ACS Catalysis:等离子体高能电子驱动缺陷Cu2O助力CO2还原

俄克拉荷马大学的研究人员利用DFT探讨了Cu2O在等离子体作用下的CO2还原,发现氧空位能显著降低C-O键解离势垒。研究还揭示了H2在Cu2O表面的解离过程及对氧空位形成的影响,指出形成甲酸基比羰基更有利于CO2的还原。
摘要由CSDN通过智能技术生成

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等离子体光还原CO2对于脱碳和生产增值化学品具有重要意义,但对该反应机制的深入了解仍然难以捉摸,特别是关于结构缺陷的作用及其与非平衡载流子的相互作用。

基于此,俄克拉荷马大学王斌教授等人报道了密度泛函理论(DFT)计算Cu2O(一种原型光催化剂),以此研究了三个缺陷面的CO2还原,揭示了等离子激发下的界面电荷转移和化学键动力学。

在氧空位的帮助下,C-O键解理的激活势垒从3.2 eV降低到约1 eV,当Cu2O与等离子体金属结合时,剩余的势垒可以在等离子体激发态进一步降低或消除。氧空位在Cu2O上再生完成催化循环是可行的,并且不受高能电子的影响。


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通过DFT计算,作者研究了H2解离和Cu2O(110)和(111)表面上的空位形成,以分析氢辅助氧空位在水-气倒转反应中的形成。作者发现氢分子很容易解离,在Cu2O的两个表面上形成两个吸附的H*。

H2在Cu2O(110)和(111)表面解离的能量成本分别为0.3和0.5 eV,一个点阵氧与两个H*反应生成水并产生氧空位。氧空位形成所需的本征活化能范围为0.9-1.1 eV,与CO2在基态解离的值相当或略低,而水从缺氧表面解吸所消耗的能量在0.-1.0 eV之间。


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解离的H*可在Cu2O上形成表面羟基(110),减少了H结合的可用氧位点,导致氢在OH基团附近的空心位点解离,并与晶格氧原子反应形成水和空位,Cu2O(110)上羟基的可用性可促进氧空位的形成。

结果表明,在Cu2O(111)表面形成羰基(COOH*)需要超过3.2 eV,而形成甲酸基(HCOO*)和甲酸(HCOOH*)更容易。计算表明,通过形成甲酸酯或羰基,h辅助CO2在Cu2O上解离成CO的可能性较小。


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Plasmonic Energetic Electrons Drive CO2 Reduction on Defective Cu2O. ACS Catal., 2023.

 

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