三星芯片制造深陷良率泥沼

三星芯片制造深陷良率泥沼
Intel、三星、台积电之类的，做IC芯片制造的，良率大概在多少呢？
各种不同芯片（内存、CPU等）是不一样的。
首先除了wafer良率，还会有封装良率，凡是大批量制作的东西，都会有不确定性。
其次，良率没有统一规定，跟生产线，测试要求，测试程序都有关联。不过一般一个成熟的产品，良率都会在90%以上。有50%良率的产品，但代价就是价格几乎翻倍，没有人会做亏本生意;或者降低测试要求来提高良率降低成本，这都是设计工程师，产品工程师，市场和销售部门都需要考虑的事情。如果良率不改善，技术没有领先的话，必然是淘汰的结局。
影响良率的因素太多了，一个gas放久了也会对良率有致命影响。
站在芯片设计公司的角度来说，如果代工厂商的最终产成品良率低于85%，建议就不要去量产了，百分之二百的收不回成本。
这个差很远，没有具体一个值。确实内存、CPU等不一样。
良率也分种类，分完全坏的，和不达标的。
三星，micron 等内存、flash等还有黑片出来。即：算不上完全坏，可能坏了一定百分比。
黑片的ecc 算法在flash 和 SSD 算是一个技术的壁垒。
CPU也很类似，2G跑不到的，就跑1.5G，大家知道的CPU超频就是如此。
台湾曾经有个案子，就是wafer和封测厂调低了坏片的门槛，然后员工偷偷拿出去卖。
所以后来wafer和封测厂就需要把废片交还客户自己销毁。
Intel 的发展史上就提到过他们做memory 的良率比日本公司差10-15%，所以被迫走CPU。
芯片坏点概率和芯片大小成正比关系。芯片越大，良率越低。
fab 会有个数学公式交给客户自己算。比如它可能规定5x5面积良率95%就算是正常良率。
换算下来低于这个良率，fab 会做赔偿(一般是wafer)。
超越台积电，三星一直以来的梦想。早在2017年三星晶圆论坛上，相关负责人便扬言，三星要超越联电和格芯，晋升为全球晶圆代工第二名，未来还要挤掉台积电，成为代工市场龙头。超越联电和格芯的目标于2018年便已实现，与台积电的差距却始终难以跨越。
在工艺制程不断演进的过程中，越来越多的参与者被淘汰出局，如今先进制程玩家仅剩下台积电、三星和英特尔三家公司。为了追赶台积电，三星在先进制程的布局上略显激进。在资本支出方面，2021三星芯片业务资本支出超360亿美元，超越同年度台积电的投资规模。而在先进工艺研发方面，三星也欲抢先台积电，实现3nm芯片量产，并率先采用GAA工艺。
然而，三星的巨额投资似乎并未取得预想成效。前段时间，三星晶圆代工被曝出“良率造假”，正深入调查资金流向及产量报告等问题，重点关注5nm至3nm良率。造没造假不得而知，但三星深陷良率泥潭久矣，4nm良率仅为35%，反观台积电4nm制程工艺芯片的良率可达到70%，是三星的两倍。正因为良率问题，三星晶圆代工的主要客户正在流失。高通决定将骁龙8 Gen1订单转向台积电生产，后续3nm芯片也全量委托给台积电；英伟达RTX 40系列显卡也将采用台积电5nm制程。
在此境况下，三星离晶圆代工第一把交椅渐行渐远。为了挽回局面，三星近期也是动作频频。据韩媒报道，三星电子日前调整了其组织架构，设立测试与封装中心，企图扩大封测领域投资布局力度。在先进制程上的失利，让三星开始考虑提高其成熟工艺产能，以进一步优化产能与成本，提高芯片代工营收，增强市场竞争力。
争夺先进制程，良率是关键
相较于台积电，2005年才踏入晶圆代工业务的三星无疑是后进者。此后十余年内，三星晶圆代工业务一路披荆斩棘，超越了格芯、联电等前排厂商，逐渐比肩台积电。事实上，据IC Insights数据显示，截至2009年之前，三星晶圆代工业务营收尚未超出4亿美元，市场占有率很低。
进入2011年，三星的研发实力逐渐开始突显。在28nm成熟制程，三星于2012年实现量产，并于次年导入了28nm HKMG工艺。在此方面，台积电仅比三星领先一年，而联电与格芯28nm制程于2013年才开始量产。
随后，工艺制程演进至14nm及以下先进节点，联电宣布退出14nm FinFET以下先进制程技术研发，格芯也放弃了12nm以下先进制程技术投入。在晶圆代工市场上，仅剩下台积电、英特尔、三星以及中芯国际等厂商还在推进先进制程的演进。自2017年晶圆代工业务独立以后，三星与台积电在先进制程上的竞争越来越焦灼。从量产时间来看，在7nm及以下工艺制程，三星与台