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此外，根据Pd-4d轨道的局部态密度（PDOS）发现，由于Pd和Ru之间的电子相互作用，Ru原子的引入导致Pd1-Ru1/PIPs的d带中心比Pd1/PIPs的能级更低。对比单钯位点或钌位点催化剂，Pd1-Ru1/PIPs实现了98%的乙炔转化率和近100%的双羰基化产物选择性，并且具有更好的10次循环稳定性，没有明显的衰减。根据计算结果，Pd1-Ru1/PIPs中的单Ru位点在CO配位取代中表现出很强的CO吸附能，形成[PdI3-I-RuCl2(CO)3]-（经过乙醇的亲核攻击和相应的过渡态（

通过DFT计算，作者通过改变FeN4的构型来优化FeSA-NS/C催化剂的设计。引入S原子团后，Fe原子会有更多的电子转移到O2分子中，表明额外的电荷可能占据了O2分子的反束缚轨道，导致O2活化。FeSA-NS/C催化剂在100 mA cm-2的电流下表现出高的氧还原活性和选择性，H2O2选择性高达90%，累积H2O2浓度为5.8 wt.%，足以用于医疗消毒。结果表明，FeSA-NS/C中不对称的FeN3S1结构可以有效降低水解离的动能垒，显著加速质子外溢过程，从而促进H2O2电合成动力学。

最大化地提高空穴转移动力学，通常是半导体基人工光合作用的速率决定步骤，对于同时实现高效太阳能制氢和空穴利用的至关重要，但这仍然难以实现，因为研究主要集中在优化电子参与的半反应上，仅通过经验地使用牺牲电子供体（sacrificial electron donors, SEDs）来消耗浪费的空穴。在光激发下，导带最小值（CBM）处的电子受到三种可能的消耗途径的影响，包括与VBM处空穴的辐射和非辐射复合，以。ads的变化很小，与相应的光催化性能没有明显的一致性，表明SEDs对H2O吸附的影响可以忽略不计。

在没有任何助催化剂的情况下，在550 nm处，核-壳异质结立方体在光催化整体水分解中表现出高效的H2和O2的化学计量析出，量子效率为2.18%。作者提出了N-NaTaO3/Ta3N5异质结中涉及能带对准和电荷转移机理的示意图：在Xe灯的光激发下，掺杂的NaTaO3的VBs/MS中的电子和Ta3N5的VBs中的电子分别被转移到它们的CBs上。在I-型结构的界面电场引导下，掺杂层的NaTaO3中的光致电子和空穴通过O-Ta-N通道迅速转移到Ta3N5上。fb）分别为-0.95和-0.50 V。

优化后的MoSi2N2P2的晶体结构如图2 (A)所示，优化后的MoSi2N2P2晶格常数为3.14 Å，如图2 (B)所示，该常数大于非Janus MoSi2P4晶格常数(~2.91 Å)，小于非Janus MoSi2P4晶格常数(3.47 Å)，这是合理的，因为P的半径比N大得多，与N端面相比，Janus结构的P端面垂直扩展明显。为了更好地了解HER的N和P端面（原始和缺陷）上的Janus结构的可调性，作者研究了应力应变（图10 (A)）和外部电场（图10 (B)）对ΔGH的影响。

模拟还揭示了石墨烯在Cu(111)表面生长的热力学和动力学分析需要考虑到吸附的Cu原子的参与，例如C-Cu桥，Cu原子对石墨烯边缘的保护以及边缘碳链。CGM-MLP的构建始于由Rowe等人生成的碳势能函数的数据库，即GAP-20，以及Cu (111)表面上碳簇的多个平衡构型（即图1a中的C1–C18）。该研究的计算结果表明，在成核位点较少的情况下，如吸附的Cu原子和Cu台阶等，碳链的形成在能量上更为有利。此外，如果进一步的生长过程或基于碳的薄膜的模拟感兴趣，可以相应增加预定的碳原子数量。

然而，当施加压缩应变时，砷烯/MoSi2N4异质结的带隙迅速减小。计算过程中截断能设置为500 eV，布里渊区采样设置11×11×1的k点网格，结构优化过程中，使用17×17×17的k点网格，允许所有原子完全弛豫，自洽迭代循环收敛标准设置为10-6eV，直到施加在每个原子上的力小于0.01 eV Å-1，且达到收敛标准。利用第一性原理计算，研究砷烯和MoSi2N4构成的范德华异质结的电子结构和能带对齐现象，并探讨了通过应变和电场的调控，可以实现异质结的半导体-金属转变和能带对齐的类型转变。

通过向相邻的P原子提供三个电子，Cr的价电子构型变为3d34s0，这将产生3µB的磁矩，并且图2c中Cr-3d轨道的PDOS证实了这些结果。对于极化的NO分子，它具有半占据的π*2p轨道。第二步表示为“转移”，P原子上sp3杂化轨道（P-sp3）中的电子转移到Cr原子的d轨道，使P原子具有空轨道来捕获NO分子中的电子。作者通过分析NO-2p轨道和P-sp3轨道之间的轨道重叠发现（见图5b），当吸附NO时，NO-σ轨道与费米能级以下的P-sp3轨相互作用，导致sp3-σ轨道被占据，这与“捐赠”过程有关。

通过光谱描述符预测了双原子分子的结构参数（图3a）。图3（a）预测了TiO2-Cu-CO体系的CO信息（b-d）分别预测了TiO2-Cu-NO、TiO2-Ag-CO和MgO-Cu-CO体系的吸附分子两个键长（e）验证TiO2-Cu-CO体系和其他TiO2-Cu-NO、TiO2-Ag-CO和MgO-Cu-CO迁移体系的ML-2模型的正确性（f）TiO2-Cu-CO体系和其他TiO2-Cu-NO、TiO2-Ag-CO和MgO-Cu-CO迁移体系的20个随机生成光谱与相应DFT计算光谱之间的相关系数。

此外，本文计算得到邻二甲苯到1, 2, 3-TriMB和1, 2, 4-TriMB的势垒分别为122.0和113.4 kJ mol-1，二甲苯到1, 2, 3-TriMB和1, 2, 4-TriMB的势垒分别为133.8和130.5 kJ mol-1，对二甲苯到1, 2, 4-TriMB的势垒分别为129.7 kJ mol-1。因此，1, 2, 4-TriMB的生成优先于1, 2, 3-TriMB和1, 3, 5-TriMB的生成。其中TriMB占芳烃产品的57.4%，乙烯占所有轻烯烃的83.9%。

CMO/rGO和V-CMO/rGO的反应步长均为下坡，而CMO的第二步和最后一步反应步长为上坡，表明rGO涂层能够显著降低-OH*中间脱附的反应势垒。F）附近表面的活性成/反键轨道表明，电活性区主要分布在金属周围，表面的O位占据了反键区，阻止了O种的过结合。F中的电子有利于电子从电催化剂表面到被吸附的-OH*中间体，促进了-OH*的解吸和ORR反应过程。由于氧空位的引入，V-CMO/rGO中的Mn原子比CMO/rGO中的Mn原子拥有更多占据。通过上述优化，V-CMO/rGO的过电位最低，为289 mV。

需注意，Ni-H2(RuNi)电池在280 mg cm-2（60 mAh cm-2）的超高正极Ni(OH)2负载和62.5 μg cm-2的低负极Ru负载下实现了高达183 Wh kg-1的电池级能量密度。Ru(101)在HER过程中*OH的解吸也是RDS，比RuNi(101)困难得多，其自由能爬升更高，为0.71 eV。Ru(101)和RuNi(101)的表面边缘Ru原子被识别为H2O的吸附位点，水吸附后Ru(101)和RuNi(101)的边缘Ru原子发生了明显的电子相互作用和电子重排。

此外，采用双功能电催化剂的无膜电解槽，在2.10 V和50 mA cm-2下实现了创纪录的163.0%的FE，首次报道在新型无膜电解槽中高效双功能氧化物催化氧还原和水氧化，用于可扩展的过氧化氢电合成。在ORR和WOR过程中Fe-O端面表面产生H2O2的反应机理和反应中间体，表明ORR和WOR的效率可以通过单个反应中间体的能态（如ORR的HOO*和WOR的HO*）来热力学评价，分别以ΔGHOO*和ΔGHO*作为预测对2e-ORR和2e-WOR催化活性的参数。因此，Zn和Fe原子都是ORR和WOR的活性位点。

根据PZH-1和PZH-2生成HCOOH反应的自由能图发现，关键中间体OCHO*的形成是潜在的限制步骤。对比PZH-2，PZH-1形成OCHO*的自由能更小，为1.01eV，而PZH-2形成OCHO*需要2.25eV的高自由能。BiOOCHO在PZH-1和PZH-2中的键长分别为2.59和2.62 Å，而对于PZH-1和PZH-2，由于Bi-OCOOH的距离分别为3.89和4.43，因此COOH离Bi中心较远，主要是由于两种Bi-MOF体系中含有丰富的配位羧基。

在进一步加载CD4后，两个位点上CD4分子的占有率增加，CD4I和Fe-O(H)-Fe位点之间的距离也略有增加，Fe-OH···CD4I=3.33(1) Å。额外的CD4负载导致第三个结合位点(CD4III)，它被CD4分子夹在位点I和II上，CD4I···CD4III=3.66(2) Å和CD4III··CD4II=2.99(2) Å。CH4分子与MFM-300(Fe)中Fe-O(H)-Fe位点之间的主客体相互作用有效降低了C-H键激活的能垒，促进了催化CH4转化。

在吸附氧诱导的C-C键裂解中，两个VO-Ni2+δ-(OH)基团自发地攻击C-C键，引起C-C键的裂解，生成两个附着在α-C上的羟基。涉及C-C键裂解的VO-AOM由电化学生成的VO-Ni2+δ-(OH)ads和自发吸附的氧诱导的C-C键裂解组成。由于LOM-HAT、VNi-LOM-HAT、VO-AOM-HAT的协同作用以及R-CHO的水化作用，VR-β-Ni(OH)2可有效地催化R-CH2OH氧化生成R-COOH，从而表现出比β-Ni(OH)2更好的PAOR性能。

通过DFT计算，作者研究了S空位（Sv）在光合成H2O2中的关键作用。作者构建了具有不同Sv的ZnIn2S4(001)模型（ZIS），即内部单Sv的ZIS（ZIS-SV-in）、内部双Sv的ZIS（ZIS-2SV-in-1、ZIS-2SV-in-2）和表面单S空位的ZIS（ZIS-SV）。作者发现表面（ZIS-SV）和内层（ZIS-SV-in）的Sv能强烈降低H+和O2的吸附能，从而提高它们的吸附强度。但是，内层的双Sv（ZIS-2SV-in-1、ZIS-2SV-in-2）削弱了对H+和O2的吸附。

此外，*OH在TiO2(101)上直接解吸形成•OH的吸热速率为1.55 eV，表明在远离Ag/TiO2上单个Ag原子的Ti位点上有可能形成•OH。分离的Ag位点和相邻的Ti位点协同作用，分别催化CO2还原和H2O分裂，从而协同作用为选择性光催化CO2转化为CH4提供了高活性位点。在Ag/TiO2上CO2转化为CH4的整体Gibbs自由能更平滑，其中*COOH在TiO2上的生成是最吸热的，为2.16 eV，而在Ag/TiO2上的生成仅吸热0.44 eV，表明Ag/TiO2上的过程更容易。

与Ni-BDP MOF上较弱的*CO吸附和Cu2Ni-BDP MOF上过强的*CO吸附相反，Cu1Ni-BDP MOF表现出适度的*CO吸附能（-2.94 eV），这不仅稳定了*CO中间体，而且加速了C-C偶联。同时，Cu1Ni-BDP MOF中非对称的Cu1Ni团簇在生成对称的*COH-COH和*CH2-CH中间体时表现出较低的Δ。报道了一种新型的MOF催化剂，它具有吡唑稳定的非对称Ni/Cu位点，不仅在苛刻的电化学条件下保持了结构的稳定性，而且在CO2R过程中表现出极高的乙烯（C2H4）选择性。

计算结果表明，Cu(111)-V上C-C偶联的势垒为0.64 eV，低于无缺陷的Cu(111)上的势垒（0.74 eV），表明Cu缺陷可以促进C-C偶联。总之，Cu缺陷和增强电场效应的协同作用提供了有利的局部环境（即富含K+和OH−）和高*CO覆盖率，可显著降低C-C偶联步骤的势垒，从而实现中性介质中C2H4的高效生产。态密度（DOS）图表明有原子缺陷的Cu(111)-V的d带中心高于无缺陷的Cu(111)，这表明Cu原子缺陷导致d带中心上移，*CO和*OH在Cu(111)-V上的吸附强度都得到了提高。

具有N空位的载体上的局域电荷通过3N/Rh-Rh/1N2C桥转移到Rh2双原子位点，使富含电荷的Rh2双原子位点成为反应的活性中心，提高了Rh2/HCNS-Nv的电荷分离效率。进一步的DFT计算证实，与Rh1 SAC相比，Rh2 DAC能有效地稳定限速中间体CHO*，并能很好地削弱CH3O*中间体中的C-O键强度，促进CH4的生成和分离，从而获得高的CO2还原效率和高达91.65%的CH4选择性。与单原子催化剂（SAC）相比，双原子催化剂（DAC）具有更高的金属含量和更灵活的活性位点，具有更好的性能。

V (Mo)原子上的电荷积累说明了邻近的Bi原子对V (Mo)的电荷离域，表现出明显的电子转移效应。分波态密度图（PDOS）表明，受益于p-d轨道杂化，电子从Bi到V的转移将导致电荷积累的V原子和富电子O原子之间的电子-电子排斥。相反，随着Bi原子的电子耗尽，通过强σ键从O到Bi原子提供电子描述了*OCHO能级与Bi轨道的协同耦合，从而产生了强相互作用。因此，单个V原子在Bi基底上的锚定将导致电子结构的有效调节，从而加速CO2的活化，并促进随后的质子耦合电子转移反应，这些反应对甲酸盐的生成至关重要。

有趣的是，尽管这是一个明显的“热”过程，通常被认为是与电势无关的，但其势垒会随着电极电势的降低而降低。这可以用较强的Fe-O2结合和较弱的Fe-H2O结合来解释，是因为O2获得电子，而H2O给催化剂提供电子。此研究为Fe-N-C上的ORR提供了新的见解，并强调了动力学研究在多相电化学中的重要性。研究发现O2的吸附与H2O的解吸同时发生。与氢化步骤限制反应速率的普遍观点相反，ORR反应的决速步是O2取代Fe上预吸附的H2O。然而，Fe-N-C上ORR的决速步是未知的，这极大地阻碍了人们的理解和改进。

该催化剂的CH3OH产率是TiO2和TSr纳米管阵列的50倍和3倍，在所有最先进的催化剂中名列前茅。在光催化过程中，只需简单地调节纯水的量，就可以很容易地控制催化过程，CH3OH的选择性从98.90%到0%。DFT计算可以定性地解释不同反应体系（气固/气液固相）中CO2还原选择性催化路径的机理，其中·OH和H2O的丰度对促进CH3OH的产生具有关键作用。得到的Fe-TSr具有单一的Fe还原中心和主要的氧化面(001)，有助于高效CO2光还原和水氧化，以控制CH3OH和CO/CH4的生成。

Li@g-C3N4的子带比g-C3N4的子带稍宽，表明Li原子的插入增加了电子的活性范围。在g-C3N4的表面吸附结构中，电子转移的方向和模式与Li@g-C3N4一致，但不同之处在于LiPSs分子和g-C3N4之间具有更强的相互作用，从而导致更高数量的电子转移。LiPS与电解质分子（DME和DOL）之间的吸附结构和吸附能如图3所示，LiPSs在Li@g-C3N4的吸附能大于在电解质分子（DME和DOL）之间的吸附能，表明Li@g-C3N4作为一种电极材料，可以在一定程度上抑制穿梭效应。

作者初步建立了4×4×1的原始WSi2N4结构、含有表面氮空位缺陷的4×4×1结构，优化了单层WSi2N4结构，计算得出的晶格常数为a =5.0 Å和b =2.9 Å，层厚7.0 Å，接着研究了原始WSi2N4表面的氢吸附过程，H可能吸附位点如图1所示。为了创建具有不同氮空位浓度的WSi2N4层，作者从具有不同超胞尺寸的二维WSi2N4中移除了一个表面N原子，包括1×1、2×2、3×3、4×4 和5×5超胞，分别对应的表面氮空位浓度分别为50%、12.5%、5.6%、3.1%和2.0%。

N2和W/Cu（111）之间的相互作用也通过“接受-回馈”机制进行，W/Cu（111）的未占据d轨道接受来自N2 σ轨道的电子，而来自被占据W-d轨道的电子随后被回馈到N2的π*轨道（图4c）。如图1所示，整个反应由四个阶段组成，即（1）CO2的吸附及其随后还原为CO*和*COH，（2）*COH和*CO的偶联导致*OCCOH的形成，然后脱水以产生中间体*CCO，（3）N2的吸附及其通过还原转化为NH3，（4）通过NH3和*CCO之间的C–N偶联形成乙酰胺。

N2原子在这一区域没有明显的电子布居。在Cu2O吸附前，两种优化后的g-C3N4的总态密度(TDOS)和分波态密度(PDOS)曲线如图3(a和b)所示，对于自旋向上和向下的g-C3N4的TDOS和PDOS曲线是相同的，计算得到的带隙为1.001 eV，小于g-C3N4的2.6 eV，然而，这种差异是由已知的PBE泛函对带隙的低估引起的。图1 Cu2O/g-C3N4异质结构：(a)俯视图g-C3N4纳米片，(b)初始配置Cu2O/g-C3N4异质结构，(c)优化后的Cu2O/g-C3N4异质结构。

与O2相比，Co–O对的ICOHP随着U的降低而升高，Co–C对的ICOHP则随着U的减少而降低（图5i）。形成的被占据dz2–πz*和dxz–πx*轨道的能级下降，而未被占据的（dz2-πz*）*和（dxz-πx*）*轨道的能级上升，从而导致PZC处Co–O对的自旋向上ICOHP贡献为-1.47 eV。此外，由于PZC吸附O2后dxz和dz2轨道之间的能量交换，反键（dz2–πz*）*轨道位于费米能级之上，因此对自旋向下ICOHP的负Co（dz2）–O（p）贡献为-0.51eV（图3e）。

Al24N22DyC2-5在最佳吸附位置的HER自由能为0.46 eV，Al (Al25N25-Al)和N (Al25N25-N)在Al25N25上的吸附自由能分别为1.50 eV和2.10 eV，与此相比， Al24N22DyC2-5上的吸附自由能接近于零。对比图6e和图6f，可以明显看出LUMO和HOMO的非共面分布，这说明在不同区域或不同原子周围分布光激电子(对应于LUMO)和空穴(对应于HOMO)可以显著降低电子和空穴复合的可能性，这也意味着电子-空穴对的分离得到了促进。

对于通过HCOO*的反应，有利的途径是HCOOH*→ 双HCO*→ 单HCOO*→ CO2（g），速率决定步骤为双HCO*→ CO2（g）和双HCO*→ 单HCOO*（图7a和b），而另一个反应通道是HCOOH*→ COOH*→ CO2（g）或CO2*，速率决定步骤为COOH*→ CO2（g）或CO2*（图7c）。总体而言，对于Pd13/Fe-N-Gra上的HCOOH*→COOH*→CO*途径，在S和T位点的速率决定步骤分别为HCOOH*→ COOH*和COOH*→ CO*。

对于CuAg（100）、CuAu（100和Cu（310）表面，*CH–COH加氢脱水的活化势垒分别为0.61、0.63和0.62 eV（图2a），反应自由能分别为0.03、−0.04和0.05 eV，这与纯Cu（100）表面的反应自由能非常接近。如图2a所示，在纯Cu（100）表面上，*H的结合能不受电极电势的影响，而*CO2的吸附逐渐变得更强，并最终超过*H的吸附，因为施加的电势变得更负。在CuAg（100）表面上，CO2在四重位置的结合能显著增加到正值，而氢的结合能仅略有增加（图2b）。

图5显示了NRR在Fe-C@C3N上各种中间体的优化构型，并且第一步加氢过程需要0.49 eV能量输入，后续加氢基元步骤的ΔG分别为0.12，-0.66，-0.88，-0.62，0.31 eV。根据Sabatier原则，一个好的催化剂应该对N2的吸附适中，如果太弱，N2很难被充分活化，将导致非常高的反应活化能垒，反之如果过强，产物NH3的脱附困难，导致催化剂失活。如图4a所示，TM原子掺杂N原子的TM-N@C3N系列催化剂的ΔGH绝对值都很小，均低于0.20 eV，说明其高HER活性，抑制了NRR的发生。

对于Si2H2和SiGeH2，压缩应变在不大于-2%时候的带隙几乎一致，而所有的拉伸应变都会使带隙减小，在-1%和1%之间的应变几乎对Si2H2没影响。实际上，应变下的不同表现是原子序数的反映，这些单分子层的VBM变化在应变下表现出相似的特征，而CBM变化则明显不一样，并与带隙的变化相对应。Si2H2和SiGeH2单分子层的能带边缘可以扩大特定应变下水分解的氧化势和还原势，这意味着这些单分子层满足光催化分解水的前提，而在所有考虑的应变下Ge2H2和CSiH2单分子层的VBM不能满足水分解要求。

作者模拟了Ce2O3和两种Vo掺杂Ce2O3的不同VO位置的Ce2O3（分别为Ce2O3-VO和Ce2O3-VO-1），发现Ce2O3-VO的生成焓低于Ce2O3-VO-1的生成焓，表明Ce2O3-VO更稳定，可用于后续的DFT计算。由N-N距离计算结果可知，VO在Ce2O3-VO中削弱了化学吸附过程中N2的三键，使N-N距离增加到1.143 Å，而在Ce2O3中引入应变-Vo缺陷后，N-N距离进一步增大至1.153 Å。计算表明，应变和VO在Ce2O3中的协同作用促进了N2的吸附和原位活化。

C-I和N-C键距的交叉点代表了过渡结构，在这个过渡结构中，平面CH3部分为随后的构象反转，从而导致离子产物的形成。通过密度泛函理论（DFT）计算，作者对Menshutkin反应预测，沿着反应轴，即电子从N向I转移的方向的电场比反应配合物（RC）更稳定过渡态（TS），从而降低势垒，如吡啶与CH3I反应。高外部电场（external electric feld, EEF）作为一种绿色高效的催化剂在合成化学中的应用受到了广泛的关注，因为它能够提供对反应选择性的显著控制和加速反应速率。

图4是二维BC2X单层的能带结构的PBE和HSE06的计算结果。大量的二维材料已经得到了探索，包括元素半导体（磷、锡、苯、硅、硼苯、锑、锗烯）、氮化碳、铟和硫系镓（GaS、InSe、GaSe）、过渡金属硫族化合物（FeSe、FeTe、硫化镉、硒化镉、MoSe2）、聚乙烯基单分子层（Sb2X3 (X=S、Se、Te)）、过渡金属氧化物（ZnO2、CdO2、HgO2）以及Janus材料，在几乎所有现代技术领域，如能源存储传感器、磁场晶体管、自旋电子学、光催化制氢、催化和超级电容器已经被证明具有潜在的应用。

然后，RB1捕获第二个超氧化物LiO2（记为O2）形成二聚体RB2，其中O1向RB和Li+同时提供电荷，O2向Li+提供少量电荷。RB3中O1和O2的巨大电荷差降低了能垒，加速了O2-歧化动力学。在没有RB的歧化过程中，溶剂化(LiO2)2的对称构型导致两个超氧化物的电荷相似，因此分子内电荷转移的能垒较高，表明RB介导的O2-歧化在热力学和动力学上都有利。在RB介导的歧化过程中，O2-首先被RB和Li+吸附形成RB1，再溶剂化LiO2，然后它们反应形成二聚体RB2，而生成的RB2快速捕获电解质中的Li+。

对比发现，不同TM2P材料的极限电位与CH3*中间体的吸附能显示了一个火山型的曲线关系（图5b），表明适中的CH3*的吸附对反应最有利，最佳吸附能为-3.10 eV. 其中，Nb2P离火山顶点非常接近，吸附能为-3.17 eV. 接着研究了CH3*的吸附于TM2P催化剂电子结构的关系，发现CH3*吸附强度都够被TM2P活性位点的部分占据的d带中心显著影响（图5a）。首先，测试了CO在TM2P上的不同吸附构型，CO的吸附时CO还原反应的关键，并且决定了接下来的反应路径。（c）Nb2P的能带图与态密度。

与PtZn-(111)相比，PtZn-(111)-1-Ge和PtZn-(111)-2-Ge的限制步的过电位进一步降低，形成了一个更稳定的结构表面，证实了Ge元素的引入可以赋予催化剂潜在的高活性和稳定性。因此，微量Ge的存在调节了Pt活性位点。总之，微量Ge的介入有效地调节了L10-PtZn@N-C的电子态，使d轨道带中心区域发生位移，使得Ge-L10-PtZn@N-C中的Pt电子结构比L10-PtZn@N-C更接近费米能级，削弱了氧化中间体对Pt的结合能，有效地增强了ORR活性。