半导体光刻胶是光刻工艺较重要的一种耗材

半导体光刻胶是光刻工艺较重要的一种耗材

光刻胶——高精度光刻的关键

在半导体制造领域，上游微电子材料和设备是支撑该行业的关键部分。上游微电子材料包括半导体制造过 程中用到的所有化学材料，包括硅片、光刻胶及辅助材料、光掩模、CMP 抛光材料、工艺化学品、溅射靶材、 特种气体等。其中，光刻胶是占据极其重要地位的关键原材料。

光刻是将电路图形由掩膜版转移到硅片上，为后续刻蚀工艺做准备的过程。光刻是 IC 制造过程中耗时较长、 难度较大的工艺之一，耗时占 IC 制造 50%，成本占 IC 制造 1/3。在一次芯片制造中，往往要对硅片进行上十次 光刻，其主要流程为清洗、涂胶、前烘、对准、曝光、后烘、显影、刻蚀、光刻胶剥离、离子注入等。在光刻 过程中，需在硅片上涂一层光刻胶，经紫外线曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，通过显影后，被曝光的光刻胶将被去除，电路图形由掩膜版转移到光刻胶上，再经过刻蚀工艺，实现电路图形由光刻胶转移到硅片上。

光刻胶是光刻工艺较重要的耗材，光刻胶的质量对光刻精度至关重要。光刻胶是指通过紫外光、准分子激 光、电子束、离子束、X 射线等光源的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀刻材料。由于光刻胶具有光化学 敏感性和防腐蚀的保护作用，因此经过曝光、显影、刻蚀等工艺，可以将微细电路图形从掩膜版转移到硅片。虽然光刻胶制造成本低，但是技术壁垒高，不可替代，难以保存。

光刻过程示意图

光刻胶按照应用场景不同可分为半导体光刻胶、LCD 光刻胶、PCB 光刻胶。光刻胶处于半导体产业链的 材料环节，上游为基础化工材料和精细化学品行业，中游为光刻胶制备环节，下游为半导体制造，较后市场是 电子产品应用终端。

厚胶 Thick Resist	SU-8 GM10xx系列	g/h/i-Line	负性	0.1um	0.1-200	具有较大的高宽比，透明度高，垂直度极好。
	SU-8 Microchem	g/h/i-Line	负性	0.5um	0.5-650	具有较大的高宽比，透明度高，垂直度极好。
		g/h/i-Line	正性	1um	1—30	可用于选择性电镀电镀，深硅刻蚀等工艺。
	NR26-25000P	g/h/i-Line	负性