算芯片，按集成规模可分为MCU芯片和AI芯片（SoC芯片）。而功率器件集成度较低，属于分立器件，主要包括电动车逆变器和变换器中的IGBT、MOSFET等。传感器则包括智能车上的雷达、摄像头等。

一、车规级MCU芯片

ECU（Electronic Control Unit）电子控制器单元，又称为汽车的“行车电脑”，它们的用途就是控制汽车的行驶状态以及实现其各种功能。主要是利用各种传感器、总线的数据采集与交换，来判断车辆状态以及司机的意图并通过执行器来操控汽车。

MCU芯片（Microcontroller Unit）属于控制类芯片，一般称作微控制单元，俗称单片机，是把CPU、内存（RAM+ROM）、多种I/O接口等整合到单一芯片上形成的芯片级计算机。广泛用于车内几十种次系统中，如悬挂、气囊、门控等，是汽车电子系统内部运算、处理的核心。MCU是汽车电子控制单元（ECU）的重要组成部分。ECU又称为汽车的“行车电脑”，主要通过车载传感器信息、总线数据的采集和交互来判断车辆状态，并结合驾驶员的意图，借助执行系统来操控汽车。MCU芯片按照CPU一次处理数据的位数分为8、16和32位MCU。

（1）8位MCU：8位工作频率在16-50MHz之间，具有简单耐用、低价的优势。提供低端控制功能，如风扇控制、空调控制、雨刷、天窗、车窗升降、低端仪表板、集线盒、座椅控制、门控模块等。

（2）16位MCU：提供终端控制功能，用于动力系统，如引擎控制、齿轮与离合器控制和电子式涡轮系统等；用于底盘，如悬吊系统、电子式动力方向盘、扭力分散控制和电子泵、电子刹车等。

（3）32位MCU：32位MCU工作频率最高，处理能力、执行效能更好，应用也更广泛，通过采用先进制程工艺，32位价格也在逐渐降低；提供高端控制功能，在实现L1 和L2 的自动驾驶功能中扮演重要角色。

据统计，每辆传统汽车平均用到70颗以上MCU，智能电动汽车则超300颗。不过随着整车电子架构的集中化趋势加速，单车MCU的用量和种类也将出现“缩减”。MCU的性能将进一步提升，高端MCU将“吃掉”过去很多低端MCU的用量。

【「车规级」直译过来，是指符合汽车使用规范级别，就好比厨师不会给鸡鸭鱼肉划分怎样才能做菜，传统领域的工程师也不会在意这些，因为大家已经习惯了这些东西就是拿来吃（用在汽车）的。 但冷不丁的，突然来了一堆洋蘑菇，那我们得衡量下它到底能不能吃，还是仅能作为观赏所用？ 放在汽车上，「车规级」是主要被用于汽车产品和其他工业产品有交叉的地方，比如电池、芯片、模组等，它们需要满足汽车的使用标准。】

二、AI芯片

AI芯片是未来智能化汽车的“大脑”。不同于以CPU运算为主的MCU，AI芯片一般是集成了CPU、图像处理GPU、音频处理DSP、深度学习加速单元NPU+内存+各种I/O接口的SOC芯片。在具体应用上，汽车中要用到SoC芯片的主要为智能座舱和自动驾驶两个方面。

未来智能座舱所代表的“车载信息娱乐系统＋流媒体后视镜＋抬头显示系统＋全液晶仪表＋车联网系统＋车内乘员监控系统”等融合体验，都将依赖于智能座舱SoC芯片。

自动驾驶芯片是指可实现高级别自动驾驶的SoC芯片，通常具有“CPU+XPU”的多核架构。L3+的车端中央计算平台需要达到500+TOPS的算力（TOPS就是处理器运算能力单位，Tera Operations Per Second的缩写，1TOPS代表处理器每秒钟可进行一万亿次操作），只具备CPU处理器的芯片不能满足需求。自动驾驶SoC芯片上通常需要集成除CPU之外的一个或多个XPU来做AI运算。用来做AI运算的XPU可选择GPU/FPGA/ASIC等。GPU、FPGA、ASIC在自动驾驶AI运算领域各有所长：CPU通常为SoC芯片上的控制中心，其优点在于调度、管理、协调能力强，但CPU计算能力相对有限。而对于AI计算而言，人们通常用GPU/FPGA/ASIC来做加强：1)GPU适合数据密集型应用进行计算和处理，尤其擅长处理CNN/DNN等和顺序无关的图形类机器学习算法。2)FPGA则对于RNN/LSTM/强化学习等有关顺序类的机器学习算法具备明显优势。3)ASIC是面向特定用户的算法需求设计的专用芯片，因“量身定制”而具有体积更小、重量更轻、功耗更低、性能提高、保密性增强、成本降低等优点。

如地平线自主设计研发了AI专用的ASIC芯片：Brain Processing Unit(BPU)，可提供设备端上软硬结合的嵌入式人工智能解决方案。基于BPU的征程2芯片可提供超过 4TOPS 的等效算力，典型功耗仅 2 瓦，能够高效灵活地实现多类 AI 任务处理，对多类目标进行实时检测和精准识别。征程2充分体现了BPU架构强大的灵活性，全方位赋能汽车智能化。

三、功率器件

功率半导体器件是进行电力转换和控制的半导体器件，典型应用场景包括变频、变压、变流、功率放大和功率管理等，主要为IGBT和MOSFET两种。在具体应用上，燃油车一般使用低压MOSFET，衬底材料为Si；与燃油车相比，BEV的功率器件的性能要求更高，IGBT和高压MOSFET占据主流。

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，即绝缘栅双极型晶体管）是一种由双极性晶体管（BJT）和绝缘栅场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。IGBT是一种大功率的电力电子器件，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看作导线，断开时当作开路。其特点是兼具了BJT的导通电压低、通态电流大、损耗小和MOS的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单等优点。通常来讲，IGBT在电动汽车中的应用主要集中在三个部分：首先是电控系统中，IGBT模块将直流变交流后驱动汽车电机(电控模块)；其次是车载空调控制系统中，负责小功率直流/交流逆变，这个模块工作电压不高，单价相对也低一些；最后是充电桩中，IGBT模块被用作开关使用。

IGBT最常见的形式其实是模块，IGBT模块主要由IGBT芯片、FWD芯片、主端子、辅助端子、浇注封装材、绝缘基板、金属基、树脂外盖和树脂外壳等组成。多个芯片以绝缘方式组装到金属基板上；空心塑壳封装，与空气的隔绝材料是高压硅脂或者硅脂，以及其他可能的软性绝缘材料。从功能安全角度来看：（1）多个IGBT芯片并联，IGBT的电流规格更大。（2）多个IGBT芯片按照特定的电路形式组合，如半桥、全桥等，可以减少外部电路连接的复杂性。（3）多个IGBT芯片处于同一个金属基板上，等于是在独立的散热器与IGBT芯片之间增加了一块均热板，工作更可靠。（4）模块中多个IGBT芯片之间的连接与多个分立形式的单管进行外部连接相比，电路布局更好，引线电感更小。模块的外部引线端子更适合高压和大电流连接。

四、传感器类芯片

汽车传感器分为车辆感知和环境感知两大类，对应的芯片也可以据此分为两类。车辆感知传感器主要有速度/位置传感器、低/中压压力传感器、高压传感器、加速度传感器、角速度传感器、磁力计和温度传感器。环境感知传感器主要有氧、气体传感器、车载摄像头、超声波雷达、毫米波雷达和激光雷达。

以索尼IMX459的SPAD（单光子雪崩二极管）激光雷达传感器（激光接收芯片）为例。依托索尼的双层图像传感器堆叠技术，激光雷达企业可以基于IMX459造出等效线数上千的超高清雷达，让汽车看得更远、更清楚（300米的感知精度为15cm），并且还能以更快的速度计算出距离信息，生成3D点云图像。激光雷达行业技术革新很快、双棱镜、MEMS、OPA、Flash、FMCW等各种技术路线不断涌现，新产品层出不穷，但很多都还是围绕光路设计做优化——没有从本质上进行升级。索尼的IMX459显然就突破了现在的创新困境，从最底层的激光接收和信号处理层面进行彻底改变，为激光雷达行业发展提供了新的基础。

从结构上看，这颗激光雷达接收传感器共有两层，上层采用了SPAD（单光子雪崩二极管）技术，用于感知反射进传感器的激光；下层则是逻辑芯片，使用直接飞行时间（D-ToF）技术，就能实现测距。在性能上，索尼在1/2.9英寸的传感器面积下放进了11万个SPAD像素，其分辨率为189×600，呈现出一个矩形区域。而每一个SPAD像素的尺寸仅为10微米x10微米。

五、存储器

汽车传感器存储器分为闪存和内存，闪存分为NAND Flash 和NOR Flash，内存分为DRAM 和SRAM。汽车上产生数据的主要包括ADAS（自动驾驶）和信息娱乐系统两个板块，智能化带来的海量数据将增加汽车存储器的需求，根据Counterpoint Research 估计，未来十年，单车存储容量将达到2TB-11TB。
【DRAM SRAM -内存】
【Flash 闪存】

汽车芯片概念龙头股
大港股份：在汽车电子CIS芯片应用领域，苏州科阳目前已通过ISO/TS 16949 汽车行业认证体系，正积极跟进客户在汽车电子行业的布局。

芯源微：公司生产的涂胶/显影机成功打破国外厂商垄断并填补国内空白,其中在LED芯片制造及集成电路制造后道先进封装等环节,作为国内厂商主流机型已成功实现进口替代。

佳缘科技：公司在互动平台称：公司的芯片产品主要用于车载无线通信系统，可以用于无人驾驶定位场景。

希荻微：目前公司已进入高通、联发科等手机主芯片平台厂商以及奥迪、现代、起亚等一线汽车品牌的前装市场。

复旦微电：复旦微电子发布首款车用MCU产品，推出的首款FM33LG0xxA系列MCU目标应用领域包括雨刮器、车窗、座椅位置、车顶、门锁、空调、尾门控制器、电子换挡器、照明控制等。

封装

封装，Package，是把集成电路装配为芯片最终产品的过程，简单地说，就是把铸造厂生产出来的集成电路裸片（Die）放在一块起到承载作用的基板上，把管脚引出来，然后固定包装成为一个整体。

作为动词，“封装”强调的是安放、固定、密封、引线的过程和动作；作为名词，“封装”主要关注封装的形式、类别，基底和外壳、引线的材料，强调其保护芯片、增强电热性能、方便整机装配的重要作用。

1、安放、—
2、固定、—固定方式
芯片面积与封装面积之比为提高封装效率，尽量接近1：1；
3、密封、—基底和外壳
芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。
基于散热的要求，封装越薄越好。
4、引线、—引线的材料，
把硅片上的电路管脚，用导线接引到外部接头处，以便于其它器件连接。
引脚要尽量短以减少延迟，引脚间的距离尽量远，以保证互不干扰，提高性能；

通过电气拓扑（电路设计），完成电气互连、机械支撑、散热和环境保护。 系统级封装概念：通过电路集成技术，基于产品应用需求（环境要求和使用要求），以材料为基础，工艺为背景，完成芯片二次开发和系统模块化高密度集成。
封装，就是指把硅片上的电路管脚，用导线接引到外部接头处，以便于其它器件连接。封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。
另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造，因此它是至关重要的。
衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。【冗余面积 越小】

分类

封装主要分为DIP双列直插和SMD贴片封装两种。从结构方面，封装经历了最早期的晶体管TO（如TO-89、TO92）封装发展到了双列直插封装，随后由PHILIP公司开发出了SOP小外型封装，以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等。从材料介质方面，包括金属、陶瓷、塑料，很多高强度工作条件需求的电路如军工和宇航级别仍有大量的金属封装。
结构方面：TO－>DIP－>PLCC－>QFP－>BGA－>CSP；
材料方面：金属、陶瓷－>陶瓷、塑料－>塑料；
引脚形状：长引线直插－>短引线或无引线贴装－>球状凸点；
装配方式：通孔插装－>表面组装－>直接安装
参考：浅谈各种常见的芯片封装技术DIP/SOP/QFP/PGA/BGA

1、 SOP封装

SOP是英文Small Outline Package的缩写，即小外形封装。SOP封装技术由1968～1969年菲利浦公司开发成功，以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等。

SOP封装（Small Out-Line Package，小外形封装），也是一种非常常见的表面贴装型封装技术。引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状（L 字形），材料有塑料和陶瓷两种。后来，由SOP衍生出了SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等。
该类型的封装的典型特点就是在封装芯片的周围做出很多引脚，封装操作方便，可靠性比较高，是目前的主流封装方式之一，属于真正的系统级封装。目前比较常见的是应用于一些存储器类型的IC。

①TSOP封装

2、 DIP封装

DIP是英文 Double In-line Package的缩写，即双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。

以“双列直插式封装”（Dual In-line Package，DIP）为例，下图简单示意出其封装的过程。晶圆上划出的裸片（Die），经过测试合格后，将其紧贴安放在起承托固定作用的基底上（基底上还有一层散热良好的材料），再用多根金属线把Die上的金属接触点（Pad，焊盘）跟外部的管脚通过焊接连接起来，然后埋入树脂，用塑料管壳密封起来，形成芯片整体。
【焊盘，金属线，】

DIP封装（Dual In-line Package），也叫双列直插式封装技术，指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100。DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏管脚。DIP封装结构形式有：多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP（含玻璃陶瓷封接式，塑料包封结构式，陶瓷低熔玻璃封装式）等。
【引脚数一般不超过100。】【中小规模集成电路】

3、 PLCC封装

PLCC是英文Plastic Leaded Chip Carrier的缩写，即塑封J引线芯片封装。PLCC封装方式，外形呈正方形，32脚封装，四周都有管脚，外形尺寸比DIP封装小得多。PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线，具有外形尺寸小、可靠性高的优点。

4、 QFP封装

QFP封装，中文含义叫方型扁平式封装技术（Quad Flat Package），该技术实现的CPU芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式，其引脚数一般都在100以上。用这种形式封装的芯片必须采用SMD（表面安装设备技术）将芯片与主板焊接起来。采用SMD安装的芯片不必在主板上打孔，一般在主板表面上有设计好的相应管脚的焊点。将芯片各脚对准相应的焊点，即可实现与主板的焊接。

①TQFP封装

【中等性能、低引线数量要求】
TQFP是英文thin quad flat package的缩写，即薄塑封四角扁平封装。四边扁平封装（TQFP）工艺能有效利用空间，从而降低对印刷电路板空间大小的要求。由于缩小了高度和体积，这种封装工艺非常适合对空间要求较高的应用，如PCMCIA 卡和网络器件。几乎所有ALTERA的CPLD/FPGA都有 TQFP 封装。

薄四方扁平封装对中等性能、低引线数量要求的应用场合而言是最有效利用成本的封装方案，且可以得到一个轻质量的不引人注意的封装,TQFP系列支持宽泛范围的印模尺寸和引线数量，尺寸范围从7mm到28mm，引线数量从32到256。

②PQFP封装

【一般大规模或超大规模集成电路】
PQFP是英文Plastic Quad Flat Package的缩写，即塑封四角扁平封装。PQFP封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式，其引脚数一般都在100以上。

PQFP(Plastic Quad Flat Package，塑料方块平面封装)一种芯片封装形式。PQFP封装的芯片的四周均有引脚，其引脚总数一般都在100以上，而且引脚之间距离很小，管脚也很细，一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式。用这种形式封装的芯片必须采用SMT(Surface Mount Technology，表面组装技术)将芯片边上的引脚与主板焊接起来。采用SMT安装的芯片不必在主板上打孔，一般在主板表面上有设计好的相应管脚的焊点。将芯片各脚对准相应的焊点，即可实现与主板的焊接。

但是，PQFP封装的缺点也很明显，由于芯片边长有限，使得PQFP封装方式的引脚数量无法增加，从而限制了图形加速芯片的发展。平行针脚也是阻碍PQFP封装继续发展的绊脚石，由于平行针脚在传输高频信号时会产生一定的电容，进而产生高频的噪声信号，再加上长长的针脚很容易吸收这种干扰噪音，就如同收音机的天线一样，几百根“天线”之间互相干扰，使得PQFP封装的芯片很难工作在较高频率下。此外，PQFP封装的芯片面积/封装面积比过小，也限制了PQFP封装的发展。90年代后期，随着BGA技术的不断成熟，PQFP终于被市场淘汰。

7、 BGA封装

BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写，即球栅阵列封装。20世纪90年代随着技术的进步，芯片集成度不断提高，I/O引脚数急剧增加，功耗也随之增大，对集成电路封装的要求也更加严格。为了满足发展的需要，BGA封装开始被应用于生产。

采用BGA技术封装的内存，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，BGA与TSOP相比，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。BGA 封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升，采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下，体积只有TSOP封装的三分之一；另外，与传统TSOP封装方式相比，BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。
BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。
说到BGA封装就不能不提Kingmax公司的专利TinyBGA技术，TinyBGA英文全称为Tiny Ball Grid
Array（小型球栅阵列封装），属于是BGA封装技术的一个分支。是Kingmax公司于1998年8月开发成功的，其芯片面积与封装面积之比不小于 1:1.14，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高2～3倍，与TSOP封装产品相比，其具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。
采用TinyBGA封装技术的内存产品在相同容量情况下体积只有TSOP封装的1/3。TSOP封装内存的引脚是由芯片四周引出的，而TinyBGA则是由芯片中心方向引出。这种方式有效地缩短了信号的传导距离，信号传输线的长度仅是传统的TSOP技术的1/4，因此信号的衰减也随之减少。这样不仅大幅提升了芯片的抗干扰、抗噪性能，而且提高了电性能。采用TinyBGA封装芯片可抗高达300MHz的外频，而采用传统TSOP封装技术最高只可抗150MHz的外频。
TinyBGA封装的内存其厚度也更薄（封装高度小于0.8mm），从金属基板到散热体的有效散热路径仅有0.36mm。因此，TinyBGA内存拥有更高的热传导效率，非常适用于长时间运行的系统，稳定性极佳。

8、SMD贴片封装

【一般用于LED封装】
SMD是表面贴装器件（Surface Mounted Devices）的简称，采用SMD工艺的LED封装厂将裸芯片固定在支架上，通过金线将二者进行电气连接，最后用环氧树脂进行保护。SMD封装后的灯珠交给显示屏厂商，通过回流焊将焊点和PCB进行连接，并形成模组进行装配。SMD封装的小间距产品，一般将LED灯珠裸露在外，或者采用面罩的方式。SMD使用表面贴装技术（SMT）,自动化程度比较高，且具有体积小、散射角大、发光均匀性好、可靠性高等优点。