本文围绕半导体二极管展开，介绍了半导体原子结构、共价键、电子与空穴电流等基础知识，阐述了pn结的形成与特性，分析了二极管的正向和反向偏置情况。还探讨了二极管特性曲线和模型，详细讲解了半波、全波和桥式整流器的工作原理，以及整流滤波器和IC稳压器的作用。
目录
目标
讨论半导体的基本原子结构
描述 pn 结的特性
解释如何偏置半导体二极管
描述二极管的基本特性
分析三种基本的整流电路
描述整流滤波器和IC稳压器
2.1半导体原子结构
电子器件(如二极管和晶体管)是由一种名叫“半导体”的特殊材料制成的。本节给出了理解半导体器件是如何工作的基础。
2.1.2共价键
一些固体材料中的原子形成晶体，通过很强的共价键把这些原子结合在一起形成三维结构。例如，在钻石中，相邻碳原子组成 4 个键，其效果是每个原子周边的 8个价电子形成一种化学稳定状态。这种共用价电子产生很强的共价键，使得原子之间紧密地结合在起。
共用电子是不可移动的;每个电子位于晶体原子的一个共价键之内。所以，在价带和导带之间存在很大的能带间隔。因而，像钻石一样的晶体材料在电性能上是绝缘体或非导体。图 2-2a 给出了固体绝缘体的能带。
构成电子器件的材料称为半导体。最常见的半导体材料是硅;然而，有时也用错。在室温下，硅形成共价晶体。其实际原子结构与钻石相似，但是硅中的共价键并没有钻石中的共价键那样强。在硅中，每个原子与它周围的 4 个相邻原子中的每一个原子共用一个价电子。与其他晶体材料情况相同，离散能级模糊为价带和导带，如图 2-26 所示。导体与半导体之间最重要的差别是分离导带和价带之间的带间隔。对于半导体，间隔很窄;获得热能以后，电子可以很容易地进入导带。在绝对零度，硅晶体中的电子都处于价带，但是在室温下许多电子有足够的能量进人导带。导带电子不再受到晶体中原子的束缚。
2.1.2电子电流和空穴电流
当电子跃人导带时，在价带会留下一个空位，这个空位称为空穴。对每个通过热能和光能进人导带的电子，都会在价带留下一个空穴，形成电子-空穴对。当导带电子失去能量并且跌落到价带的空穴中时，这种现象称为复合。一块本征(纯净)硅在室温下总会带有一定数量的导带(自由)电子，这些电子不附属于任何的原子，并且在材料中无规则地运动。同样，当这些电子跃人导带时，相等数量的空穴也在价带中产生。
当在一块本征硅上施加一个电压时，如图 2-3 所示，导带中由于受热激发而产生的自由电子很容易向正极移动。在半导体材料中，自由电子的移动是电流的一种，称为电子电流。
另一种类型的电流发生在价带，在价带中由于自由电子的产生而产生空穴。留在价带中的电子仍然附属于它们的原子，它们在晶体结构中不能自由地无规则移动。但是，一个价带电子通过稍微改变一下它的能级就可以移动到附近的空穴，这样就会在它原来的位置上留下新的空穴。其结果是，空穴在晶体结构中从一个位置移动到另一个位置，其过程如图 2-4 所示。这个电流称为空穴电流。
2.2 pn结
本征半导体硅(或锗)的导电性能不好，必须通过增加自由电子或空穴的数量来改善其导电性能。如果在纯净的硅当中加人 5 价杂质，就会形成 型半导体;如果在纯净的硅当中加人3价杂质，就会形成力型半导体。在制作过程中，如果将这两种材料合在一起，则在它们的交界面处就会形成 pn 结。神奇的是，正是 p 结的特性使得二极管和晶体管可以工作。
重点内容:
描述pn结的特性
比较p型半导体和n型半导体
给出施主材料和受主材料的例子
描述pn结的形成过程
2.2.1 掺杂
在纯净(本征)半导体材料中有控制地加入特定的杂质，硅(或锗)的导电性能可以得到很大的提高，这个过程就叫做掺杂。掺杂可以增加载流子(电子和空穴)的数量，从而增强导电性能和降低电率。掺杂后的硅分为两类:n 型和型。为了增加纯净硅中导带中电子的数量，在硅晶体中有控制地加入 5 价的杂质元素，如砷、磷，这些杂质原子称为施主原子。它们具有 5 个价电子，每个5 价原子与周围的4 个硅原子形成共价键，留下一个额外的电子。这个多出的额外电子因为在晶体中没有受到任何原子的束缚，就成为导带(自由)电子。在n型半导体材料中，自由电子称为多教载流子;空穴称为少数载流子。为了增加纯净硅中空穴的数量，在硅晶体中加入 3 价的杂质元素，如铝、硼、镓。
2.2.2 pn结
在一块本征硅上掺杂，使得硅的一半形成n 型半导体，另一半形成力型半导体，则在交界处会形成 pn 结。在 n 区有很多自由电子(多数载流子)和少量由热激发产生的空穴(少数载流子)。在力区有很多空穴(多数载流子)和少量由热激发产生的自由电子(少数载流子)。pn 结形成了基本的二极管，它是所有固态半导体器件的工作基础。二极管是一种只允许电流朝一个方向流动的器件。
耗尽区当pn 结形成之后，在结附近的一些导带电子漂移到力区并且和力区的空穴复合，如图 2-5a 所示。每个电子穿过结并且和空穴复合后，在n 区靠近结处会留下带一个净正电荷的五价原子。同样，当电子和力区的一个空穴复合，一个 3 价原子会带一个净负电荷。因此，结的 n 区会有正离子，区会有负离子。正负离子出现在结的相对一侧，在耗尽区处产生势垒电压(V)。势电压的大小受温度影响。在室温下，一般硅大约为0.7V，锗为0.3V。因为锗二极管很少使用，所以在实际应用中势垒电压为 0.7V，本书内容也假设势垒电压为0.7V。
为了扩散到p区，n 区的导带电子必须克服所有正离子的吸力和负离子的斥力。在离子层形成后，结两边的区域中自由电子和空穴的数量会急剧减少，这个区域称为耗尽区，如图 2-5b所示。电荷穿过交界处的任何运动都需要克服势垒电压。
2.3半导体二极管的偏置
一个 pn 结就构成一只半导体二极管。平衡时 pn 结中没有电流。半导体二极管的主要用处是它能够根据偏置使得电流只朝着一个方向流动。pn 结有两种偏置条件一正向偏置和反向偏置。这两种偏置都需要在 pn 结上外接合适方向的直流电压。
重点内容:
解释如何偏置一个半导体二极管
描述二极管的正向偏置和反向偏置
描述雪崩击穿
2.3.1正向偏置
在电子学中，术语偏置是指给半导体器件外加固定直流电压的工作条件。正向偏置是允许电流流过 pn 结的条件。
图 2-6 给出了半导体二极管正向偏置时直流电源的极性。电源的负极连接到n 区(极端)，电源的正极连接到p区(阳极端)。当半导体二极管正向偏置时，二极管的阳极电位比其阴极电位高。
正向偏置时是这样工作的:当一个直流电源正向偏置二极管时，由于静电排斥，电源负极推动n区的导带电子向结处运动。同样地，电源正极推动力区的空穴向结处运动。当外部偏置电压足够可以克服势垒电压时，电子就会有足够的能量进入耗尽区，并穿过 pn结进入p区。进人力区的电子会和力区的空穴复合。当电子离开n 区时，更多的电子流从电源负极进入 n 区。因此，通过导带电子(多数载流子)向结的定向移动产生流向n区的电流。当导带电子进入力区并和力区的空穴复合后，这些导带电子就成为价电子。然后，这些价电子向着正阳极连接方向不断地从一个空穴跳到另一个空穴。这些价电子的定向移动本质上形成空穴朝着相反方向的定向移动。因此，通过空穴(多数载流子)朝着结方向的定向运动在也区产生电流。
2.3.2反向偏置
反向偏置是阻止电流流过 pn 结的偏置条件。图 2-7a 给出了反向偏置一个半导体二极管所需的直流电源极性。注意，电源负极连接p区，电源正极连接n区。当半导体二极管反向偏置时，二极管的阳极电位比其阴极电位低。反向偏置时是这样工作的:由于相反的电荷相互吸引，电源负极吸引力区的空穴离开pn 结，同时电源正极吸引电子离开 pn 结。由于电子和空穴离开 n 结，耗尽区的宽度变得越来越大;在n区产生越来越多的正离子，在区产生越来越多的负离子。直到势垒电压等于外部偏置电压时，耗尽层的宽度不再增加，如图 2-7b 所示。当二极管反向偏置时耗尽区实际上相当于位于正离子层和负离子层之间的绝缘体。
峰值反向电压(PIV) 当一个二极管反向偏置时，它必须承受住加在两端之上的最大反向电压，否则二极管会被击穿，二极管的这个最大额定电压称为峰值反向电压(PIV)所需要的 PIV值取决于应用场合;在大多数使用普通二极管的情况下，PIV 应该高于反向置电压。
反向击穿 当外部反向偏置电压增大到足够大时，会发生雪崩击穿。雪崩击穿是这样产生的:假设少数导带电子从外部电源获得足够大的能量，从而加速它向二极管正极快速运动。在它的运动过程中，它碰撞一个原子并给予这个原子足够的能量使得一个价电子进人导带。这时，就有两个导带电子。每个导带电子又去碰撞原子，使得又有两个价电子被撞人导带。这时，就有 4 个导带电子。接着，这4 个导带电子又撞击 4 个价电子使它们进人导带。导带电子这种快速的倍增称为雪崩效应，雪崩效应使得反向电流急剧增大。
因为大多数二极管电路并不是为工作在反向击穿条件下而设计的，所以这些二极管工作在反向击穿条件下时可能会损坏。反向击穿也可以不损坏二极管，但是必须限制流过二极管的电流大小，防止温度过高而损害二极管。有一种类型的二极管，即稳压二极管，就是专门为工作在反向击穿而设计的，稳压二极管同样需要进行限流。
2.4二极管特性
本节学习描述二极管电流-电压关系的特性曲线。讨论二极管的三种模型。因为每个
模型具有不同的精度，所以在特定情况下你选择其中最合适的一种使用。在一些情况下.
为了简化问题，需要使用精度最低的模型，额外的细节会使情况变得更复杂。在其他情况
下，为了把所有的因素考虑进去，需要使用精度最高的模型
重点内容:
描述二极管的基本特性
描述二极管的I-V特性曲线
解释如何在示波器上显示二极管的 I-V特性曲线
描述用来简化二极管电路的三种模型
2.4.1二极管符号
图 2-8a 给出了通用二极管的标准电路符号。如图 2-8a 所示，二极管的两极是A和K，A 是阳极，K 是阴极。箭头符号总是指向阴极。
图 2-8b 给出了正向偏置二极管通过一个电流限制电阻连接到电源时的情况。二极管的阳极相对于阴极电位是正的，使得二极管导通，如电流表指示的那样。记住，当二极管正向偏置时，势垒电压 V。一直存在于阳极和阴极之间，如图 2-8 所示。电阻两端的电压VR等于Ve减去VB。
二极管的反向偏置如图 2-8c所示。二极管的阳极相对于阴极电位是负的，二极管不导通，如电流表所指示那样。偏置电压 Vee全部加在二极管上。因为没有电压降在电阻上，所以电路中没有电流。注意，偏置电压Ve与势垒电压Ve不相等。图2-9给出了一些典型的二极管封装。字母 A 表示阳极;K 表示阴极。
2.4.2二极管特性曲线
图 2-10是二极管的伏安特性曲线。图 2-10的右上部分表示二极管正向偏置时的情况。如图 2-10 所示，当正向偏置电压(V)低于势电势时，没有正向电流(I。当正向偏置电压接近势垒电势的值时(通常硅是0.7V，锗是0.3V)，流过二极管的电流开始增大。一旦正向偏置电压大于势垒电势，正向电流随着偏置电压增大而急剧增大，必须靠限流电阻来限制电流。正向偏置二极管的端电压几乎等于势垒电势的值，但是会随着正向电流的增大而略微增大。对正向偏置的二极管，通常将势垒电势就作为二极管的管压降。图 2-10 的左下部分表示二极管反向偏置时的情况。当反向偏置电压小于击穿电压时，随着反向偏置电压朝着左边增大，电流的值接近于零。当二极管被反向击穿时，二极管中会有较大的反向电流产生，如果不对这个反向电流进行限制，二极管将会被损坏。@通常，大多数整流二极管的击穿电压都大于 50V，普通二极管的大多数应用都不会运行在反向击穿区域内。
2.4.3二极管的模型
理想模型 模拟二极管原理最简单的方法就是把二极管看成一个开关。理想情况下当二极管正向偏置时，相当于开关闭合;当二极管反向偏置时，相当于开关断开，特性曲线如图 2-12 所示。注意，在理想情况下，正向管压降和反向电流始终零。当然，这是二极管的理想模型，忽略了势垒电势、内部阻抗和其他的一些影响。然而，在大多数情况下，这种模型已足够精确，尤其是当偏置电压是势垒电势的十倍或者更高倍时。偏移模型 精度更高一点的模型是偏移模型。偏移模型考虑了二极管的势垒电势。在这个模型中，正向偏置的二极管等效于一个闭合的开关串联一个小“电池”，这个电池的电压值等于势垒电势 V:的值(是0.7V)，如图 2-13a 所示。等效电池的正极向着电源的阳极。记住，势垒电势并不是一个电压源，不能用电压表去测量;当二极管正向偏置时，等效电池仅仅具有偏移电源的效果，因为二极管的正向偏置电压 V 只有克服了势电势的作用才能使二极管导电。和理想模型一样，二极管反向偏置时等效于一个断开的开关，如图 2-13b 所示，因为势电势并不影响反向偏置的情况。偏移模型的特性曲线如图 2-13c所示。在本书中，如不特别说明，都使用偏移模型进行分析。
偏移-电阻模型 图2-14a 给出了正向偏置二极管的等效电路，它由势电势和一个较小的正向电阻构成。正向电阻实际上是一个交流电阻(见 1.1 节)。正向电阻的值是变化的(取决于在哪点测试)，但是在这个模型中用直线来近似表示。
在偏移-电阻模型中，反向偏置情况用一个非常大的并联电阻来表示，结果就是产生的反向电流非常小。图 2-14b 表示很大的反向电阻作用在反向偏置模型中，特性曲线如图 2-14c所示。还有其他的一些较小的影响(如结电容)并没有包括在此模型中，对于这些影响，在计算机建模时通常会考虑。
系统例子2-1太阳能系统
pn 结是各种二极管的关键部分，包括用在太阳能系统中的光伏(PV)电池(也称作太阳电池)。太阳电池通过光电效应这种基本的物理过程把阳光转换成电能。阳光包含光子能量足以在n区和力区中产生电子-空穴对，在n区积累电子，在力区积累空穴，从而在电池中引起电势差(电压)。当连接了外部负载时，电子流过半导体材料并向外部负载提供电流。
太阳电池的结构 尽管还有其他类型的太阳电池，并且持续的研究工作保证在将来还会有新的产品研发出来，但是到目前为止，晶体硅太阳电池是使用最为广泛的。硅太阳电池由一块极薄的硅的基材构成，通过掺杂后形成 pn 结。在掺杂过程中可以精确地控制杂质原子的掺杂深度和分布。直拉单晶法(Czochralski method)是制造硅锭最常用的方法，然后从硅锭上切割出硅晶片。在这个过程中，把硅晶种浸入融化了的多晶硅中，随着晶种的撤回和旋转，圆柱硅锭就形成了。
从极纯的硅上切下极薄的圆形晶片，然后进行抛光并修剪成面积最大的八角形、六边形或矩形形状以形成一个阵列。在硅晶片中掺杂，使得 n 区比力区薄很多，能使光线透过，如图SE2-la所示。
在晶片上采用光致腐蚀剂或丝网等方法沉积出一个网状的、非常薄的导电接触片，如图SE2-1b 所示。为了收集尽可能多的光能，接触网格必须使暴露在阳光下的硅晶片的表面积尽可能大。
每个单元顶部的导电网格是必不可少的，当连接了外部负载时，电子就能移动较短的距离穿过硅。电子在硅中移动的距离越长，由于阻抗的原因使得能量损失越大。然后，如图 SE2-1所示，在硅片底部覆盖导电层。为了说明目的，太阳电池的厚度与表面积的比例在图SE2-1中被夸大了。
当包含了导电网格后，在导电网格和 n区顶部放置一个反射涂层，如图SE2-1c 所示。通过减少电池表面反射的光能，太阳电池能吸收尽可能多的太阳能。最后，用透明胶将一个玻璃的或者透明
的塑料层粘在电池顶部，防止电池受到天气影响。图 SE2-2 是一块完整的太阳电池。
2.5整流器
由于二极管在一个方向上允许电流通过，而在另一个方向上阻止电流通过，因此二极管通常用在电路(整流器)中，把交流电压转换成直流电压。由交流电压源变成直流电压源中都需要整流器，从最简单的电子系统到最复杂的电子系统，电源是它们基本的部分。本节将学习三种基本的整流器一一半波整流器、中间抽头全波整流器、全波桥式整流器。
重点内容:
·分析三种基本类型整流器的工作原理
熟悉半波整流器并解释它是如何工作的
熟悉中间抽头全波整流器并解释它是如何工作的
熟悉全波桥式整流器并解释它是如何工作的
2.5.1半波整流器
整流器是一个可以把交流转换成脉动直流的电子电路。图 2-15 阐述了半波整流过程如图 2-15a所示，在一个半波整流器中，一个交流源与一个二极管和一个负载电阻串联。
当正弦波输入电压为正时，二极管是正向偏置的，流过的电流送到负载电阻上，如图2-15b所示。
输出电压等于峰值电压减去管压降。
电流在负载两端产生电压这个电压与输入电压的正半周期具有相同的形状。当输入电压进入负半周期时变为负值，二极管反向偏置。因为电路中没有电流，所以负载电阻两端的电压为 0，如图 2-15c所示。最终结果是仅在交流输入电压的正半周期，负载电阻的电压是输入电压减去二极管管压降，使输出成为一个脉动直流电压，如图 2-15d 所示。注意，在负半周期，二极管需要承受住电源的负峰值电压而不被击穿。在二极管电路中，当所加电压的峰值远远大于势垒电势时，通常可忽略二极管的管压降。这相当于使用二极管的理想模型
2.5.2全波整流器
全波整流器和半波整流器的区别就是:全波整流器在整个输入周期允许单向电流流过负载，而半波整流器只在半个周期内允许电流流过负载。全波整流后的结果是一个按照输人电压半个周期的节拍重复输出的直流电压，如图 2-18 所示。
中间抽头全波整流器
中间抽头(CT)全波整流器使用两个二极管连接到一个中间抽头变压器的二次侧，如图 2-19 所示。输入信号通过变压器耦合到二次侧，整个二次电压的一半出现在中间抽头和每个二次绕组端之间。对输入电压的正半周期，二次电压的极性如图 2-20a 所示。在这种情况下，上面的二极管 D，正向偏置，下面的二极管 D反向偏置。电流流过的路径是经过 D和负载电阻，在图 2-20a中用灰色线标出。
对输入电压的负半周期，次级电压的极性如图 2-20b所示。在这种情况下，二极管 D反向偏置，二极管 D正向偏置。电流流过的路径是经过 D和负载电阻，在图2-20b中用灰色线标出。
2.5.3桥式整流器
桥式整流器使用4个二极管，如图 2-23 所示，这种排列方式不再需要中间抽头变压器，是电源中最普遍的结构方式。4 个二极管安放在一起，之间用导线连接成桥式结构桥式整流器是全波整流器的一种，它每次把正弦波的一半传送到输出负载上
桥式整流器是这样工作的:当输入处于正半周期时，如图 2-23a 所示，二极管 和
，正向偏置并且导通，电流的流经路径用灰色的线标出。
两端产生电压，电压波形和输人的正半周期相同。这时，二极管 D和 D反向偏置。当输入处于负半周期时，如图 2-23b所示，二极管 D和D正向偏置并导通，电流的流经路径在图 2-23b 中用灰色的线标出。
两端又产生电压，电压的方向和正半周期时的相同。在负半周期，二极管
和
。反向偏置。全波整流器的输出电压是
的端电压。
2.6整流滤波器和IC稳压器
电源滤波器大大地减小了整流器输出电压的波动，形成了幅度接近恒定的直流电压。滤波的原因是电子电路需要恒定的直流电压源和直流电流源来提供电功率与偏置，使得电路能正常工作。通常使用大电容器来进行滤波，为了改善滤波效果，电容(输入滤波器)后紧跟着稳压器。如今由于集成电路(IC)的发展，有了便宜而有效的稳压器。本节介绍集成稳压器，更详细的内容将会在第 11章中介绍。
学完本节后，你应该掌握以下内容:
描述整流滤波器和集成稳压器的工作原理
给出IC稳压器的例子，并知道它们是如何连接到整流器的输出端
对一个给定纹波抑制和输人纹波的IC稳压器，能计算其输出的纹波
对一个给定的有负载或无负载的电压，计算其负载变动范围
对给定的输人电压变化所引起的输出电压的变化，计算其线性调整率
在大多数电源供电的应用中，标准的 60Hz交流线性电压源都应转换成幅度接近恒定值的直流电压。半波整流器的60Hz 脉动直流输出或全波桥式整流器的 120Hz 脉动输出应该经过滤波来减小较大的电压变化。滤波可以通过一个电容器、一个电感器或者它们的组合来完成。迄今为止，电容输入滤波器是最便宜并且广泛应用的类型。
2.6.1电容输入滤波器
图 2-24 给出了一个带有电容输人滤波器的半波整流器。我们将用半波整流器来阐述滤波的原理，然后推广到全波整流器。
在输入正向的前四分之一周期，二极管正向偏置，在二极管到达输入峰值后开始下降前的这段间，允许电容进行充电，如图 2-24a 所示。当输人下降到低于其峰值时，如图 2-24b 所示，电容继续充电，二极管开始反向偏置。在这个周期的剩下部分到下一个周期的开始，电容只能通过负载电阻以一定的速率放电，放电速度取决于 RC 时间常数。时间常数越大，电容放电速率就越小。
在下一个周期到达峰值前，如图 2-24c 所示，当输人电压超过电容器电压大约一个二极管管压降时，二极管又重新正向偏置。
2.6.2IC稳压器
当滤波器可以将电源的纹波降低到很小时，最有效的滤波器是将电容输入滤波器和 IC稳压器组合起来运用。通常，IC(集成电路)是在一个小的硅芯片上构建的功能完整的电路。
IC稳压器是一块连接到整流器输出端的 IC，即使输入、负载电流或温度发生变化，它也能始终保持输出电压(或电流)的恒定。电容滤波器使得稳压器的输入纹波降低到了一个合适的值。一个大电容和一个IC稳压器的组合价格不贵，但能有助于产生一个很好的小电源。最流行的IC稳压器具有三个端一一输人端、输出端和参考端(或调节端)。电容器首先对稳压器的输人进行滤波，使纹波减小到<10%，然后稳压器可以将纹波减少到可以忽略的水平。此外，大多数稳压器具有内部参考电压、短路保护和热切断电路。它们可以用在各种正、负极性输出的电压中，并且可以用最少的外部元件设计成可变输出。典型地，IC稳压器可以提供具有很强纹波抑制能力的1至数安培电流的输出。超过 5A 负载电流的IC稳压器也可用。
为了稳定输出电压而设计的三端稳压器只需要连接外部电容器就可以完成对电源的稳压调整，如图 2-27 所示。滤波是通过在输入电压和地之间的大容量电容器来完成的。有时，为了防止振荡，当滤波电容器与IC 稳压器并不是很靠近的时候，再并联一个较小的输入电容器，这个电容器需要靠近 IC 稳压器。最后，为了改善暂态响应，将一个输出电容器(典型值为0.11uF)并联在其输出端
系统例子2-2线性电源
电源是大多数电子系统中的重要部分，因为电源为系统中其他电路的工作提供必要的直流电压和电流。典型的电源将交流电源转换成恒定的直流电压。在这个系统例子中我们将了解一些设计准则，即使是基本线性电源这样简单的系统也必须考虑这些准则。系统将分成两个阶段来说明。在第一阶段，计算不采取稳压器的 16V 输出所需的器件。在第二阶段，稳压后将输出电压降低到+12V 输出。图SE2-6 给出了最初的设计图。假设初始设计准则如下:
输入电压是120V@60Hz
在第一阶段，DC输出电压应该为
+16V士10%
负载电流:250mA(最大)
纹波系数:0.03(最大)
熔丝应该安装在变压器的一次侧
成本应该尽可能低
变压器桥式整流的直流输出电压应该是16V士10%，因此峰值变压器二次电压应为士16V加上桥臂二极管压降。变压器用电压有效值评估，因此需要计算二次电压的有效值。选择变压器时需要考虑许多因素，变压器应该要有必要的匝数比，并且能够承受最大负载电流。如果它价格不高，应该购买现成的。
熔丝 选择熔丝需要考虑许多因素。它应该有足够高的额定电流，使得最大负载电流流过或当电容器充电时产生的浪涌电流都不会烧断熔丝。它也必须有足够低的额定电流，使得当过载电流产生时，变压器、桥式整流管、负载能受到保护。因为熔丝安装在变压器的一次侧，所有计算都基于一次电流。
桥式整流电路 桥式整流电路是由 4 个分开的整流二极管或一个封装组成的 IC 组成。IC 桥式整流电路是最佳选择，因为合在一起的一只器件比起用单个器件来组装成本会更低。当选择IC桥式整流电路时，必须先确定最大正向电流和 PIV 值。滤波电容器 滤波电容器和负载电阻决定了纹波电压，为了确定在 0.03 纹波系数下的滤波电容器的最小值，需要进行一些计算。
变换Vrep)方程，求得C的最小值，发现 4 700pF 电容器能够满足纹波系数的要求，同样需要考虑电容器的额定电压。注意，R,的值由直流输出电压和最大负载电流决定。稳压后的直流电源 这是电路设计的第二个阶段，加入了稳压器和用来显示电源接通的LED指示器。电源应该提供+12V,的恒定输出电压，最大负载电流应保持一致。图 SE2-7给出了电路设计图。
稳压电路 对这个电路，简单的 78XX 系列线性稳压器是最佳选择。因为78XX 系列的最后两位数字表示输出电压，所以选择 MC7812，假定散热是理想的。这个成本很低，并且能够增加稳压器的稳定性和预期寿命。
从78XX的数据手册中可以看到制造商推荐用一个0.33pF 的电容器连接输入端和地，并且建议用另一个电容器连接输出端和地来改善瞬态响应。输入电容有助消除高频振荡你可能会想为什么把小电容器并联到大的滤波电容器上? 理由是大的电解电容器内部有等效的串联电阻和一些电感，它们会影响电路的高频响应。反过来，需要保证电容器具有恰当的额定电压。
LED 电路 LED 需要限流电阻。红色的LED 通常选作“ON”指示符。限流电阻的值通过数据手册中的测试电流范围来计算。也需要确定电阻的额定功率。电路仿真 在构造电路前先用 Multisim 或其他仿真软件对电路进行仿真是明智的。制造原型和测试 一旦完成了仿真测试，就可以搭建电路并进行测试。必须设计 PCB并安装各类器件。图 SE2-8 给出了一种可能的电路板布局。最后，对电路进行评估以确保它满足所有的电路设计参数，并计算出最终的生产成本。你可以看到即使是设计像这样简单的电路，判断、计算和测量都是必不可少的。
重要公式:
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