研究h-BC2N催化剂HER能力
然而,与C共价半径相比,更大的Si共价半径导致了SiC附近的应变,产生了h- BC2N结构的扭曲,计算得到的Si-C和Si-N键距比原始h-BC2N中的原始键长约增加15%。由于Si原子表现出的电负性比取代原子的小,电荷从Si原子转移到它的邻居原子,当存在未配对电子(SiB和SiN)时,可以观察到约1.5 e的电荷转移,而对于具有配对电子(SiC)的系统,电荷转移较小。(图3 (c)和(d)) VBM (1 eV)附近的带结构和DOS的强烈扰动,表明Si轨道与宿主(B, C和N)原子的轨道之间存在杂化。
原创
2024-04-07 11:54:22 ·
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