自定义博客皮肤VIP专享

*博客头图:

格式为PNG、JPG,宽度*高度大于1920*100像素,不超过2MB,主视觉建议放在右侧,请参照线上博客头图

请上传大于1920*100像素的图片!

博客底图:

图片格式为PNG、JPG,不超过1MB,可上下左右平铺至整个背景

栏目图:

图片格式为PNG、JPG,图片宽度*高度为300*38像素,不超过0.5MB

主标题颜色:

RGB颜色,例如:#AFAFAF

Hover:

RGB颜色,例如:#AFAFAF

副标题颜色:

RGB颜色,例如:#AFAFAF

自定义博客皮肤

-+
  • 博客(161)
  • 资源 (1)
  • 收藏
  • 关注

原创 【氮化镓】陷阱对GaN器件PAE和线性度影响的建模

提出了一种结合 TCAD 物理模型和紧凑模型的新方法,用于分析和预测 GaN HEMTs 的射频性能,特别是考虑到陷阱效应对功率附加效率和线性度的影响。通过 TCAD 校准的紧凑模型能够准确地模拟射频大信号性能,并与实验数据吻合良好。此外,该方法还提供了一种将 TCAD 与射频大信号模拟直接联系起来的新途径,有助于理解陷阱密度对 HEMT 性能的具体影响,从而为 GaN HEMTs 的设计和优化提供了有力的工具。。

2024-05-17 01:00:00 559

原创 【LAMMPS学习】十、LAMMPS辅助工具(2)LAMMPS shell使用

LAMMPS Shell,lammps-shell是一个程序,其功能与常规 LAMMPS 可执行文件非常相似,但进行了一些修改和添加,使其对于交互式会话更加强大,即从提示符中键入 LAMMPS 命令而不是阅读它们来自一个文件。

2024-05-17 00:15:00 1066

原创 【LAMMPS学习】十、LAMMPS辅助工具(1)

LAMMPS 被设计为用于执行分子动力学计算的计算内核。设置和分析模拟通常需要额外的预处理和后处理步骤。此类工具的列表可以在 LAMMPS 网页上的以下链接中找到:

2024-05-16 00:45:00 657

原创 【氮化镓】高电容密度的p-GaN栅电容在高频功率集成中的应用

文章详细介绍了p-GaN栅电容的设计、特性和在高频功率集成中的应用。通过实验数据和理论分析,文章展示了p-GaN栅电容在实现高电容密度、低ESR和高Q因子方面的潜力。此外,文章还讨论了不同布局设计对电容器性能的影响,特别是多指交错布局在提高高频性能方面的显著优势。这项研究对于GaN功率集成电路的设计具有重要的指导意义,有助于推动GaN技术在高频功率应用中的进一步发展。

2024-05-16 00:15:00 465

原创 【氮化镓】p-GaN 栅 HEMT栅极可靠性及其退化机制

本文研究了具有再生长p-GaN栅极和AlN/SiNx堆叠钝化的常关型高电子迁移率晶体管(HEMTs)的栅极可靠性及其退化机制。通过比较两种设计结构下的正向漏电流,确定了传导机制为Fowler-Nordheim(F-N)隧穿,该机制下电流与温度无关,当Pd/p-GaN肖特基结在高电场下时。即使对于再生长的p-GaN栅极,首先出现的是肖特基结的失效,导致栅极电流急剧增加。通过采用幂律和指数律作为外推拟合,分别估计了在室温下10年寿命内故障率为1%时的最大栅极操作电压约为6.87 V和6.07 V。

2024-05-15 00:45:00 811

原创 【LAMMPS学习】九、LAMMPS脚本 示例

LAMMPS 发行版包含一个包含许多示例问题的示例子目录。许多是二维模型,运行速度快且易于可视化,在台式机上运行最多需要几分钟。每个问题都有一个输入脚本 (in.*),并在运行时生成一个日志文件 (log.*)。有些使用初始坐标的数据文件(data.*)作为附加输入。目录中包含一些在不同计算机上运行的示例日志文件,并且目录中包含不同数量的处理器,以比较您的答案。例如。像 log.date.crack.foo.P 这样的日志文件意味着“crack”示例在该日期机器“foo”的 P 处理器上运行(即使用该版本的

2024-05-15 00:15:00 882

原创 【氮化镓】高温GaN HEMTs大信号模型——ASM-HEMT

文章详细介绍了ASM-HEMT模型的开发和验证过程,包括对DC和RF参数的温度依赖性进行建模。通过实验数据验证了模型的准确性,并使用模型预测了GaN HEMT在高温下的性能。这项工作对于高温环境下的GaN HEMT设计具有重要意义,尤其是在没有直接测量数据的情况下进行集成电路设计时。

2024-05-14 16:08:34 732

原创 【LAMMPS学习】八、基础知识(6.6)在 Windows 10 上使用 LAMMPS 和 WSL

让 LAMMPS 用户和开发人员在 Windows 上工作对我们来说一直很棘手。我们主要开发在 Linux 集群上运行的 LAMMPS。为了在研讨会环境中教授 LAMMPS,我们必须将 Windows 用户重定向到 Linux 虚拟机,例如 VirtualBox 或使用 Cygwin 进行类 Unix 编译。通过 Windows 10(版本 2004、Build 19041 或更高版本)的最新更新,Microsoft 添加了一种处理基于 Linux 的代码的新方法。

2024-05-14 14:11:42 1380

原创 【LAMMPS学习】八、基础知识(6.5)PyLammps 教程

PyLammps是 LAMMPS 的 Python 包装类,可以单独创建或使用现有的lammps Python 对象。与使用 Python ctypes 编写的 C 风格 LAMMPS 库接口的lammps包装器相比,它为常见的 LAMMPS 功能创建了一个更简单、更“Pythonic”的接口。使用 Python 与 LAMMPS 文档页面讨论了lammps包装器。与扁平的ctypes界面不同,PyLammps 公开了一个可发现的 API。它不再需要了解底层 C++ 代码实现的知识。

2024-05-13 18:14:25 905

原创 【LAMMPS学习】八、基础知识(6.4)Moltemplate​​​​​​​教程

​在本教程中,我们将使用Moltemplate 工具通过OPLS-AA force field建立经典分子动力学模拟。第一个任务是描述有机化合物并为 LAMMPS 创建完整的输入平台。第二个任务是将 OPLS-AA 力场映射到使用外部工具创建的分子样本,例如PACKMOL,并导出为 PDB 文件。本教程中使用的文件可以在 LAMMPS 源代码分发的tools/moltemplate/tutorial-files文件夹中找到。

2024-05-12 00:15:00 915

原创 【碳化硅】陷阱(traps)对SiC MOSFET阈值电压漂移的影响

文章通过瞬态电流法和贝叶斯解卷积方法,对SiC MOSFET中的陷阱进行了详细的表征,并分析了这些陷阱对阈值电压漂移的影响。通过系统的实验和分析,文章揭示了导致SiC MOSFET阈值电压漂移的主要陷阱类型,并提出了改善设备可靠性的建议。这项研究对于理解和提高SiC MOSFET的长期稳定性和可靠性具有重要意义。

2024-05-11 18:53:13 708

原创 【LAMMPS学习】八、基础知识(6.3)使用 LAMMPS GUI

LAMMPS GUI 是一个图形文本编辑器,用于编辑链接到 LAMMPS 库的 LAMMPS 输入文件,因此可以使用编辑器文本缓冲区的内容作为输入直接运行 LAMMPS。它可以在 LAMMPS 运行时检索和显示信息,显示使用 dump image 命令创建的可视化效果,并且专门用于通过文本完成和重新格式化来编辑 LAMMPS 输入文件,以及链接到在线 LAMMPS 文档以了解已知的 LAMMPS 命令和样式。

2024-05-11 00:15:00 1026

原创 【核武器】2024 年美国核武器-20240507

美国已经开始了一项范围广泛的核现代化计划,最终将在未来几十年内将所有核运载系统替换为更新版本。在本期的《核笔记本》中,我们估计美国保持着大约3708枚核弹头的库存——与前一年相比没有变化。其中,部署的弹头只有大约1 770枚,而储备的弹头大约有1 938枚。此外,大约有1,336枚退役弹头正在等待拆除,使核弹头的总库存约为5,044枚。在部署的大约1770枚弹头中,400枚装在陆基洲际弹道导弹上,大约970枚装在潜射弹道导弹上,300枚装在美国的轰炸机基地,大约100枚战术炸弹装在欧洲的基地。

2024-05-10 18:49:24 647

原创 【LAMMPS学习】八、基础知识(6.2)LAMMPS GitHub 教程

​本文档描述了如何使用 GitHub 将您对 LAMMPS 所做的更改或添加集成到官方 LAMMPS 发行版中的过程。它使用更新本教程的过程作为示例来描述各个步骤和选项。您需要熟悉 git,并且您可能需要查看 git 书籍来熟悉下面使用的一些更高级的 git 功能。截至 2016 年秋季,通过 GitHub 上的拉取请求向 LAMMPS 提交贡献是将贡献的功能或改进集成到 LAMMPS 的首选选项,因为它显着减少了 LAMMPS 开发人员所需的工作量。因此,创建拉取请求将增加您的贡献被包含在内的机会,并

2024-05-10 00:45:00 1384

原创 【DFT】高 K/金属栅极阈值电压偏移的密度泛函模型

文章《Density functional model of threshold voltage shifts at High-K/Metal gates》,是由R. Cao、Z. Zhang、Y. Guo、J. Robertson等人撰写,发表在《Solid-State Electronics》期刊上。通过密度泛函理论(Density Functional Theory, DFT)分析了在高K/金属栅极CMOS结构中用于设定阈值电压的氧化物偶极层。

2024-05-09 19:40:37 592

原创 【LAMMPS学习】八、基础知识(6.1)将CMake 与 LAMMPS 结合使用

感谢 Christoph Junghans (LANL) 和 Richard Berger (LANL) 的努力,LAMMPS 最近添加了对使用 CMake 构建 LAMMPS 的支持。 CMake 的主要优势之一是它不依赖于特定平台或构建系统。相反,它生成为不同构建系统和不同平台构建和开发所需的文件。请注意,这适用于构建系统本身,而不是 LAMMPS 代码。换句话说,如果没有额外的移植工作,就不可能在 Windows 上使用 Visual C++ 编译 LAMMPS。构建系统输出还可以包括在集成开发环境

2024-05-09 12:53:53 1159

原创 【氮化镓】GaN功率器件在转换器设计中的挑战

引言部分首先强调了宽带隙(WBG)器件在高频、高效率电力电子技术中的关键作用。这些器件,包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),相较于传统的硅功率器件,具有显著的优势。宽带隙半导体材料的高击穿场强允许设计更薄的漂移区,从而优化器件的特定导通电阻(Rds,on)。此外,GaN的高电子迁移率进一步降低了导通电阻,使得器件尺寸更小,输入和输出电容更低,这有助于实现更快的开关瞬态。GaN作为一种宽带隙半导体,其材料特性在高效率和高频转换器中尤为突出。

2024-05-08 17:49:15 710

原创 【LAMMPS学习】八、基础知识(5.11)磁自旋

​磁自旋模拟由 SPIN 包实现,其实现在 Tranchida 中有详细介绍。该模型代表了原子磁自旋与晶格振动耦合的模拟。这些磁自旋的动力学可用于模拟与磁弹性相关的广泛现象,或者用于研究缺陷对材料磁性的影响。磁自旋彼此相互作用,并通过配对相互作用与晶格相互作用。通常,磁交换相互作用可以使用pair/spin/exchange命令来定义。这种交换将磁扭矩应用于给定的自旋,考虑到其相邻自旋的方向及其相对距离。它还根据自旋方向及其相关原子间距离对原子施加力。​

2024-05-08 01:30:00 628

原创 【LAMMPS学习】八、基础知识(5.10)LAMMPS流形(表面)

本页不是关于 LAMMPS 输入脚本命令,而是关于流形,流形是广义表面,由 MANIFOLD 包定义和使用,用于跟踪流形上的粒子运动。有关该包及其命令的更多详细信息,请参阅 src/MANIFOLD/README 文件。下面是 MANIFOLD 包当前支持的流形列表、它们的参数以及它们的简短描述。此处列出的参数的顺序与传递给相关修复程序的参数顺序相同。

2024-05-07 18:31:02 718

原创 【LAMMPS学习】八、基础知识(5.9)LAMMPS 近场动力学

近场动力学是经典连续介质力学的非局域扩展。离散近场动力学模型具有与分子动力学模型相同的计算结构。本 Howto 简要概述了连续体的近场动力学模型,然后讨论了如何在 LAMMPS 中离散化近场动力学模型,如原始文章 (Parks) 中所述。还包括一个带有注释的示例问题。

2024-05-07 17:59:51 423

原创 【LAMMPS学习】八、基础知识(5.8)LAMMPS 中热化 Drude 振荡器教程

本教程介绍如何在 LAMMPS 中使用 Drude 振荡器,通过 DRUDE 包模拟可极化系统。作为说明,记录了 250 个苯酚分子模拟的输入文件。首先,必须在激活 DRUDE 包的情况下编译 LAMMPS。然后,必须修改数据文件和输入脚本以包含德鲁德偶极子以及如何处理它们。

2024-05-06 14:22:20 751

原创 【氮化镓】GaN HEMTs 在金星及恶劣环境下的应用

作者对增强模式p-GaN门AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)进行了深入的设备和材料研究,旨在探索其在金星探索任务以及其他恶劣环境条件下的应用潜力。硅技术在面对极端环境时存在的固有限制,如在高温、高压和有害化学物质存在的条件下硅器件的性能会急剧下降。因此,GaN作为一种宽带隙半导体,因其出色的热稳定性和化学稳定性,被认为是在这些恶劣条件下应用的理想选择。 作者们构建GaN晶体管,并将其暴露在模拟金星环境的条件下进行了长达11天的测试。测试环境包括460°C的高温、94 bar的压力以及模拟金星

2024-05-06 14:11:46 743

原创 【集成电路】集成电路技术的综述-邓中翰

**先进逻辑工艺**:介绍了集成电路制造的主流技术CMOS工艺,以及随着工艺节点进步所产生的新技术和新结构,如应变硅技术、高介电常数金属栅极(HKMG)、绝缘体上硅(SOI)工艺和鳍式场效应晶体管(FinFET)工艺。- **集成电路产业的战略意义**:文章开头强调了集成电路产业对于国家战略的重要性,特别是在物联网、人工智能、大数据、量子技术等领域的应用,以及在第四次工业革命中的关键作用。- **薄膜沉积设备**:讨论了薄膜沉积设备在集成电路制造中的作用,以及原子层沉积(ALD)技术的发展和应用。

2024-05-04 16:55:00 299

原创 【LAMMPS学习】八、基础知识(5.7)Drude感应偶极子

热化德鲁德模型表示由谐波弹簧连接的一对电荷(核心原子和德鲁德粒子)产生的感应偶极子。请参阅 Howto 极化文档页面,了解 LAMMPS 中所有可用极化模型的讨论。

2024-05-04 03:15:00 1483

原创 【LAMMPS学习】八、基础知识(5.6)绝热核/壳模型

Mitchell 和 Fincham 提出的绝热核壳模型是一种向系统添加极化性的简单方法。为了模拟离子的电子壳层,卫星粒子附着在离子上。通过这种方式,离子被分成核和壳,其中后者对静电环境产生反应,从而产生极化。请参阅 Howto 极化页面,了解 LAMMPS 中所有可用极化模型的讨论。

2024-05-03 22:26:53 1246

原创 【nature review】用于非易失性射频开关技术的新兴存储电子器件

射频 (RF) 开关在现代通信和连接系统中普遍存在,例如蜂窝网络、卫星通信和雷达系统。现代系统通常使用晶体管射频开关;然而,由于对高速、可靠性和能效设备的需求不断增长,对替代材料和设备的研究,特别是基于非易失性开关物理的材料和设备的研究正在扩大。在这篇综述中,我们讨论了基于新兴二维 (2D) 材料的射频开关的最新进展。在概述基于新兴存储器技术(例如随机存取存储器、传导桥随机存取存储器和相变存储器)的射频开关之后,我们描述了二维非易失性射频开关技术,包括器件制造、高频性能、开关时间、功率处理、电磁和热研究。

2024-05-03 22:09:29 677

原创 【氮化镓】GaN器件可靠性及市场前景概述

这篇文章为读者提供了GaN FET技术在空间应用中的全面概述,包括技术优势、面临的挑战、当前市场状况以及未来发展的方向。文章强调了GaN FET在提高电源转换效率和频率方面的潜力,同时也指出了在可靠性和辐射硬度方面的挑战。此外,文章还讨论了欧洲在开发适用于空间应用的高可靠性GaN FET方面的紧迫需求,并提出了一些建议和未来研究方向。通过这篇文章,读者可以了解到GaN FET技术在空间领域的应用前景,以及为了实现这些应用所需克服的技术障碍。

2024-05-02 19:08:41 642

原创 【LAMMPS学习】八、基础知识(5.5)极化模型

在极化力场中,分子和材料中的电荷分布对其静电环境做出响应。可使用三种方法在 LAMMPS 中模拟偏振系统:在QEQ包中实现的波动电荷法;在CORESHELL包中实现的绝热核壳法;在 DRUDE 封装中实现热化 Drude 偶极子方法。

2024-05-02 11:48:27 1025

原创 【氮化镓】GaN器件在航天器高可靠正向转换器中应用

文章首先指出GaN器件在太空级功率转换应用中的潜力,尤其是在依赖MOSFET技术的领域。尽管GaN器件的数量不多,但当前市场上的太空级GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)仍然可以显著提高效率和功率密度。文章通过设计、实现并对比两种75-W的太空级正向转换器(一种使用GaN HEMTs,另一种使用传统的硅基MOSFETs),量化了GaN HEMTs相对于硅基器件的性能优势。文章定义了用于评估GaN在太空应用中当前状态的基线测量,即代表硬化硅MOSFETs的类别。

2024-05-01 19:57:44 1342

原创 【LAMMPS学习】八、基础知识(5.4)黏结粒子(BMP)模型

BPM 包实现了可用于模拟介观固体的粘合粒子模型。固体被构造为粒子的集合,每个粒子代表一个比原子尺度大得多的粗粒度空间区域。然后,固体区域内的颗粒通过键网络连接以提供固体弹性。与分子动力学中的传统键不同,不同键的平衡键长可能不同。 Bonds 存储参考状态。这包括将平衡长度设置为等于两个粒子之间的初始距离,但也可以包括有关旋转模型的键方向的数据。这会产生无压力的初始状态。此外,在大应变下键会断裂,产生断裂。 example/bpm 目录包含示例输入脚本,用于模拟受影响板的破碎和扩展弹性体的浇注。

2024-05-01 01:10:16 1188

原创 【氮化镓】一种新型的p-GaN/p-AlGaN/AlGaN/GaN异质结场效应晶体管

文章提出的p-GaN/p-AlGaN/AlGaN/GaN HFET结构通过在p-GaN和AlGaN之间插入p-AlGaN层,有效地解决了选择性蚀刻过程中的表面损伤问题,并提高了阈值电压。这种结构不仅提高了器件的性能,还增强了开关操作时的安全性,对于提升增强型GaN HFET的可靠性具有重要意义。此外,文章中的实验数据和模拟结果相互印证,展示了新型结构的优势。

2024-04-30 18:38:00 1193

原创 【LAMMPS学习】八、基础知识(5.3)Body particles体粒子

​在 LAMMPS 中,体粒子是广义的有限尺寸粒子。单个体粒子可以表示复杂的实体,例如离散点的表面网格、子粒子的集合、可变形物体等。请注意,LAMMPS 还支持其他类型的有限尺寸球形和非球面粒子,例如球体、椭球体、线段和三角形,但它们是比体粒子更简单的实体。有关所有这些粒子类型的一般概述,请参阅Howto spherical页面。

2024-04-30 16:53:41 1115

原创 【氮化镓】AlGaN/GaN HEMTs沟道温度测量

总结了自加热效应在AlGaN/GaN HEMTs中的影响,并提出了一种新的沟道温度确定方法。通过实验,作者观察到输出特性中的负微分电阻伴随着HEMT的自加热效应。研究确认了在硅基底上生长的器件有更好的冷却效果,并且比在蓝宝石基底上的器件有更低的热阻。最后,文章还研究了不同栅长下HEMT的自加热效应,并验证了短栅结构的自加热效应更强。

2024-04-29 16:41:41 1158

原创 【LAMMPS学习】八、基础知识(5.2)粒度模型

颗粒系统由具有直径的球形颗粒组成,而不是点颗粒。这意味着它们具有角速度,并且可以向它们施加扭矩以使它们旋转。

2024-04-29 08:35:00 613

原创 【LAMMPS学习】八、基础知识(5.1)有限尺寸球形和非球形粒子

典型的 MD 模型将原子或粒子视为点质量。有时需要一个具有有限尺寸粒子的模型,例如球体或椭球体或广义非球体。不同之处在于,此类粒子具有惯性矩、旋转能和角动量。旋转是由与其他粒子相互作用产生的扭矩引起的。

2024-04-28 15:06:59 1402

原创 【氮化镓】GaN 器件的高温运行

通过使用圆形器件结构和原子层刻蚀门极凹槽,实现了E-mode和D-mode AlGaN/GaN MIS-HEMT在400°C下的稳定操作。这些设备在400°C时显示出了高达10^8的Ion/Ioff比和高达21.4 mS/mm和19.1 mS/mm的大跨导。E-mode设备在高温下保持了正常的关闭操作和稳定的阈值电压,而D-mode设备由于应变松弛,阈值电压逐渐变化。使用E-mode和D-mode设备制造的DCFL反相器在高温下显示出了稳定的转移特性,这表明了高温逻辑和存储器的可行性。

2024-04-28 14:45:31 863

原创 【氮化镓】p-GaN HEMTs空穴陷阱低温冻结效应

低温条件下空穴陷阱对p-GaN HEMTs栅极漏电的影响显著。通过C-DLTS测试和漏电电流拟合,揭示了冻结陷阱效应,并通过分析栅极漏电电流机制,为低温条件下p-GaN HEMTs的研究提供了宝贵的见解。

2024-04-27 14:11:48 953

原创 【LAMMPS学习】八、基础知识(4.6)SPC水模型

​SPC 水模型指定了 3 个位点的刚性水分子,并为 3 个原子中的每个原子分配了电荷和 Lennard-Jones 参数。在 LAMMPS 中,fix shake命令可用于保持两个 O-H 键和 H-O-H 角刚性。还应使用 Harm 的键样式和 Harm 或 charmm 的角度样式。这些是为 O 和 H 原子以及水分子设置的附加参数(以实际单位表示),以运行严格的 SPC 模型。

2024-04-27 10:45:04 912

原创 【软件】ERETCAD-Env:在轨空间环境3D动态仿真软件

文章介绍了Extreme-environment Radiation Effect Technology Computer-Aided Design – Environment (ERETCAD-Env)软件,文章的介绍和展示了ERETCAD-Env软件的功能和特点,这是一款用于动态模拟在轨卫星所处空间环境的计算机辅助设计软件。:ERETCAD-Env旨在为任何在轨航天器建立基于模型的数字孪生,动态模拟空间环境的复杂现象和卫星的运动状态。软件的主要架构包括动态模拟、高效计算和全面的数据展示。

2024-04-26 14:43:49 615

原创 【LAMMPS学习】八、基础知识(4.5)TIP5P水模型

​五点 TIP5P 刚性水模型通过添加两个通常无质量的附加位点 L 来扩展three-point TIP3P model,其中放置与氧原子相关的电荷。这些位点 L 位于距氧原子固定距离处,形成从 HOH 平面旋转 90 度的四面角。因此,这些位点在某种程度上近似于氧的孤对,从而改善了水结构,与four-point TIP4P model相比变得更加“四面体”。

2024-04-26 00:00:03 929

GaN器件在高可靠正向转换器中应用

GaN器件在高可靠正向转换器中应用

2024-05-01

生物信息学课程学习笔记第四版2022版

生物信息学课程学习笔记第四版2022版

2024-04-23

【Nature Electronics】二维钙钛矿氧化物SNO作为high-κ栅介质的应用

【Nature Electronics】Two-dimensional perovskite oxide as a photoactive high-κ gate dielectric本研究探讨了二维钙钛矿氧化物Sr2Nb3O10(SNO)作为光活性高介电常数(high-κ)栅介质材料在光晶体管中的应用。通过自上而下的制备方法,SNO成功地与多种二维通道材料集成,展现出高介电常数、适中的带隙以及优异的光电性能。研究结果表明,SNO基光晶体管在可见光和紫外光照射下表现出极高的光电转换效率和快速的响应速度,实现了紫外-可见光双波段光电探测。

2024-04-03

汇编软件合集 masm link lib

全国计算机等级考试三级PC技术上机系统南开百题汇编语言程序设计 软件合集

2011-01-08

空空如也

TA创建的收藏夹 TA关注的收藏夹

TA关注的人

提示
确定要删除当前文章?
取消 删除