上海大学，2025年首篇Nature！杨绪勇团队连续三年发Nature！

无重金属蓝色量子点（QD）发光二极管（QLEDs）的电致发光性能远低于最先进的镉基发光二极管。

生态友好的ZnSeTe量子点是镉基蓝色量子点的理想替代品，但面临着由聚集的碲（Ten≥2）导致的颜色杂质和稳定性差的问题，这主导了成分的不均匀性。

在此，来自吉林大学的张佳旗、上海大学的张建华&杨绪勇等研究者开发了一种等电子控制策略，使用同源硫与三苯基亚磷酸酯（TPP-S）配位来构建具有纯蓝色发射和近统一光致发光量子产率的均匀ZnSeTeS量子点。相关论文以题为“Homogeneous ZnSeTeS quantum dots for efficient and stable pure-blue LEDs”于2025年03月05日发表在Nature上。

量子点发光二极管（QLED）凭借其卓越的色彩表现力和成本效益，在量子点合成与器件工程技术的持续推动下，已具备与商用有机发光二极管（OLED）竞争的实力。

然而，无重金属QLED，尤其是需要更高工作电压的蓝光QLED的发展仍显滞后。尽管通过生长控制、组分优化和壳层工程等手段，基于环保型ZnSeTe量子点的蓝光QLED的电致发光性能得到了显著提升，但在纯蓝光发射范围（460-475 nm）内的进展仍然有限。

为了满足理想显示应用的需求，增加合金量子点中的碲（Te）含量以将发射峰移至纯蓝光区域，几乎不可避免地会导致发射线宽展宽和量子点堆垛层错增加，这是因为Te原子在合金体系中易于聚集，从而引起色彩不纯和结构不稳定。

参考ZnSeTe量子点的研究，研究者认识到，要充分发挥ZnSeTe量子点系统的潜力，亟需一种策略，既能平衡量子点合成过程中阴离子的反应活性，又能抑制Ten≥2等电子中心的形成。

相对于硒（Se）类似物，如三辛基膦-Te等Te前体的高反应活性不可避免地导致合金量子点中富Te和贫Te区域的异质分布，从而因带隙差异导致发射光谱展宽。量子点富Te区域的一些严重堆垛层错也会降低辐射复合效率和晶格稳定性。

此外，由于Te和Se之间较大的电负性差异，ZnSeTe量子点中被称为等电子中心的相邻Te原子会产生短程势以束缚空穴。这会在价带最大值上方诱导深空穴局域态，从而捕获电子形成激子，产生低能尾发射，进而降低量子点的色纯度。

在本文中，研究者发现，具有高电负性的受体特性硫，通过干扰Te原子周围的载流子，削弱了Te原子的空穴局域化效应，从而有效抑制了Ten≥2等电子中心的形成。

此外，同族硫的引入增加了量子点的构型熵，消除了堆垛层错和氧缺陷，显著提升了材料的结构稳定性并降低了非辐射复合载流子密度。

基于上述优化，采用核壳结构ZnSeTeS/ZnSe/ZnS量子点制备的纯蓝光QLED器件在460 nm发射波长下展现出优异的性能：外量子效率高达24.7%，发射谱线宽度仅为17 nm，在100 cd cm−2初始亮度下的工作寿命（T50）接近30,000小时。

这些性能指标与目前最先进的含镉蓝光QLED相当，标志着无镉量子点电致发光器件取得了重大突破。

图1 QDs的表征。

图2 QDs的PL动力学和结构稳定性。

图3 器件性能。

图4 器件稳定性。

综上所述，研究者展示了基于环保型ZnSeTeS量子点的高效稳定纯蓝光QLED，其具有出色的色彩质量。

在ZnSeTe量子点的合成过程中引入TPP-S，由于TPP的低电子给体特性，平衡了阴离子原子之间的反应活性，而同族硫通过重新分配电荷局域化，抑制了Te团簇等电子中心的形成，有效避免了量子点中Te的聚集，形成了四元均匀合金ZnSeTeS量子点。

堆垛层错和氧缺陷的消除，以及合金量子点中构型熵的增加，显著增强了其辐射复合效率和结构稳定性。

这些因素共同促成了无重金属量子点在纯蓝光发射方面的电致发光性能记录，推动了环保型QLED技术的发展。

据悉，这已经是杨绪勇团队，连续三年在Nature顶刊上发文。

参考文献

Wu, Q., Cao, F., Yu, W.et al. Homogeneous ZnSeTeS quantum dots for efficient and stable pure-blue LEDs. Nature (2025). https://doi.org/10.1038/s41586-025-08645-4