应力调控过渡金属硫属化合物的拓扑表面态及其朗道量子化
近日,中国科学院物理研究所高鸿钧院士团队的陈辉副研究员、杨海涛研究员同凝聚态理论与材料计算重点实验室的刘邦贵研究员等人研究了TMD拓扑半金属材料NiTe2在应力调控下的多重朗道量子化现象。有趣的是,在单轴应力以及剪切应力存在的表面区域,观测到了两套以及三套朗道能级。多套朗道能级在应力表面区域稳定存在,预示着拓扑表面态的朗道量子化受表面应力的调控。拓扑表面态是一种自旋动量锁定的二维电子态,拥有拓扑表面态的量子材料是一种理想的调控电子自由度体系,而朗道量子化是研究这种拓扑保护量子态多自由度的非常有效手段。
原创
2024-03-20 08:00:00 ·
618 阅读 ·
0 评论