低功耗设计基础——Multi-Bit cell

本文介绍了Multi-bit cell在芯片设计中的低功耗应用。Multi-bit cell指一个cell包含多个逻辑位,能减少clock pin capacitance、时钟树buffer数量和优化绕线资源,降低功耗。但实际应用中,因转化条件限制、摆放不合理及IR/EM考虑等,不一定能达最佳降功耗效果。

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低功耗设计基础:Multi-Bit Cell完全解析

Multi-bit cells作为一种控制功耗的手段已经广泛应用于大量的芯片设计中,各种EDA工具中也提供了广泛而完善的支持。今天我们将对这种cell的基本构造和原理开始,带大家一起认识一下multi-bit cell。

首先,顾名思义,所谓multi-bit cell,就是同一个cell中包含多个逻辑位,也可以理解成把多个完全相同的cell合并在一个cell里。以DFF为例,single bit 和multi bit的逻辑关系一般如下(注:此处展示的均为scan DFF):
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这种multi-bit结构会在功耗上带来的好处主要体现在一下几个方面:
1)clock pin capacitance减少从而降低clock switching power。

下表列出了同种DFF不同bit的clock pin capacitance数值。从中可以看出,single-bit结构与multi-bit结构并未在clock pin cap上有明显差别,因此当design中有大量multi-bit DFF来替代single-bit DFF时,其时钟上整体的pin cap数值下降将是非常明显的。而基于我们对switching power的理解可知,cap越小switching power也会越小,这就会对时钟树上整体的动态功耗降低起到很好的作用。
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2)时钟树buffer数量减少,降低switching和leakage power。

在multi-bit design中一个相同的buffer可以驱动更多bit的DFF,从而显著减少时钟树上的buffer数量和面积,进一步降低时钟树上的功耗。

3)时钟树绕线资源优化,有效减少时钟树寄生RC从而降低dynamic power。

当design中的multi-bit DFF数量站据绝大多数的时候,相对于single-bit design来说,整体的DFF standard cell数量必然大幅下降,而且在很多时候DFF的摆放也可能会更加集中,这就会在时钟树上节约更多的绕线,进而减少整个时钟网络的绕线寄生RC。

尽管multi-bit有以上诸多优点,但是在实际应用中并不总能得到最好的结果。其主要原因在于以下几个方面:

a) single-bit到multi-bit的转化有诸多条件限制,因此在很多时候会发现design实际的multi-bit cell比率不高,从而达不到想要的降低功耗的效果

b) multi-bit cell摆放的不合理可能会引起绕线资源紧张,甚至使timing恶化,反而会增加更多的组合逻辑的power从而抵消clock line上带来的功耗降低的效果

c) IR/EM方面的考虑可能会故意让multi-bit cell互相摆放的远一些,从而无法达到减少clock line寄生RC从而降低功耗的效果

一、Floorplan基础理论 定义与目标 Floorplan在物理设计中的核心作用是什么? 列举Floorplan阶段需要明确的5个关键参数。 如何通过Floorplan影响芯片的时序、功耗和面积(PPA)? 模块布局 解释“数据流(Data Flow)”对模块摆放的影响,举例说明。 什么是“Flyline分析”?如何用它优化模块位置? 如何处理高频模块(如CPU核)与模拟模块(如PLL)的隔离? 电源规划 电源网络(Power Grid)设计在Floorplan阶段需考虑哪些因素? 如何确定电源环(Power Ring)的宽度和间距? IR Drop与Electromigration(电迁移)对Floorplan的约束是什么? 二、Floorplan实战技术 宏单元(Macro)处理 宏单元摆放的“通道预留(Channel Spacing)”原则是什么? 如何处理多个宏单元之间的信号交互拥塞? 若宏单元遮挡了时钟树路径,如何调整Floorplan? 布局约束 如何通过“区域约束(Region Constraints)”控制模块形状? 解释create_placement_blockage和create_keepout_margin的区别。 什么是“电压域(Voltage Area)”?如何划分? 工具操作(以Cadence Innovus/Synopsys ICC2为例) 写出Tcl命令:在指定区域创建一个软阻挡(Soft Blockage)。 如何通过GUI快速分析模块间的连接密度? 如何导出Floorplan的DEF文件并检查关键参数? 三、Floorplan时序与功耗优化 时序驱动布局 什么是“时序预算(Timing Budget)”?如何分配到模块级? 如何通过Floorplan缩短关键路径(Critical Path)的走线长度? 若发现模块路径时序违例,应调整Floorplan还是逻辑综合?为什么? 功耗优化 如何通过模块布局降低动态功耗? 多电压域(Multi-Voltage)设计对Floorplan的挑战是什么? 解释“电源门控(Power Gating)”对布局的影响。 四、Floorplan问题诊断与修复 拥塞分析 如何通过Congestion Map判断布线拥塞根源? 若模块边缘出现高拥塞,列举3种Floorplan修复方法。 如何通过调整标准单元行(Row)密度缓解局部拥塞? 物理验证 Floorplan阶段需要提前规避哪些DRC问题? 如何检查电源网络与信号线的间距违例? 若芯片利用率(Utilization)超过85%,可能引发什么问题? 五、先进工艺挑战 FinFET工艺影响 FinFET工艺下,Floorplan需要特别关注哪些规则? 如何应对多层金属堆叠(Multi-Patterning)带来的布线限制? 3D IC与Chiplet 3D IC的Floorplan与传统2D设计有何本质区别? Chiplet间互连(如UCIe)对布局规划的要求是什么? 六、高频问题示例(附参考答案) Q: 如何评估一个Floorplan的质量? A: 需综合检查: 利用率(65%~80%为理想区间) 预估拥塞度(Congestion <5%) 关键路径时序余量(WNS >0.2ns) 电源网络IR Drop(<5% VDD) Q: 若发现时钟树延迟过大,如何通过Floorplan调整优化? A: 将时钟源(Clock Source)移至芯片几何中心 为时钟缓冲区(Clock Buffer)预留低拥塞区域 增加时钟路径上。 附带这些问题的答案
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03-23
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