P型和N型半导体在电中性状态下并不带电，其区别在于载流子浓度的不同。P型半导体主要由空穴导电，N型半导体则以自由电子为主导电载体。掺杂过程影响了半导体中导带电子的浓度，P型半导体掺杂了施主杂质，N型半导体掺杂了受主杂质。这两种类型的半导体在电子工程和半导体器件中起着关键作用。
这种说法是错误的,
不论是P型还是N型半导体,它们本身是不带电的,也就是保持电中性.
区别只是载流子的浓度不同,P型中的空穴浓度大于自由电子浓度,而N型中自由电子浓度远大于空穴浓度.
“P”表示正电的意思，取自英文Positive的第一个字母。
在这类半导体中，参与导电的 (即电荷载体) 主要是带正电的空穴，这些空穴来自半导体中的受主。因此凡掺有受主杂质或受主
“N”表示负电的意思，取自英文Negative的第一个字母。
在这类半导体中，参与导电的 (即导电载体) 主要是带负电的电子，这些电子来自半导体中的施主。
拓展资料：
掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料，掺杂Ⅴ族元素(磷、砷、锑等)，当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时，可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子，这就形成了半导体中导带电子浓度的增加，该类杂质原子称为施主.
资料参考：百度百科 N型半导体 百度百科 P型半导体
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