半导体光刻胶是光刻工艺较重要的一种耗材
光刻胶——高精度光刻的关键
在半导体制造领域,上游微电子材料和设备是支撑该行业的关键部分。上游微电子材料包括半导体制造过 程中用到的所有化学材料,包括硅片、光刻胶及辅助材料、光掩模、CMP 抛光材料、工艺化学品、溅射靶材、 特种气体等。其中,光刻胶是占据极其重要地位的关键原材料。
光刻是将电路图形由掩膜版转移到硅片上,为后续刻蚀工艺做准备的过程。光刻是 IC 制造过程中耗时较长、 难度较大的工艺之一,耗时占 IC 制造 50%,成本占 IC 制造 1/3。在一次芯片制造中,往往要对硅片进行上十次 光刻,其主要流程为清洗、涂胶、前烘、对准、曝光、后烘、显影、刻蚀、光刻胶剥离、离子注入等。在光刻 过程中,需在硅片上涂一层光刻胶,经紫外线曝光后,光刻胶的化学性质发生变化,通过显影后,被曝光的光刻胶将被去除,电路图形由掩膜版转移到光刻胶上,再经过刻蚀工艺,实现电路图形由光刻胶转移到硅片上。
光刻胶是光刻工艺较重要的耗材,光刻胶的质量对光刻精度至关重要。光刻胶是指通过紫外光、准分子激 光、电子束、离子束、X 射线等光源的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀刻材料。由于光刻胶具有光化学 敏感性和防腐蚀的保护作用,因此经过曝光、显影、刻蚀等工艺,可以将微细电路图形从掩膜版转移到硅片。虽然光刻胶制造成本低,但是技术壁垒高,不可替代,难以保存。
光刻过程示意图
光刻胶按照应用场景不同可分为半导体光刻胶、LCD 光刻胶、PCB 光刻胶。光刻胶处于半导体产业链的 材料环节,上游为基础化工材料和精细化学品行业,中游为光刻胶制备环节,下游为半导体制造,较后市场是 电子产品应用终端。
厚胶 Thick Resist | SU-8 GM10xx系列 | g/h/i-Line | 负性 | 0.1um | 0.1-200 | 具有较大的高宽比,透明度高,垂直度极好。 |
SU-8 Microchem | g/h/i-Line | 负性 | 0.5um | 0.5-650 | 具有较大的高宽比,透明度高,垂直度极好。 | |
g/h/i-Line | 正性 | 1um | 1—30 | 可用于选择性电镀电镀,深硅刻蚀等工艺。 | ||
NR26-25000P | g/h/i-Line | 负性 |