一文了解PCIe 6.0的基础和测试

2022年PCI-SIG组织宣布PCIe 6.0规范标准v1.0版本正式发布,宣告完工。

延续了惯例,带宽速度继续增倍,x16下可达128GB/s(单向),由于PCIe技术允许数据全双工双向流动,因此双向总吞吐量就是256GB/s。

• Definitions/Metrics to Help Frame Server Design Challenges

• Disaggregation: dividing components and resources into subsystems

• Fabric attached: components attached in a mesh, including across network, allowing accessibility to a series of servers

• GFAM: Global Fabric Attached Memory

• IE: Fabric Attached Storage, Fabric Attached Memory

• Stranded memory: memory attached to a CPU that is accessed infrequently or not at all

• Metrics of interest contributing to server cost

• Estimated server memory cost – ~30% - 50% of total server cost

• Average utilization of DRAM (40%-50%)

If memory pooling could reduce total DRAM by 10%, total server costs could reduce by 4%-5%

Typical Applications Using PCIe and CXL Interfaces

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History of PCIe Specifications

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需要注意的是,此表中的PCle 3.0,相对PCle 2.0,频率只从5GT/s提高到8GT/s,增加了60%;而带宽则从16GB/s升级到32GB/s(16个Lane),这是为什么呢?

PCle 3.0编码方式从8b/10b变成了128b/130b,编码效率提高了24%,从而得到:

1.6 x 1.24 = 2 倍

的传输带宽。

受制于主板线材材质和成本的原因,这一次,PCle 6.0同样采用了类似方式,也就是仅仅通过改变编码方式到PAM-4来提高带宽。

PCIe 6.0改用PAM4脉冲调幅信令,1b/1b编码,单个信号就有能四种编码(00/01/10/11)状态,比之前翻番,允许承载最高30GHz频率。不过,由于PAM4信号比NRZ脆弱,所以必须搭配FEC前向纠错机制,纠正链路中的信号错误,保障数据完整性。

除了PAM4和FEC,PCIe 6.0额外在逻辑层使用FLIT(流量控制单元)编码。

PCIe 6.0 Goals and System Implications

• Goals of PCIe 6.0

• Double bandwidth per lane to 64 GT/sec

• Mandatory backwards-compatibility to PCIe 1.1

• Similar channel reach vs. PCIe 5.0

• Higher bandwidth efficiency

• Potential system level design changes moving to next gen PCIe

• Increased board design complexity and cost – same reach at higher data rate

• Need for new materials and/or greater manufacturing integrity

• Longer reach needed for riser cards and back planes

• Market demand to further expand disaggregation

Previous PCIe Generation(s) vs. PCIe 6.0

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PAM-4介绍

PAM-4(pulse amplitude modulation,4-level)编码并不是一个新技术,在超高速以太网编码上已经广泛应用。但这不是它第一次进入板级总线PCIe6编码(还有GDDR6x)。我们知道,PCle传输信号是一对差分信号,解码的时候只有0和1两种,叫做NRZ(non-return-to-zero),而PAM-4根据则在0和1之间划分处更多的空间,一个周期可传输信号从1个bit变成传输2个bit:

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System Level Considerations and Challenges

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Overall system improvements are required:

• PCB and Package

• Higher layer count, improved dielectric material, tighter manufacturing tolerances

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PCIe Retimer Use Models

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PCIe Switch Use Models

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• Connects a large number of peripheral devices to a processor system

• PCIe Switch used when connecting to JBOF (Just a Bunch of Flash) or JBOG (Just a Bunch of GPUs)

• Industry direction to fabric attached and disaggregation provides access to multiple sources of memory, storage or off load compute via CXL 3.0

PCIe 6.0 Controller IP Solution

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Controller Features

• Native/AMBA interface with scalable data path width

• FLIT/non-FLIT modes

• Light weight FEC to improve BER

• Optional IDE Security Engine

• PIPE 6.1 (SerDes Mode)

• Same RTL for ASIC and FPGA implementation

• Fully parameterized through GUI configurator

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### 回答1: ESD(Electrostatic Discharge,静电放电)是一种瞬时放电现象,通常是由人体或设备上积累的静电电荷引起的。一般来说,ESD会导致电子设备损坏或误操作,因此必须采取措施来避免ESD。 在设计中,ESD保护应该开始于PCB的物理设计。一个好的物理设计将使ESD泄放的能量尽可能地均匀地分散到整个电路板上。这种物理设计包括有效的接地,涂覆和排列PCB层。同时,这也需要考虑到整个系统的电缆结构、机箱接地和隔离等因素,从而最大限度地提高整个系统的耐ESD能力。 此外,在设计电路时,还需要考虑到ESD保护措施。主要的保护措施包括使用可靠的ESD保护器件,如TVS器件、瞬变压抑器和热释电器件,以保护线路免受ESD的影响。此外,在设计输入、输出和供电接口时,还应该采用合适的线路过滤器和电容器,以进一步提高系统的ESD耐受性。 最后,测试是ESD保护设计的重要环节。ESD测试可以验证保护设计的有效性,并排除措施上的缺陷。通常,测试人员会使用标准ESD模拟器来模拟真实的ESD事件。在测试过程中,应注意对设备进行预处理,如去静电和适当的人体模拟。此外,还应该制定合适的检验标准以确保测试的准确性和可重复性。 总之,ESD保护设计至关重要,因为它能够保护电子设备免受静电放电的损害。为了实现可靠的ESD保护,这需要考虑物理设计和电路设计,以及有效的测试工具。最后,只有将所有这些因素合理结合,才能实现有效的ESD保护设计。 ### 回答2: ESD(Electrostatic Discharge,静电放电)指的是在两个带有不同电荷的物体接触或者靠近时,电荷之间发生放电的现象。这种放电可以对各种电子元器件和电路造成损害,从而影响设备的性能和寿命。 ESD的原理可以通过三种方式传递:空气中的放电、直接接触和电感耦合。在实际应用中,ESD对硅芯片、存储器、晶体管等电子元件的损害是非常严重的,这些元件的特性和结构容易受到ESD的影响。 为了防止ESD对电子元件和电路的损坏,需要在设计中采用一些专门的技术,比如在元器件和电路板上增加ESD保护电路、在设备外壳上增加处理工艺等。对于集成电路芯片而言,可以采用对基底和指的进行控制,以及在芯片电路设计过程中合理选择元器件和适当布局等。 总之,ESD保护是电子元器件和电路设计中非常重要的一环,需要采用针对性的技术来减缓和防止ESD对设备的影响,从而保证设备的长期稳定性和可靠性。 ### 回答3: ESD全程为静电放电,是由于静电在两者之间产生的高电压放电引起的电感和电容的相互作用。在现代电子系统中,由于设备的电路越来越小,因此更容易受到静电干扰,人们不得不在设计中考虑如何避免或降低这种静电干扰。本文将从ESD的原理出发,简要介绍如何在电路设计中考虑防止ESD干扰。 ESD的产生是由于静电的积累导致的高电压放电,因此防止ESD干扰的基本原则是减小静电的积累。在电路设计中,静电主要通过两个方面来进行干扰:一是直接放电干扰,即静电直接放电到电路中,导致电路损坏;二是间接放电干扰,即静电放电到设备的金属外壳等部位,导致电磁场干扰影响电路的正常工作。因此,在设计中,需要采用一些措施来减小这些干扰。 1. 选择合适的元器件:在元器件的选择上,要选择一些抗ESD干扰的元器件,如采用ESD保护二极管等,能够减小ESD对电路的影响。 2. 优化电路结构:在电路设计中,要优化电路结构,减少电路间的交叉干扰,避免电路产生高电位差,这样能够减少静电的积累和ESD的辐射。 3. 采用ESD保护电路:在设计电路时,引入一些ESD保护电路,能够有效地减小ESD对电路的影响。例如采用Zener二极管、TVS二极管等保护电路。 在总体设计中,需要综合以上措施,采用一些适合的方案来消除ESD对电路的干扰。同时,在实际使用中,也需要对电路进行定期维护和检测,保证电路的正常运行。在电子技术的快速发展中,ESD防护的问题只会越来越重要,只有对其进行深入的研究和应用,才能更好地保证电子设备的稳定运行。

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