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光刻机,晶圆,芯片制程
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光刻机,晶圆,芯片制程
普通网友
这个作者很懒,什么都没留下…
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内存接口芯片,服务器平台,PCIe 芯片
内存接口芯片,服务器平台,PCIe 芯片澜起科技成立于2004年,是国际领先的数据处理及互连芯片设计公司,致力于为云计算和人工智能领域提供高性能,低功耗的芯片解决方案,目前公司拥有互连类芯片和津逮®服务器平台两大产品线。作为科创板首批上市企业,澜起科技于2019年7月登陆上海证券交易所,股票代码为688008。公司总部设在上海,并在昆山,北京,西安,澳门及美国,韩国等地设有分支机构。产品与解决方案澜起科技致力于为云计算和人工智能领域,提供以芯片为基础的解决方案。内存接口芯片概述澜起科技凭借其先原创 2021-09-12 06:11:56 · 875 阅读 · 0 评论 -
LED芯片,应用品,蓝宝石衬底,集成电路,UV
LED芯片,应用品,蓝宝石衬底,集成电路,UV三安主要从事全色系超高亮度LED芯片的研发,生产与销售,产品性能稳定,品质优异。产品覆盖三安能够提供全波长范围的LED,产品可覆盖全部可见光和不可见光谱。GaN 产品照明 倒装 紫外 显示屏 手机背光 灯丝灯 垂直GaAs 产品显示屏产品 数码产品 舞台灯产品 Flip Chip产品 植物灯产品 红外产品LED应用公司拥有全系列光谱,技术力量雄厚,5千平方米的国家认定技术中心和实验室以及专业的人才队伍。三安光电现主导产品有LED家居照明系原创 2021-09-11 06:06:10 · 317 阅读 · 0 评论 -
半导体材料工艺技术
半导体材料工艺技术SYM-ACI系列全自动化学浸泡线SYM-ACI系列全自动化学浸泡线,该系列是去除封装溢料的自动化浸泡设备,配合新阳SYD系列去毛刺化学品使用。具有自动化程度高、操作安全、溶液消耗少、节能环保等特点。可以根据客户场地、生产和工艺要求进行非标准设计。线上除了有清洗、浸泡工序外,还可以加装回收、中和等工艺。SYM-SSD系列高压水喷淋设备 SYM-SSD系列高压水喷淋设备,专用于半导体封装高压水喷淋去除溢料的工艺过程,在行业中拥有上百台的市场份额。该系列设备拥有多种型号,可覆盖所有原创 2021-09-06 06:01:30 · 967 阅读 · 0 评论 -
半导体与智能汽车行业解决方案
半导体与智能汽车行业解决方案EDA芯片仿真、IC验证、在线电路仿真;Cadence/Synopsys/Mentor软件加速。IC设计公司帮助芯片代工厂进行Synopsys VCS,Synopsys OPC,Mentor Tessent芯片验证芯片代工制造商前端设计规格制定-小规模独立任务,天然适用云端计算场景形式验证/功能验证/STA-偶尔突发大内存需求逻辑综合-大量计算资源消耗,高可并行任务为主,能有效利用云端资源加速完成芯片验证后端设计DFT/布局规划FloorPlan/CTS原创 2021-09-05 06:26:03 · 244 阅读 · 0 评论 -
制程工艺技术
制程工艺技术核心技术Core Technology01集成电路量产工艺覆盖1微米到28纳米各主要工艺技术节点02嵌入式非易失性存储器工艺技术能力和规模全球领先,IC卡芯片晶圆制造规模全球最大03丰富的工艺组合,超低功耗eFLASH,eEEPROM和MCU技术,提供低成本解决方案04领先的功率半导体工艺制造能力和规模,一流的深沟槽超级结工艺技术,车规级的IGBT生产技术05CMOS图像传感器先进的制造技术,市场规模全球前列06射频,BCD,超低功耗,数模混合和MEMS等领先的特色工艺技术07原创 2021-09-05 05:49:39 · 1199 阅读 · 0 评论 -
台积电TSMC一些技术特点
台积电TSMC一些技术特点TSMC 3DFabric™,这是全面的 3D 硅堆叠和先进封装技术系列。3DFabric™ 补充了先进的半导体技术,以释放客户的创新。封装技术曾经被认为只是后端流程,几乎是一种不便。时代变了。计算工作负载在过去十年中的发展,可能比前四个十年要大。云计算,大数据分析,人工智能 (AI),神经网络训练,人工智能推理,先进智能手机上的移动计算,甚至自动驾驶汽车,都在推动计算极限。现代工作负载将封装技术推向了创新的前沿,对产品的性能,功能和成本至关重要。这些现代工作负载推动产品设计原创 2021-09-04 06:09:26 · 1279 阅读 · 1 评论 -
TSMC台积电各种制程工艺技术
TSMC台积电各种制程工艺技术台积电在半导体制造行业的专用 IC 代工领域拥有最广泛的技术和服务。IC Industry Foundation 战略体现了一种集成方法,将工艺技术选项和服务捆绑在一起。台积电与合作伙伴合作,确保支持这些技术的所有服务代表专用 IC 代工领域的最佳实践。为此,台积电及其生态系统合作伙伴提供最大的经过工艺验证的 IP 和库组合,以及 IC 行业最先进的设计生态系统,即开放式创新平台® (OIP)。台积电提供最先进、最全面的专用代工工艺技术组合。台积电的 3nm 技术 (原创 2021-09-03 05:56:25 · 3549 阅读 · 0 评论 -
分立器件成品参数
分立器件成品参数平面高压MOSSVF28N50PN是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管,采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构,使得该产品具有较低的导通电阻,优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。主要特点• 28A,500V,RDS(on)(典型值)=0.15W@VGS=10V• 低栅极电荷量• 低反向传输电容• 开关速度快• 提升了dv/dt能力原创 2021-08-28 05:52:42 · 386 阅读 · 0 评论 -
GPU与CPU交互技术
GPU与CPU交互技术原创 2021-08-16 06:12:01 · 382 阅读 · 0 评论 -
CMOS图像传感器与DDI显示芯片
CMOS图像传感器与DDI显示芯片BRIEF INTRODUCTION OF GALAXYCORE中国领先的CMOS图像传感器、DDI显示芯片设计公司格科微电子(上海)有限公司创立于2003年,是中国领先的CMOS图像传感器芯片、DDI显示芯片设计公司,产品广泛应用于全球手机移动终端及非手机类电子产品。设计、开发、销售高性能的CMOS图像传感器芯片,该芯片可采集光学图像并转换成数字图像输出信号。图像传感器广泛应用于手机、智能穿戴、移动支付、平板、笔记本、摄像机以及汽车电子等产品领域。也设计、开发、原创 2021-08-15 06:02:13 · 1149 阅读 · 0 评论 -
微电子IC产品
微电子IC产品上海微电子装备(集团)股份有限公司(简称SMEE)主要致力于半导体装备、泛半导体装备、高端智能装备的开发、设计、制造、销售及技术服务。公司设备广泛应用于集成电路前道、先进封装、FPD面板、MEMS、LED、Power Devices等制造领域。SMEE致力于以极致服务,造高端产品,创卓越价值,全天候、全方位、全身心地为顾客提供优质产品和技术服务。SMEE已通过ISO27001信息安全、ISO9001质量管理和ISO14001环境管理等体系的国际认证,力求为客户提供持续、稳定、高品质的产品原创 2021-08-14 06:22:51 · 525 阅读 · 0 评论 -
芯片封测技术
芯片封测技术长电科技是全球领先的集成电路制造和技术服务提供商,提供全方位的芯片成品制造一站式服务,包括集成电路的系统集成、设计仿真、技术开发、产品认证、晶圆中测、晶圆级中道封装测试、系统级封装测试、芯片成品测试并可向世界各地的半导体客户提供直运服务。通过高集成度的晶圆级(WLP)、2.5D/3D、系统级(SiP)封装技术和高性能的倒装芯片和引线互联封装技术,长电科技的产品、服务和技术涵盖了主流集成电路系统应用,包括网络通讯、移动终端、高性能计算、车载电子、大数据存储、人工智能与物联网、工业智造等领域。长原创 2021-08-06 06:11:34 · 705 阅读 · 0 评论 -
工艺技术:14nm与28nm工艺
工艺技术:14nm与28nm工艺中芯国际,用成熟可靠的工艺技术实现日趋精细复杂的芯片设计,从而让产品在具备更高性能和更低功耗的同时,实现芯片尺寸的优化。为了满足全球客户的不同需求,提供0.35微米到14纳米制程工艺设计和制造服务,包括逻辑电路、混合信号/CMOS射频电路、高压电路、系统级芯片、闪存内存、EEPROM、影像传感器,以及硅上液晶微显示技术。*拥有强大高效率的制造能力、强调成本效益的原型技术以及含 光罩制造 在内的全方位高附加值服务,旨在帮助客户实现产品快速上市,并降低成本。*中芯的制造过原创 2021-07-29 06:02:09 · 3556 阅读 · 0 评论 -
HBM显存与GPU
HBM显存与GPU彻底改变显存技术低功耗存储芯片,具有超宽通信数据通路和革命性的创新堆叠方案。信息图:推出高带宽显存HBM采用垂直堆叠方式和高速信息传输,以创新的小尺寸为用户带来了真正让人振奋的性能。这种内存在显卡中的应用只是个开始,超低功耗和节约空间的特点将掀起业界创新热潮。创新的 HBM 突破存储瓶颈HBM 是一款新型的 CPU/GPU 内存芯片(即 “RAM”),就像摩天大厦中的楼层一样可以垂直堆叠。基于这种设计,信息交换的时间将会缩短。这些堆叠的芯片通过称为“中介层 (Interpose原创 2021-07-26 05:52:13 · 1248 阅读 · 0 评论 -
EUV极紫外光刻技术
EUV极紫外光刻技术(1)极紫外光波长为 13.5nm 的极紫外 (EUV) 光刻系统的最新发展,以取代 193i 光刻。为了应对多图案成本上升的趋势,EUV 系统在曝光吞吐量(每小时晶圆数),曝光强度和系统正常运行时间方面已达到生产状态。如上图所示,业界正在积极开展研发工作,以发布第二代 EUV 系统。该系统将在透镜路径中加入更高的数值孔径 (NA = 0.55),从而实现更精细的间距分辨率,并再次重新校准 EUV 多重图案化与第一代 NA=0.33 设备的每层成本趋势。可以肯定的是,EUV 系原创 2021-07-24 06:07:25 · 3021 阅读 · 5 评论 -
FinFET与芯片制程
FinFET与芯片制程芯片制造商已经在基于 10nm 和/或 7nm finFET 准备他们的下一代技术了,但我们仍然还不清楚 finFET 还能坚持多长时间、用于高端设备的 10nm 和 7nm 节点还能延展多久以及接下来会如何。在 5nm、3nm 以及更小节点,半导体行业还面临着巨大的不确定性和许多难题。即使在今天,随着每个节点的工艺复杂度和成本的上升,传统的芯片尺寸缩减也在放缓。因此,能够负担先进节点芯片设计的客户越来越少。理论上,正如英特尔所定义的那样,finFET 有望延展到 5nm 节点。原创 2021-07-17 06:24:57 · 3403 阅读 · 1 评论 -
英特尔 QLC 3D NAND 数据存储
英特尔 QLC 3D NAND 数据存储NAND是什么由于SSD固态硬盘的普及,NAND这个词逐渐进入用户们的视线。许多厂商都在产品宣传中提到3D NAND颗粒等词汇,对于普通用户来讲,完全不知道这个词是什么意思,只是有一种不明觉厉的感觉,今天我们就来了解一下什么是NAND。要了解NAND,首先得了解一下存储颗粒的分类。最简单的分类,就是易失性存储和非易失性存储,字面意思非常直观,前者是断电后其中数据会丢失,后者是断电后仍可稳定保留数据。所以根据这样的特性,易失性存储通常用来制造内存条产品,非易失性存原创 2021-07-12 06:16:23 · 915 阅读 · 1 评论 -
HBM2E Flashbolt--提升人工智能的算力
HBM2E Flashbolt–提升人工智能的算力加速、扩展和确保超级计算和人工智能技术超级计算和基于人工智能的技术的进步需要最高口径的内存,以满足行业对带宽、容量和效率的需求。HBM2E Flashbolt 可以提升人工智能的算力,通过扩展的容量处理更多的大数据,并提供高带宽。高性能计算的驱动力凭借在人工智能算法、数据科学、自动驾驶、5G等各行业引领高端技术进步的经验,三星凭借首个HBM2E解决方案再次确立了其在存储器行业的领先地位。用于最高级任务的高带宽HBM2E Flashbolt 的处原创 2021-07-09 06:07:51 · 310 阅读 · 2 评论 -
手机与Camera CCM技术发展趋势
手机与Camera CCM技术发展趋势CCM是CMOS Camera Module 互补金属氧化物半导体摄像模组的英文缩写,用于各种新一代便携式摄像设备的核心器件,与传统摄像系统相比具有小型化,低功耗,低成本,高影像品质的优点。手机摄像头微型化、专业化、智能化趋势延续,模组单价持续提升。根据数据,手机应用占CCM 市场规模的70%以上,2020年,手机CCM 市场规模增长约占75%,即手机CCM 将是增长主力。尽管手机数量及摄像头渗透率渐趋饱和,手机摄像头市场导入了双摄、大光圈、自动对焦、AR 等功能加原创 2021-06-19 17:03:28 · 505 阅读 · 0 评论 -
3D NAND性能
3D NAND性能ISSCC 2021上,3D NAND展示了3D NAND技术。三星、SK hynix和K IOxia(+ Western Digital)分享了3D TLC NAND设计,英特尔展示了144层3D QLC NAND。3D TLC三星、SK hynix和Kioxia / WD介绍了下一代3D TLC的信息。三星很在性能上处于领先地位,读取延迟最低、写入速度最快。然而,位密度仍然明显滞后,宣称这一代的位密度跃升了70%。三星能够避免使用串叠,可以将128层的堆栈作为单层制造,竞争对手原创 2021-06-19 06:17:01 · 947 阅读 · 0 评论