有源钳位三电平逆变电路及方法

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摘要

本公开提供了一种有源钳位三电平逆变电

路及方法，包括电路本体，所述电路本体的六个

开关管中，每个开关管都反并联一个二极管，两

个外管由 SiC MOSFET构成，四个内管均由 Si

IGBT构成。本公开的硬开关损耗只存在于两个外

管上，由于外管采用的SiC MOSFET，可以大幅降

低开关损耗

1 .一种有源钳位三电平逆变电路，包括电路本体，其特征是：所述电路本体的六个开关

管中，每个开关管都反并联一个二极管，两个外管由SiC MOSFET构成，四个内管均由SiIGBT

构成。

2 .如权利要求1所述的一种有源钳位三电平逆变电路，包括电路本体，其特征是：六个

开关管分别为开关管T1～T6，其中，T1的第一端接母线正极，T4的第二端接母线负极，T1的

第二端接T2、T5的第一端，T4的第一端接T3、T6的第二端，T5的第二端、T6的第一端均接入母

线中点，T2的第二端、T3的第一端连接在一起形成桥臂端。

3 .如权利要求2所述的一种有源钳位三电平逆变电路，包括电路本体，其特征是：所述

母线正极和母线中点之间连接有电容C1。

4 .如权利要求2所述的一种有源钳位三电平逆变电路，包括电路本体，其特征是：所述

母线负极和母线中点之间连接有电容C2。

5 .基于权利要求1 ‑ 4中任一项所述的有源钳位三电平逆变电路的控制方法，其特征是：

包括：

在换流控制中，硬开关损耗只存在于两个外管上；

在零状态时，四个内管均导通，电流通过两条并联回路流过。

6 .如权利要求5所述的控制方法，其特征是：

正半周期P状态和零状态的换流过程为：

当电路为P状态，T1，T2导通，电流通过T1和T2流出；随后，T1关断，进入死区，T5的反并

联二极管D5自然导通，电流通过D5和T2续流；为OU状态时，T5零电压导通，电流通过T2和T5

流出负载，为OUL状态时，T3、T6零电压导通，电流通过D5、T2和T6、D3两条并联回路流出。

7 .如权利要求5所述的控制方法，其特征是：负半周期N状态和零状态的切换过程为：

当电路为N状态时，T3，T4导通，电流通过T3和T4流出；

随后，T4关断，进入死区，T6的反并联二极管D6自然导通，电流通过T3和D6续流；

当电路为OL状态时，T6零电压导通，电流通过T3和D6流出负载；

当电路为OUL状态时，T2、T5零电压导通，电流通过D2、T5和T3、D6两条并联回路流出。