MS_YangZhanZhang的博客

DJ钙钛矿人工突触的成功设计与优化，展示了材料的微观结构与电学性能之间的密切关系，进一步揭示了材料在模拟生物神经元功能中的潜力。通过构建7×7交叉阵列并进行大规模图像推理仿真，研究人员实现了接近理论极限的推理精度，这为神经形态硬件的应用开辟了新的道路。为了解决这些问题，研究者们提出了基于新兴存储器的神经形态计算硬件，这些硬件通过模拟神经突触的功能，实现了低功耗、高吞吐量的计算。3. 在该阵列的基础上进行的大规模图像推理仿真显示，推理准确度达到了理论极限的0.08%以内，展现了其在神经形态计算中的潜力。

通过制备具有不同沟道长度的BP FET阵列,我们发现湿法转移后的BP薄膜表现出良好的均匀性和连续性。选择乙烯-乙酸乙烯酯(EVA)聚合物和乙二醇(EG)作为粘合层和转移介质，将之前广受关注的通过精细控制的脉冲激光沉积(PLD)生长的厘米级高质量少层BP薄膜由非传统电子器件基底（云母衬底）转移到硅基衬底上，同时最大程度地保持了BP在转移过程中的优异结晶质量和性能。与其他制备方法得到的BP器件以及湿法转移的二硫化钼FET相比, 本文采用的湿法转移BP FET展现出更加出色的电学性能, 突出了该方法的优势。

本文强调了金属电极与亚纳米级厚的2D材料之间可靠接触的重要性，并提出了一种新颖的全堆叠方法，通过机械转移预沉积的金属电极，实现了高质量范德华（vdW）接触的2D器件制备。该方法不仅提高了器件制造效率和产量，降低了大规模基于2D材料的器件展示的门槛，而且为未来工业集成2D材料提供了新概念，允许高密度器件集成，并研究vdW材料的内在输运性质。此外，通过这种方法实现的铁电材料的机械调控，有望进一步扩展到电子、光学和磁性等其他物理性质的调控，为开发高性能的光电器件提供了新的思路。

本研究阐明了在弹性二维流体中生长的二维晶体形态是如何通过弯曲能量和线条张力之间的竞争来控制的，这种竞争颠覆了人们对于曲率半径控制球模板上晶体生长形态的预期。囊泡的热膨胀系数和渗透性等额外特性，允许系统地控制张力，从而在不同尺寸的囊泡中操纵二维晶体的形态。结果，在大囊泡上形成了更复杂的形状，如具有可弯曲但不可伸展花瓣的花朵，尽管它们的曲率更渐进，而小囊泡则包含紧凑的平面晶体。图2：晶体形状与囊泡尺寸的依赖性。图4：通过模拟展示了不同花瓣/核心比例的复合囊泡的形状，以及它们的平均（H）和高斯（KG）曲率分布。

鉴于电动车辆作为替代传统内燃机车辆的交通方式日益普及，科学家和工程师开始关注如何解决电动车辆所面临的润滑、热管理、电兼容性和防腐等挑战。其中，二维材料引起了科学家的注意。然而，尽管其潜力巨大，但在实际应用中仍存在一些问题，如其制备、稳定性、可扩展性等方面的挑战。因此，科学家们开始探索如何利用二维材料来解决电动车辆的诸多挑战。

图中展示了混合介电层在2D材料上的集成过程、沉积混合介电层的均匀性、横截面HRTEM图像揭示的介电层与2D材料形成的vdW界面、在双层MoS2表面沉积Sb2O3的模拟结果、采用混合Sb2O3/HfO2作为栅介电的2D FET的示意图以及使用超薄混合介电层的2D FET的转移特性曲线。图中展示了Sb2O3分子层在2D材料上作为封装层的沉积和解封装过程、通过Sb2O3层封装的2D BP片层的原子结构分析、基于2D BP的FET在封装前后的器件性能比较以及有无Sb2O3封装的BP基FET的耐久性。

目前科学家们大多采用有机锂试剂作为插层剂，即将含有锂离子的插层剂插入块体层状结构材料的片层中，并利用锂和水的反应使插层剂“膨胀”，在每一层间形成一个“气压柱”，将叠在一起的纳米片层层“撑开”，就如同使用了一把“化学刮刀”一层一层地将纳米片“刮”下来，这种层间的气体膨胀作用力远大于机械剥离力，可以提高剥离效率。二维过渡金属碲化物材料是一类新兴的二维材料，由碲原子（Te）和过渡金属原子（如钼、钨、铌等）组成，其微观结构类似于“三明治”，过渡金属原子被上下两层的碲原子“夹”住，形成层状二维材料。