可控合成可转移的超薄Bi2Ge(Si)O5合金,成分和介电性能高度可调
此外,使用Bi2Ge(Si)O5合金作为栅介质的MoS2晶体管表现出>108的Ion/Ioff ,理想的亚阈值摆幅约为61 mV/dec,以及小的栅压迟滞(~5 mV)。特别是,Bi2GeO5和Bi2Ge(Si)O5纳米片作为高κ封装层,显著提高了MoS2晶体管的迁移率,并实现了无迟滞的场效应晶体管。本研究成功实现了通过CVD方法控制合成具有可调组成的2D单晶介电合金,并通过调节GeO2和SiO2前驱体的比例,实现了Bi2SixGe1−xO5 合金的组成在x = 0到x = 1的全范围内的连续调节。
原创
2024-04-17 11:42:50 ·
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